H01L 21/04 — приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей

Номер патента: 15871

Опубликовано: 30.06.1930

Автор: Гаврилов

МПК: H01L 21/04

Метки: продажи, сахара, ящик

...лотка 11,укреплены две наклонные плоскости; из коих верхняя= З не щоходшт до стенки,в сторону которой наклонена, а нижняя 8 имеет наклоне-обратный наклону верхней,и сделана решетчатой. Пространство между плоскостями З и . 8 ограничено косымиСахар, засыпаемый в ящик сверху, попадает на плоскость З, а с неена плоскость 8, перемещаясь д по которой между направляющими стенками 4, высыпаетсябирается для отпуска покупателю. При про-т хождении сахара по решетке 8, крошки и мусор отсеиваются в ящик 11, который по мере надобности может выдвигаться и очищаться.В случае, если ящик сделан из дерева или т. п. материала, надлежит внутренние поверхности сбить железом, чтобы предохранить СТЕНКИ ЯЩИКЗ. ОТ повреждений, а. также облегчить движение...

Номер патента: 109994

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Носов, Русскова

МПК: H01L 21/04

Метки: кремний-алюминий, перехода, сплавного

...примеси затруднена припайка к алОминию внешнего вывода и проведение хичс ского травления полученной структуры, так как алюминий бурно реагирует со ще; лочами.В описываемом способе указанные недостатки устранены тем, чо аломинневук) полоску помсьца)т между кристаллом кремния и 1 ластинкои сплава на оловянистой или свинцовой основе и полученную комно: пцию номецаОт в печь и подвергаитг в течение 1 - 2 мин. термообработке при температуре иря:1 ка 70 в 1 еоксляющси среде, При этом алюминий сплавляется с кремнием, ооразуя сплав типа силумин, а олово прочно сплавляется с образовав 1 ПИМС 51 СИЛУ)1 НОМ И К припаивастся Внешний сто олова может быть Оловяно-свинцовый сп. боп другой, сплавля с;1 л; ,11 н) м, 11 ри .)о травления существенно...

Номер патента: 146884

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гутин, Пусеп

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводниковых, приборов, точечных, формовки

...ленте, нагреваемой импульсом переменного тока,На чертеже изображен эскиз устройства.Перпендикулярно контактной игле 1 приварена танталовая лента 2, нагреваемая импульсом переменного электрического тока. Контактная игла 1 опирается на поверхность полупроводниковой пластинки-кристалла 3. Сильно разогретая лента передает импульс тепловой энергии контактной игле. В результате этого происходит локальный разогрев кристалла у контакта создается область с дырочной проводимостью на кристаллс, и образуется р - и переход, обуславливаюгцнй выпрямительное действие диода.Отсутствие электрического поля при этом позволяет наблюдать за вольтамперной характеристикой диода в процессе формовки. Предмет изобретения Устройство для формовки точечных...

Номер патента: 161074

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/04

Метки: 161074

...от адсорбированного слоя примесей одним из известных способов (например, прогревом в вакууме), на участке очищенной поверхности создают омический контакт, электрод которого защищает поверхность соприкосновения от адсорбцнн примесей. на незащищенный участок образца адсорбируют вещество, имеющее противоположный объемному тип проводимости, после чего на участке с противоположным типом проводимости создают смический контакт. Известны способы создания орган полупроводниковых материалов с оп ным типом проводимости за счет вве них в качестве примеси атомов мета.Предложен способ создания р - п пе на органических и неорганических п ных полупроводниковых материалах, ванный на использовании различияносителей тока в поверхностном слое и этих...

Номер патента: 184979

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/04

Метки: я-переходов

...получить высокую поверхностную концентрацию бора в кремнии (концентрация В (1 - :2) 10 гз см з) и не создает равномерной концентрации бора по площади, при этом глубина диффузии бора невели ка.Предложенный способ отличается от известного тем, что термодиффузия проводится из борокальциевосиликатного стекла состава 1 В,Ози 510 з ЙСаО, в котором СаО, обладая 15 большей упругостью пара, чем В.Оз, создает предпосылки для поддержания достаточно высокого относительного содержания В,О, в стекле в процессе термодиффузий. Способ позволяет получить высокую поверхностную кон центрацию бора, равномерную по площади (концентрация бора 10 зо см - з) при большой глубине диффузии бора.Предложенный способ заключается в том, что на шлифованную поверхность...

Номер патента: 237268

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Данилин, Кондратьев, Красилов, Филатов, Черн

МПК: H01L 21/02, H01L 21/04

Метки: о—п-переходов

...область 5 р-типа 3 имеет толщину менее 0,1 ттк,По предложенной технологии могут цзготовляться силовые и туннельные диоды, ВЧ- ц СВЧ-транзисторы. мет изобретения Способ цзг дом введения птпйгя тем чт 15 малой площа шоц глубине,температуре в ратуры эвтек иый материалполучен термокомИзобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов,Известные способы создания р - и-переходов (сплавление, диффузия) ц выводов к ним(пайка, сварка, терхтокохтпрессия) не позволяют получать структуры малой площади смалой глубиной залегания перехода.По предложенному способу примеси одного типа проводимости вводят в поверхностный слой полупроводника противоположноготипа провсхдихтости давлением без образования жидкой фазы при температуре...

