H01L 39/20 — мощные криотроны

Номер патента: 1130148

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Кокавец, Марковская, Марковский, Счастливый, Хласник, Цеснак

МПК: H01L 39/20

Метки: криотрон, мощный

...ключевого элемента за счет мощности силовой цепи усиливается, приближаяськ расчетному. Если нормальное сопротивление ключевого элемента таково,что при номинальных параметрах силовой цепи его саморазогрев обеспечивает поддержание температуры вышекритической, то управляющее напря- Зожение блоком управления может бытьотключено. Интенсивность нагрева ключевого элемента за счет мощностисистемы управления при ограниченныхразмерах поперечного сечения трубок 8 и обмотки 3 усиливается за счетзаполнения внутренней полости трубок 8 материалом с повышенноймагнитной проннцаемостью, играющегороль магнитопровода индуктивно 40связанных обмоток 3 и 8. В устройстве может быть предусмотрен обратный магнитопровод из того же илидругого материала с...

Номер патента: 1554050

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Кокавец, Марковский, Цеснак, Шевченко

МПК: H01L 39/20

Метки: криотрон, мощный

...Чередующиеся с ними полоски 15 выполнены из сверхпроводника второго рода и при наличии разрезов 13 только полоски 15 являются коммутирующими, На фиг. 3 изображено сечение трубки 2, выполненной из многожильного сверхпроводящего композита, где показаны сверхпроводящие нити 1 б и диэлектрическая илиЗО нормально проводящая матрица 17, На фиг, 4 изображен элемент сечения трубки 2, выполненный методом напыления, где показаны подложка 18, слой сверх- проводника второго рода, например нитрида. ниобия 19, тонкие слои изоля 35 тора 20, например БЬО или БхО, толстые слои (более 1 мкм) сверхпроводника первого рода с поперечными разрезами 21, диэлектрическое заполнение 22 прорезей 11.Устройство работает следующим образом.Переключение ключевого...

Номер патента: 1384138

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Акопян, Мымриков

МПК: H01L 39/20

Метки: ключа, сверхпроводящего, состоянием, фазовым

УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ФАЗОВЫМ СОСТОЯНИЕМ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО КЛЮЧА, состоящее из двух импульсных источников тока и коммутатора с входом управления, причем два одноименных полюса импульсных источников питания соединены с выводами сверхпроводящего ключа, а его средняя точка соединена через коммутатор с другими одноименными полюсами импульсных источников тока, отличающееся тем, что, с целью увеличения частоты переключения и ее регулирования, в него дополнительно введены регулируемая схема задержки и блок управления, а коммутатор снабжен вторым входом управления, причем блок управления соединен с первым управляющим входом коммутатора и входом схемы задержки, а ее выход соединен с вторым управляющим входом коммутатора.

Номер патента: 1289337

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Касумов, Копецкий

МПК: H01L 39/20

Метки: диод, низкотемпературный

Низкотемпературный диод на основе бикристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения потерь жидкого гелия, в качестве бикристалла использован металлический бикристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, выполненный в виде микромостика с двумя массивными электродами, соединенными перешейком, длина которого меньше длины свободного пробега электронов, причем плоскость границы зерна целиком расположена в области перешейка.

Номер патента: 1508891

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Кононенко, Копецкий, Матвеев

МПК: H01L 39/20

Метки: сандвич-структура

Сандвич-структура, выполненная в виде двух проводников, разделенных диэлектрическим слоем и соединяющихся через расположенные в диэлектрическом слое проводящие микрозакоротки, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения тепловыделения и улучшения теплоотвода, в качестве одного из проводников использован металлический кристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, а микрозакоротки расположены упорядоченным образом.