Способ изготовления многослойных структур

Номер патента: 947921

Опубликовано: 30.07.1982

Автор: Александров

МПК: H01F 41/00, H01G 4/26

Метки: lc-структур, многослойных

...структур 3, а между основанием и выступами сформированы пазы 4.Сборка многослойной резонансной С-структуры осуществляется путем поочередного перегибания основания 1 на 180 О на границах пространствен но разделенных структур, причем выступы 2 закладываются между структурами 3, а пазы 4 служат для облегчения процесса сборки.Выступ 1 накладывается на выступ 10 2 основания путем перегибания на 180 О по границе паза, полученная конструкция накладывается на структуру 3 основания путем перегибания по стрелке на 180 по границе паза в основании и т,д.Выступы могут быть сформированы с двух сторон основания.Их общее число определяется расстоянием между структурами конструкции.В результате получается многослойная конструкция, содержащая...

Номер патента: 1581150

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Аверина, Крымко, Кузнецов, Марков, Пресс

МПК: H01L 29/10

Метки: многослойная, структура, электродная

МНОГОСЛОЙНАЯ ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА, содержащая металлические шины, поликремниевые слои параллельных электродов с замыкающими шинами, чередующиеся с изолирующими диэлектрическими слоями, в которых выполнены контактные окна, предназначенные для создания омического контакта между металлическими шинами и поликремниевыми слоями и расположенные на участках, свободных от электродов нижележащего поликремниевого слоя, отличающаяся тем, что, с целью снижения вероятности короткого замыкания между электродами разных поликремниевых слоев, расстояние x между электродами нижележащего поликремниевого слоя и проекций на этот слой верхней границы ближайшего контактного окна к электродам...

Номер патента: 1499609

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Бузылев, Данилин, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.

Номер патента: 1584645

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...

Номер патента: 175142

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Новиков, Русаков

МПК: C25D 11/32, H01L 21/473

Метки: анодного, многослойных, оксидирования, поверхности, полупроводниковых, структур

...оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы...