Бузылев
Способ изготовления многослойных структур
Номер патента: 1452395
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Бузылев, Данилин, Ерохин, Иванов, Метакса, Мордкович
МПК: H01L 21/265
Метки: многослойных, структур
Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 3 1016 см-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 1014 ехр/79(Ми - 2,3) см-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного...
Способ изготовления многослойных кремниевых структур
Номер патента: 1499609
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Борун, Бузылев, Данилин, Метакса, Мордкович
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.
Устройство определения напряженных сечений в технологических трубопроводах высокого давления
Номер патента: 1651126
Опубликовано: 23.05.1991
Авторы: Бузылев, Гридин, Комардинкин, Микиртычев
МПК: F04D 27/02, G01M 7/00
Метки: высокого, давления, напряженных, сечений, технологических, трубопроводах
...виброперемещений определяют положение опасного сечения по формулеЬгде Е - расстояние между опасным сечением трубопровода и наиболее удаленной от него точкой измерения вибрации, м; А - коэффициент, зависящий отдиаметра трубопровода и жесткости опор, равный0,920,98; 31, 32 - виброперемещения в наиболееи наименее удаленных от опасного сеченияточках измерения вибрации, мкм;Л - расстояние между точками измерения вибрации (база), м,Для более точного определения величины Е необходимо базу Л выбрать максимально возможной для данного участкатрубопровода, т,е. база Л 2 предпочтительнее базы Ь 1 (см. фиг.1), Однако при этомсигнал от датчика 32 будет уменьшаться и,следовательно, будет уменьшаться соотношение сигнал/шум отношения 32/31,...
Устройство для измерения крутящего момента
Номер патента: 1578529
Опубликовано: 15.07.1990
Авторы: Бузылев, Королев, Микиртычев, Чарный
МПК: G01L 3/14
...движения рычага при различныхспособах его крепления; на Аиг. 3 -векторы сил, действующих на рычаг.Устройство содержит соосные полумуАты 1 и 2, упругую связь 3, выполненную в виде полого торсиона, прямой рычаг 4 с осью 5, штифт 6, датчик 7 перемещения, выступ 8 на полумуфте 2 и ограничитель 9. Центр масс 2рычага 4 расположен за пределами отрезка АВ, соединяющего ось 5 рычага 4и точку В контакта со штифтом 6фиг. 2 а, б и Аиг. 3).Устройство работает следующим образом,При вращении полумуфт 1 и 2 рычаг 4 под действием центробежной силы прижимается к штифту 6, Конец рычага 4 и выступ 8. в течение одного оборота полумуфт 1 и 2 проходят мимо одного датчика 7 перемещения, ин:; дуцируя в нем импульсы. В отсутствии крутящего момента Аазовый...
Устройство для определения амплитуды и фазы дисбаланса
Номер патента: 1397759
Опубликовано: 23.05.1988
Авторы: Бузылев, Кожевников, Микиртычев, Свириденко
МПК: G01M 1/22
Метки: амплитуды, дисбаланса, фазы
...формируетсяформирователем 2 импульса и сбрасывает десятичный счетчик 5 в исходноеположение, Последний пересчитыва.етимпульсы, поступающие с датчика 3положения, Таким образом, код в десятичном счетчике 5 соответствуеттекущему значению углового положенияроторного механизма. Если датчик 3положения формирует импульс при прохождении каждой угловой метки ротора, то записанный код соответствуетномеру угловой метки. Сигнал с датчика 15 вибрации поступает на усилитель 16 и далее на вход аналогового компаратора 17, выходной сигналкоторого будет единичным, если навходе положительная полуволна, и нулевым, если на входе отрицательнаяполуволна. В зависимости от этогосигнала включается первый или второй компаратор сдвоенного аналогового компаратора 20...
Устройство для измерения низкочастотных колебаний компрессорных установок
Номер патента: 1388585
Опубликовано: 15.04.1988
Авторы: Бузылев, Дубинский, Микиртычев, Тихонов
МПК: F04D 27/02
Метки: колебаний, компрессорных, низкочастотных, установок
...усиления, причем между выходом второгокаскада и входами первого каскадавключены цепи 16 коррекции, позволяющие осуществить Фильтрацию низкихи высоких частот непосредственно взарядовом усилителе. Это снижает уровень электромагнитных помех и низкочастотных шумов пьезодатчика.С выхода зарядового усилителя,конструктиВно размещенного В ОднОм 55корпусе с пьезодатчиком, сигналыпо соединительному кабелю поступаютна фильтр 3 низких частот, формирую-щий амплитудно-частотную характеристику в области верхних частот, а с выхода фильтра поступают на аттенюатор 4, обеспечивающий при необходимости требуемое ослабление сигнала, С выхода аттенюатора 4 сигнал последовательно поступает на первый фильтр 7 высоких частот, первый интегратор 5, второй Фильтр...
Модулятор света
Номер патента: 366809
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Бузылев, Влох, Зайцев, Лобский, Ндин, Овчинников, Пирогов
...4.При использовании оптически активногокристалла, например кварца, величина угласр выбирается из соотношения2(г ппи, +";сов 4 о =К), сов;п 2 в 1 пф "+п 2 сов где (1 - длина кристалла вдоль оптическойоси,Х - длина волны излучения,и( и пп - главные показатели преломления,1) - удельное вращение, т. е, поворот.плоскости поляризации а единицудлины оптически активного кристалла,К - порядок интерференции.В этом случае электроды 5 имеют вид продольных,полос (изображены па фиг. 1 пунктиром),Описываемый модулятор света работаетследующим образом.Благодаря тому, что угол ср между оптической осью модулирующего кристалла и осьюустройства, совпадающей с направлениемраспространения монохроматическото светового пучка, соответствуег экстремуму...