Патенты с меткой «диод»

Номер патента: 119271

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Носов

МПК: H01L 29/861

Метки: базой, диод, плоскостной, полупроводниковый, тонкой

...с уменьшением У.Однако такому диоду свойственны два существенных недостатка. Уменьшение % приводит к росту обратного тока и не всегда удается получить омический контакт с Яр -х, в результате чего уменьшение толщины базы не будет приводить к падению Рр и 1,.Для устранения указанных недостатков прй сохранении остальных параметров, свойственных диодам с тонкой базой, предлагается заменить омический невыпрямляющий контакт 3 дополнительным р - и переходом. При этом новая конструкция диода с тонкой базой в разрезе будет выглядеть так, как показано на фиг. 3. Здесь омический контакт 3 заменен дополнительным р - и переходом б, расположенным от основного р - п перехода на расстоянии Р, меньшем, чем диффузионная длина 1,Б базового...

Номер патента: 135977

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Масловский

МПК: H01L 29/02

Метки: германиевый, диод, силовой

...диск 3 указанного сплава диаметром 36 лглг и толшиной 0,2 лглг. Впчавлгние осуществляют в течение 20 - 25 лгггн при температуре 800 - 810, а диффузию ведут в течение 5 - б час при температуре 770 - 780.омическии контакт с противоположной стороной диска 1 полу гают путем проплавления диффузионной п-области, покрываюшей в.сь диск 1, сплавом олово-индий, содержащим 70% олова н 30% индия. Раз- меры диска из указанного сплава - диаметр 40 лгл 1 и толщина 0,2 лглгПриплавление омического контакта производят прн прогреве в гсчение 5 - б лгггн до температуры 490 - 500 и последующем подъеме т:- пературы за 2 - 3 лгин до 510 - 515. После удаления диффузионного и-слоя и обнажения перехода 2 путем травления в кипящей 4% перекиси водорода переход...

Номер патента: 150938

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Сахаров, Тихонов

МПК: H01L 29/06

Метки: диод, полупроводниковый

...изображена схема конструктивного .выполнения описываемого диода.На гладкую поверхность монокристаллической пластины из полупроводникового материала, выполненной в виде диска или квадрата, наносят концентрические риски 1 или продольные риски 2, расположенные параллельно сторонам квадратной пластины. Для сохранения одинаковой толщины пластины по всему сечению с нижней ее стороны также наносят риски, сдвинутые относительно верхних рисок.При нанесении рисок увеличивается общая площадь пластины полупроводника, а следовательно, и мощность, снимаемая с электроннодырочного перехода, причем периметр пластины при этом остается неизменным, Наибольший эффект дает нанесение на пластины канавок, имеющих прямоугольный профиль,Описанная...

Номер патента: 152035

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Либерман

МПК: H01P 1/15

Метки: диод, переключения, полупроводниковый, свч

...достаточно положительном смещении запорный слойи эквивалентная схема сводится к параллельному контуру ЕС звестны. под дейпереключения ния в помпеданса я, а друапорного ительном контуре: - резо- емкость авлена экв енно в себ слоя контактной бьема полу пружи- проводнс, во уре (в никаю ависи счезает соЕ = - ,1вС и 1, и Свыбраны так, что на рабочей частот152035 Предмет изобретения Полупроводниковый диод для переключения на СВЧ, отл и ч а ющи й ся тем, что, с целью получения двух резко отличающихся значений импеданса диода, одно из которых соответствует состоянию пропускания, а другое состоянию запирания, величины емкостей патрона и запорного слоя и индуктивности вывода выбраны такими, что при положительном напряжении смешения имеет место...

