Вылеталина
Способ изготовления кремниевых многослойных структур
Номер патента: 1597027
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Малинин, Мордкович
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6) 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.
Способ изготовления многослойных кремниевых структур
Номер патента: 1584645
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...
Способ изготовления кремниевых многослойных структур
Номер патента: 1552933
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордюкович
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 10