Номер патента: 248086

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бченко, Гордиенко, Дидевич, Некрасов, Смирнов

МПК: H01L 21/04

Метки: германиевых, переходов, р-п

...относится к технологии получения полупроводниковых приборов.При существующих способах получения термостабильных германиевых р-п переходов изменяются объемные свойства полупроводникового кристалла в процессе термической обработки, что приводит к ухудшению некоторых параметров приборов, в частности появляется текучесть обратных токов, ухудшаются усилительные свойства транзисторов.Предлагаемый способ устраняет указанные недостатки и позволяет улучшать термостабильность приборов без их дополнительной обработки.Сущность способа заключается в том, что в германий с удельным сопротивлением 5 й 1 ом, см,и легированный сурьмой, идущий на,изготовление монокристаллов для р-п переходов, вводятся добавки кремния от 0,5 и более вес. %.Введение атомов...

Номер патента: 256083

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Магал, Смирнов

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводникового, прибора

...ров анных специалистов. Кроме того, изготовление диодов этим способом сопровождается дополнительными расходами вспомогательных и основных материалов (кварц, полупроводниковые материалы и др.).Предлагаемый способ позволяет значительно сократить время, число операций, коли ество сложных технологических установок, обслуживающий персонал и дорогостоящие материалы. Он отличается от известного тем, что, с целью одновременного создания р - и-перехода и металлизации, на одну из сторон пластины напыляют диффузант, а на противоположную сторону - материал контакта с последующим покрытием пластины с обеих сторон пленкой двуокиси кремния.256083 Составитель М. ЛепешкииаТехред А, А, Камышникова Корректор Л, В, Юшина Редактор В, Дибобес Заказ 661/12...

Номер патента: 265291

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Всесоюзна, Каусов

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводниковыхструктур

...известным способом создают р - и-переход большой площади. Чтобы получить омические контакты, проводят металлизацию поверхностей пластины, затем с двух сторон пластины полупроводника наносят защитные покрытия в виде ряда локальных участков заданной конфигурации. На противоположных поверхностях пластины соответствующие защитные участки попарно смещены относительно друг друга и частично перекрывают друг друга.После этого осуществляют химическое травление незащищенных участков пластины с 5 двух сторон на глубину, превышающую глубину залегания р - п-перехода. У полученных структур площадь омпческих контактов более чем в десять раз превьпдает площадь р - и-переходов.0 Предложенным способом можно также изготовлять многоэлементные схемы с...

Номер патента: 295160

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иванов, Огнев

МПК: H01L 21/04

Метки: микроминиатюрных, ориентации

...о25 штуцером 3, по которому внутрь камеры подается сжатый воздух,Камера 1 установлена на упругих подвесках 1, благодаря чем она может колебаться и направлешш продольной осн. По лоткуЗО 5 детали 6 посгупают на крышку герметпч 2951605 10 15 20 25 30 35 ной камеры, выполненную из микропористого материала, поры которого образуют систему микроскопел. Через эти сопла проходит сжатый воздух, образуя равномерно распределенную воздушную прослойку между крышкой и контактной поверхностью деталей,Давление воздуха, подаваемого в камеру 1, подбирают таким, чтобы детали, обращенные к крышке 2 большей поверхностью, оказались во взвешенном состоянии, а детали, обращенные к крышке 2 меньшей контактной плоскостью, оставались на ее поверхности.Затем камере...

Номер патента: 434516

Опубликовано: 30.06.1974

МПК: H01L 21/04

Метки: локального, перехода, полупроводниковых, приборов, р.п

...битум.Способ заключается в следующем. На промытую и обезжиренную после шлифовки пластину с помощью маски из металла на участ чи, где не должна пройти диффузия, наносят слой битума, например БН, хорошо растворимого в органических растворителях, например в толуоле или четыреххлористом углероде, 3 2Далее любым известным способом наносят раствор солей, содержащий диффузант (алюминий). Пластину сушат до полного высыхания раствора (температура сушки не выше температуры растекания битума - около 40 С). После этого битум снимают кипячением в четыреххлористом углероде или толуоле, при этом соли остаются на пластине. Затем производится диффузия. Алюминий диффундирует только в месте его нанесения,Диффузант с большим давлением паров можно...

Номер патента: 623240

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Бондарев, Добровольский, Кислицын, Мусин, Павлюк, Россошинский

МПК: H01L 21/04

Метки: арматуре, кристаллов, металлической, пайки, полупроводниковых, приборов, стабилитронов

...стабилизации выше 50 В.Поставленная цель достигается тем, что р- - и переход предварительно нагревают ло температуры, обеспечивающей возрастание обратного тока р - и - перехода выше 0,5 А, а напряжение тока основного нагрева выбирают меньше напряжения стабилизации полу роволни кового кристалла стабилитрон а.Предварительный нагрев может бьть осуществлен током, протекаюпгим в прямом направлении относительно р- - и перехода.В этом случае обратный ток основного нагрева пропускают с задержкой после окончания тока предварительного нагрева. по величине равной или большей времени тепловой диффузии в кристалле. Технологический цикл по описываемому способу следующий. Полупроводниковый кристалл стабилцтроца укладывают между залужеццыми...