Номер патента: 171923

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Есесша, Логунов

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...туннельный диод.На кольцевой гластине 1 германия с одной стороны создан кольцевой омический контакт 2, а с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку 3 припаяна металлическая, например коваровая, пластина 4, Сплав 5, образующий р - гг-переход прибора, расположен внутри германиевой пластины 1 и имеет контакт с металлической пластиной 4.Изготовить структуру можно следующим образом; на большой пластине германия по всей поверхности создают спай с коваром через тонкую (10 - 60 мк) стеклянную прослойку при температуре около 800 в 9 С. Напаивают с другой стороны германиевой пластины золоченую или серебряную коваровую пластину для создания омического контакта с германием, Позолотив полученный сандвич с обеих сторон, нарезают его на...

Номер патента: 172404

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Константинов

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...сечения, при этом электродный матсриал, образуя р - п-переход ца боковой грани кристалла, имеет одповреко:такт с язычом верхнего выводаприбора.Такое выполнение диода позволяет увеличить частотпь:й предел прибора, снизить индуктивность корпуса и упростить технологию его изготовления, что позволит автоматизировать технологический процесс.На чертежецельного диодаКристалл 1 с р - и-переходох 2 заклОчец в керамисекуо оболочку 3, к которой прцплавлены верхний и нижний контактные выводы 1 ц 5 прибора с напаянной ца верхц 1 ш вывод 1 крышкой 6, 5 Верхний вывод 4 прибора выполнен в видекольца с язычком 7, загнутым под углом, например, 90.Кристалл 1 полупроводникового материала, установленный в корпусе прибора и прц О плавленный к нижнему...

Номер патента: 183839

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Александров, Вишневский

МПК: H01J 21/04

Метки: диод, самоподогревный

...тока ыи диод может быть исп выпрямления переменног для стабилизации вых апряжения,и тока, в уст и и вычислительной те наличие нелинейного эле нелинейностью и т. д. диогоойст хники менг Опубликовано 09.И 1,19 В настоящее время известны самоподогревные электронные лампы, у которых анод расположен внутри катода, окруженного тепловым экраном. Такие лампы имеют малую крутизну вольт-амперной характеристики и недостаточно экономичны,В предложенном самоподогревном диоде катод имеет эмиссионное покрытие с двух сторон, а тепловой экран используется в качестве второго анода. Такая конструкция диода позволяет уменьшить габариты, повысить крутизну вольт-амперной характеристики и экономичность.На фиг. 1 изображен предложенный диод в разрезе; на...

Номер патента: 219702

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Адо, Зубков

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...в каче- а, образующего служит, наприльные диодь пегированног димости, в к о материал оводи мости, с индием,тунн льно прово одног ипа п лова ширина чем у аТаки ся шир разующ значите метров которого меныд ря этому уменьшает оны материала, об а проволимости, стабильность пара Известные туннельные диоды имеют недостатсчно стабильные параметры, при рабо 1 е на диффузионном участке вольтамперной характеристики они быстро меняют характеристики.Предложенный туннельный диод, выполненный на основе арсенила галлия р-типа проводимости, легирова.нного цинком, отличается от известных тем, что зона гг-типа проводимости его образована соединением типа бар, 1 п, Лз,Прелмет изобретения 10 Туннельный лиол на основе арсенила лия р-тица проводимости,...

Номер патента: 245153

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Воронин, Плюхин, Федосеев

МПК: B64D 13/06

Метки: диод, тепловой

...один относительно другого, а торцовая поверхность одного нз них выполнена с коэффициентом теплового излучения, большим коэффициента торцовой поверхности другого теплопровода.На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого теплового диода.Тепловой диод состоит из корпуса 1 и установленных в нем с торцовым зазором тепло- проводов 2 и 3. Торцовая поверхность теплопровода 2 выполнена с коэффициентом отражения теплового излучения большим, чем коэффициент отражения теплового излученияторцовой поверхности теплопровода 3. Теплопроводы могут быть изготовлены из кварца,5 металла и других материалов,Тепловой диод работает следующим обра.зом. Если температура теплопровода 2 больше, чем температура теплопровода 3, то и количество тепла,...

