Номер патента: 1577633

Авторы: Касумов, Кононенко, Копецкий, Матвеев

Описание

Баллистический транзистор, содержащий последовательно расположенные эмиттер, металлическую базу, коллектор и затвор, расположенный между эмиттером и коллектором, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочих напряжений, база выполнена из сверхчистого металлического кристалла, эмиттер и коллектор выполнены в виде микроконтактов к базе, а затвор - в виде проводящей микрошины, расположенной от эмиттера на расстоянии 0,1 - 5 мкм.

Заявка

4311333/25, 30.09.1987

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР

Касумов А. Ю, Кононенко О. В, Копецкий Ч. В, Матвеев В. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 29/80

Метки: баллистический, транзистор

Опубликовано: 20.02.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1577633-ballisticheskijj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Баллистический транзистор</a>

Похожие патенты