Номер патента: 555761

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Кияк, Орлецкий, Пляцко, Товстюк

МПК: H01L 21/04

Метки: переходов, р-п

...выпрямление(см.фиг Л, кривая 1). Наиболее хорошие р-и-переходы образуются приоблучении кристалла плотностьюэнергии Е = 0,4 Дж/мм и длитель 2ностью = 4-7 мс (см.фиг.2,кривая 2), При плотности энергии излучения Е = 0,5 Дж/мм и выше образование р-и-перехода сопровождаетсясильным растрескиванием и разрушением кристалла (см.фиг.2,кривая 3),Быстрое, со скоростью У = 103 104 град/с, охлаждение расплава ,сопровождается рекристаллизацией и фиксацией резких градиентов концен траций примеси в исходной и рекристаллиэованной частях полупроводника. Применение лазеров с модулированной добротностью позволяет получить скорость охлаждения до 10 град/с.8Эти особенности не имеют аналогии ни в одном известном способе и обуславливают полное сохранение...

Номер патента: 320228

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Астахов, Галаев, Горелик, Ермошин, Коровин, Круглов, Преображенцев, Самохвалов, Фронк

МПК: H01L 21/04

Метки: перехода, сплавно-диффузионного

...Наиболее полно этим требованиям отвечают 25 электродные металлы, электрически нейтральные, или электродные металлы, не изменяющие основных характеристик полупроводникового материала и образующие с ним простые эвтектиче- ЗО ские системы, например серебро, золОтО и ДРМежду слоями электродного металла- носителя располагают по крайней мере два слоя легирующей примеси, акцепторную, в качестве которой ис- пользуют, например, бор, алюминий, галлий, индий, и донорную - фосфор, мышьяк, сурьма, висмут.Концентрация легирующей примеси 4 О в расплаве, задающей обратный градиент в зависимости от конкретных параметров вольтфарадной характеристики, определяется интервалом 1 10 см - 10 см ., а примеси, об.4516 6 -3разующей Р -и-переход -...

Номер патента: 1103306

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Галинский, Зумберов, Карпов, Корольков, Кузьмин, Сурженков, Тоомсоо, Хуторянский

МПК: H01L 21/04

Метки: выпрямительных, элементов

...предлагаемой операции металлизации привариванием металлической фольги от известной металлизации химическим осаждением металла заключается в том, что на поверхность полупроводниковой структуры наносится плотный металлический слой с меньшим тепловым и электрическим сопротивлением, чем это имеет место у пористого, химически осажденного металла. Помимо этого, приваривание металлической фольги позволяет осуществлять операцию металлизации одновременно с опера цией приварки термокомпенсатора, что уменьшает трудоемкость и количество брака при изготовлении выпрямительного элемента по сравнению с известным способом, гдеоперации металлизации структуры и крепления к ней термокомпенсатора выполняются раздельно и последовательно.Перед...

Номер патента: 633389

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих

МПК: H01L 21/04

Метки: p-n-переходов, стабилизации

СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ P-N-ПЕРЕХОДОВ, включающий операции нанесения многослойного покрытия, фотогравировки, подтравливания слоев при вскрытии контактных окон, напыление металла и формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, подтравливание слоев производят на величину, превышающую клин травления и приводящую при напылении и формировании контактных площадок к деформации нависающих под клином участков защитного покрытия.

Номер патента: 814168

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/04

Метки: барьер, затвором, полевых, типа, транзисторов, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕР ШОТТКИ на полупроводниковой подложке, включающий в себя напыление и вжигание контактного сплава, напыление защитного слоя, вскрытие окна в защитном слое, напыление барьерного материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа получения транзисторов с субмикронной длиной канала и повышения выхода годных изделий, на структуре n - ni-типа создают n+-слой, в n-слое формируют контактные площадки истока и стока, формируют меза-структуры травлением n+- и n-слоев до подложки, создают маску из защитных материалов с узкой щелью, расположенной между контактными площадками стока и истока, контролируемыми травлением n+-слоя до границы...

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 496910

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Акимов, Бобылев, Глущенко, Иванов

МПК: H01L 21/04

Метки: кремниевого, планарного, прибора

Способ изготовления кремниевого планарного прибора, предусматривающий проведение локальной диффузии в кремний с формированием планарного p-n-перехода, образование легированного свинцом диэлектрического слоя на кремниевой пластине и операции по созданию металлического, например алюминиевого, контакта к кремнию, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты p-n-перехода от попадания в него частиц контактного металла, перед формированием p-n-перехода осуществляют легирование свинцом диэлектрического покрытия на пластине, а после формирования p-n-перехода производят термическое окисление пластины с последующей обработкой ее в растворе, содержащем плавиковую кислоту.