Номер патента: 249492

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белевцев, Глазков, Лидоренко, Мазитов

МПК: H01G 9/16

Метки: диод, электрохимический

...и выделения газа.25 Например, при использовании водородной системы - это процессы ионизации водорода нааноде и его выделения на катоде, а при кислородной - наоборот. Поглощаемый на одномэлектроде газ в эквивалентном количестве выЗо деляется на другом, и состав газовой фазы неменяется,249492 Предмет изобретения 6. Диод по пп. 1 - 5, отличающийся тем, что1, Электрохимический диод, выполненный в электролит содержит соль металла, например виде замкнутого объема с размещенными в 35 соль никеля для водородной системы. иг. Г Риг 1 Составитель Ю. В. Шевколовичехред Т. П. Курилко Корректор Л. В. Анисимова едактор Т. Иванов аказ 3586/12 Тираж 480 ПодписноЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва Ж, Раушская...

Номер патента: 263044

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Константинов, Шапиро

МПК: H01L 29/88

Метки: высокочастотный, диод, туннельный

...например, типа 1 И 102 КК 3.362.048 ТУ, у которых концентрация в р-сбла.ти р-и-перехода значительно презышает концентрацию носителей в и-области. Недостатком приборов такого типа является высокий коэффициент шума.Цель настоящего изобретения - создание СВс 1-туннельного диода с уменьшенным коэффициентом шума.Сущность изобретения заключается в том, что при фиксированном значении приведенной/п 1 р т 2концентрации), гдеПр )и - концентрация донсрной примеси;р - концентрация акцепторной примеси, определяющей величину предельной частоты прибора, соотношение концентраций и и р изменяют таким образом, чтобы величина отрицательного сопротивления, а следовательно, и шумы диода уменьшались.Форма вольтамперной характеристики, а следовательно, и...

Номер патента: 302770

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Чубов

МПК: H01L 23/482

Метки: диод, релаксационный

...один из электродов выполнен из магния. Активная площадь испытанного образца 0,6 см 2. При напряжении в схеме 30 в и максимальном токе П 1=40 ма, К;=400. Такой элемент обладает индуктивностью, эквивалентной двум миллигенри.При включении релаксода в цепь постоянного тока в проводящем направлении ток медленно нарастает примерно по экспоненциальной кривой, Среднее время релаксации 10 - 30 сек в зависимости от величины и продолжительности тока, пропускаемого в запорном направлении перед включением прибора,Минимальное релаксационное время исчисляется долями секунд.На чертеже представлена схема релаксационного диода, Диод состоит из магниевого электрода 1, медного корпуса 2, разделяющего слоя перекиси свинца 3 и слоя эпоксидной смолы 4. 10...

Номер патента: 328803

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гурский, Лидоренко, Мазитов, Оглоблев, Сидоренко

МПК: H01G 9/22

Метки: диод, электрохимический

...перемещается ца более отддлеццые25 от крал шуцтирующих элсктролитическихстолбиков участки электрода (этоху соответствует участок ВС характеристики). Затем,когда эта пассцвация в силу указанного соотцошсция распространяется ца всю поверх 30 ность первого электрода, ток через диод прек.328803 и 2,1 орректор Т, Мироно Составители Г. Хараиовии Заказ 865/15 Изд.389 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, )К, Раушскаи наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапуно ращается, что соответствует участку Сй характеристики, При дальнейшем возрастании напряжения ца диоде 1 участок т)Е характеристики, диод остается в запертом состоянии вплоть до значения напряжения 1,8 - 2 в), когда вследствие...

Номер патента: 389732

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Вишневская, Евстропов, Именков, Коган, Попов, Рубисова, Царенков

МПК: H01L 29/20

Метки: диод

...концентрацией ловушек, а время его рас 2 п сасывания - временем выброса носителейзаряда из ловушки в зону свободных неосновных носителей. Это позволяет выбором уровня легирования управлять величиной накопленного заряда и временем его рассасывания 25 при фиксированном времени жизни неосновных носителей и фиксированных токах заряда и разряда,Пример. В качестве исходного материала был взят фосфид галлия. Легирование Зо фосфида галлия азотом производилось из389732 20 Предмет изобретения Составитель А. Кот Корректоры: Л. Корогод и В. ПетроваТехред 3. Тараненко Редактор Т. Орловская Заказ 3507;6 Изд.73 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комигета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб.,...

Номер патента: 437146

Опубликовано: 25.07.1974

Автор: Кривошапко

МПК: H01J 17/40

Метки: диод, ионный, низковольтный

...мощных выходных ламп и транзистоИзвестные газонаполненные диоды с холодным активированным катодом представляют собой два цилиндра различных размеров,Однако известные диоды имеют недостаточно низкое напряжение зажигания и недостаточный срок службы при применении в цепях переменного тока.Целью изобретения является снижение напряжения зажигания и увеличение срока службы при применении в цепях переменного тока.Для этого диод содержит два пар ных стержня, которые прикреплены п положными концами к боковой нове цилиндров по образующей таким образ каждый из стержней располиндра, соединенного спричем оба покрыты матернизкую работу выхода.На чертеже приведенадиода.Ионный низковольтный дцилиндра 1 и два стержня 2 Ионный ни цилиндр ическ ся...

Номер патента: 482822

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Даниелян, Соколов, Шорыгин

МПК: H01G 9/22

Метки: диод, концентрационный, электрохимический

...концентрационный диод изображен так, что его продольная ось, являющаяся осью симметрии, расположена перпендикулярно к плоскости чертежа (электрические выводы для управления не показаны),Стрелка на чертеже указывает направлениевзаимного перемещения диода и магнита.На фиг. 2 приведена простейшая электрическая схема включения диода,где М - источник магнитного поля (постоянный магнит или электромагнит);РБ - сопротивление нагрузки;Уь У - входное и выходное напряжения;В - магнитное поле;Т - ток возбуждения;Т 2 - Выходнои ток.На фиг. 3 показаны вольт-амперные характеристики диода для испытанного образца,где 1 - ток, протекающий через диод;Р - напряжение на зажимах диода.Предлагаемый электрохимический концентрационный диод состоит из...

Номер патента: 367815

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Грехов, Левинштейн, Шур

МПК: H03B 7/06

Метки: ганна, диод

...класса веществ, в которых можетнаблюдаться быстро движущаяся область40сильного полл, приводящая к лавинномуразм 11 сжению носителей 1 пробою) к В уве-.личении равномерности распределения носителей в условиях пробоя,11 ель достигается путем нанесения на15поверхность кли часть поверхности полупроьодниксвой структуры, в которок генерируются домепы сильного поля, покрытиякз полупроводникового материала с меньшим пороговым полем ударной конкзацкк,50чем у вещества, кз которого изготовленаполупроводниковая структура,На чертеже показан полупрсьод 11 кксьыи,щкбор, содержащий попупооьодпкковуюструктуру, в которой генериру 1 отся дсменЫсильного поля, покрытую слоем специальногошнтупроводнккового илк диэ 11 ектрическсгок 1 рте Р 11 111111,30...

Номер патента: 518614

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Аксютович, Карышенский, Крамаренко, Кринкин, Плюхин

МПК: F28F 13/14

Метки: диод, тепловой

...линяе ии. от ет си теп акти утст елью изобретения является упрощение каналов 4 этом словода 3 ит 10 е игается тем, что узел теплового то пл ким образ вать тепло контакта выполнен по типу ви розетка и а розет. Тре на в теле входного ыходного теплопров вилка выпо ка - в тел дов, а таквыполнен теплопров в оэ ициентом л с высок е н орм, а выхо ициенто например мед ине епловой ди 1. и выхсодержа,дии входнои териала с малым коэфф длинения, например инв днои теплопроводы, имеющие уз чающии -ния конструквыполнен пот л ого контактаем, что, с це епл схематично изображен описыплопровод 1 выполнен с вилз материала с высоким коэфью упрощ контакта На чертежваемый диод,кой 2 заоднофициентом лимеди, Выходи епловог ции выполнена ил илка-розетка ыход...

Номер патента: 531992

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Васильев, Гракович, Куликов, Несынов, Прохоров, Савченко, Сургучев

МПК: F28D 15/04

Метки: диод, тепловой

...конденсации и соединяющей их транспортной зоной и газовый резервуар, размещенный по их оси. Однако они имеют небольшую величину отношения прямого и обратного тепловых потоков в связи с тем, что в них отсутствуют капиллярные насосы - артерии для осевого транспорта жидкости, а пористый фитиль на стенках представляет собой дополнительный тепловой мостик для передачи тепла теплопроводностью в обратном направлении. Помещение горячего резервуара с неконденсирующимся газом внутрь тепловой трубы преследует цель только температурного воздействия на неконденсирующий газ, ухудшая при этом гидродинамику течения пара в устройстве.Цель изобретения - повышение эксплуатационной надежности в условиях повышенных тепловых нагрузок и вибрации. В...

Номер патента: 550772

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Литвиненко, Махотенко

МПК: H05B 33/18

Метки: диод, электролюминесцентный

...электронов, через капилляр введен проволочный электрод 4. Электрод 4 выполнен из манганина, не взаимодействующего со сплавом щелочных металлов. Резервуар герметизирован с помощью эпоксидной смолы или парафина. Поверхности пластины 3 отполированы и прозрачны. С противоположной стороны на ней изготовлен невыпрямляющий контакт 5, например из графитовой пасты, нанесенной в виде пленочной маски со светопроницаемыми щелями, или из испаренного в вакууме золота, серебра и т, д. Токоввод 6 может быть выполнен из манганинового или медного провода.При приложенном в прямом направлении электрическом напряжении сплав щелочных металлов является катодом и инжектирует электроны в базу 3, При определенном пороговом напряжениями диод спонтанно...

Номер патента: 552865

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Дубровская, Именков, Попов, Равич, Царенков

МПК: H01L 29/06

Метки: диод

...варизонную область 1, выполненную из р-Са, А 1 АЭ, гвтероинжектор 2, выполненный из п-Са, АРАБ,омические контакты Э и 4 - и -переход 5,Носители, которые инжектируются в вБризонную облвсгь гетероинжектором оквзыввются в ней под воздейсгвием тормозящего электрического поля, при:-.имяюшего ихк гетероинжекгору и способсгвуюшего ихэксгракции, Это поле, равное градиенту ширины запретной зоны варизонной области, деленному на заряд электрона, можно увеличивать в широких пределах и таким образом достигнуть высокого быстродействия диода. Величина электрического поли не уменьшает. ся по мере удаления ог .р-,И -.перехода, чем улучшаются условия экстракции неосновных носителей и повышаегбя эффективность диода.р- и -переход может располагаться...

Номер патента: 665350

Опубликовано: 30.05.1979

Авторы: Альфред, Бригитте, Еренфрид, Клаус, Конрад, Райнер, Флориан

МПК: H01L 29/20

Метки: диод, электролюминесцентный

...диффузии с надлежащей последующей обработкой (отжигом) для более детальной юстировки симметричного поглощающего профиля.Если исходным материалом является ар 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 50 55 60 65 сеццд галлия, то требуются основные при мссц п)5 10 д см -вплоть до концентрации выпадения. В качестве л-основной примеси могут быть свинец, кремний, теллур, в качестве акцептора служит цинк.Изобретение описано на двух примерах выполнения для изготовления двойного слоя р+ на субстрат (подложку) или в самом субстрате на основе арсенида галлия.На фиг. 1 показана структура элементов; на фиг. 2 изображен профиль примесей; на фиг. 3 - поглощающий профиль; ца фиг.4 приведены интенсивность и однородность времени задержки в зависимости ширины полосы...

Номер патента: 550066

Опубликовано: 05.10.1979

Авторы: Дюков, Кулюпин, Непийко

МПК: H01L 29/12

Метки: диод, пленочный

...подложки отликоличество вещества, а следовательно, островков н расстояния между ними, нно изменяются от одного электрода ому, При другом способе, перемещая в процессе напыления, получают пленку упенчато изменянипейся толщиной. Этузатем прогреванл ло образования остров уктуры. Диснергированные металлически изготовляют из золота, хрома или из66 4мость металлов и диэлектриков при облучении существенно не меняется, Свойства этойсистемы зависят от температуры, но интервалрабочих температур значительно расширяется(для пленок золота на стекле 4,2-600 К, адля пленок тугоплавких металлов, напримерхрома, 4,2 - 800 К),Формупа изобретения тавитель П. Торед З.ФантаКорректор Т. Скворцова дактор Т. Колодцева Покомитета СССи открытийскал наб д,4/...

Номер патента: 705567

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 29/861

Метки: диод, силовой

...прибора, являются предпочтительныМи следующие геометрические размеры 35слоев и областей, выраженные в диффузорной длине неосновных носителей вматериале структуры ( Э = 1): слой3 р-типа на сохраненных участках областей 8 (2-го вида) - 2-4; слой 3р-типа в углублениях областей 7 (1-говида) - 0,1+0,8, слой 2 и - типа -2-4.Размеры областей 7 (1-го аида) и 8(2-го вида) - в поперечном сечении 2+8. Диэлектрическое покрытие 12 областей 8 перекрывает в поперечном сечении на 5-20% длины области 7.На фиг. 2 иллюстрируются процессыв структуре прибора при протекании зарядного тока. Внешнее напряжение прило 50жено к прибору с полярностью - "плюс"на электроде 5, "минус" на электроде 6.Переход 4 смещен в прямом направлении. Зарядный ток поступает от...

Номер патента: 732657

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Вержбицкий, Гольштейн, Прудников

МПК: F28F 13/14

Метки: диод, тепловой

...входной.провод в виде пластины 1 и ной теплопровод 2, выполненные териалов соответственно с высонизким коэфФициентом линейносширения и имеющие в нагретом янин зону 3 контакта, Пластина одвижно закреплена концами 4 и5 в герметичном корпусе б с возможностью прогиба, Выходной теплопровод 2 введен внутрь корпуса б торцом 7, поверхность которого имеет форму, совпадающую с Формой пластины 1 в нагретом состоянии, Пластина 1 подпружинена со стороны выходного теплопровода 2 пластинчатыми пружинами 8. Стенка 9 корпуса б выполнена выпуклой к пластине 1 для обеспече- О732657 и низким коэффициентом линейногорасширения и имеющие в нагретом состоянии зону контакта, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью повыШения температурной чувствительностипри...

Номер патента: 785875

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Остреров, Ткаченко

МПК: G06G 7/26

Метки: диод, идеальный, функции

...первогоОграничивающего резистора 4 и второго выпрямительного диода 5. Общий вы.вод диода 5 и резистора 4 связан снагрузкой.к выходу усилителя 2 подключенадополнительная цепь р состоящая извторого ограничивающего резистора би третьего выпрямительного диода 7,другой электрод которого соединен сшкнОй нулевОго пОтенциалаДиод 5 цепи обратной связи усилителя 2 связан с нагрузкой таким жеэлектродом, каким диод 7 дополннтельной цепи соединен с шиной нулевогопотенциала,К Общему выводу резистора б идиода 7 подключен вход инвертирующего усилителя 8, выход которого черезвторой масштабный резистор 9 подключен к инвертирующему входу усилителя2.Инвертирующий усилитель состоитиэ операционного усилителя 10 и резисторов 11 и 12,Устройство для получения...

Номер патента: 827955

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Гонтарев, Косторнов, Михайлов, Носач, Носов, Присняков, Шевчук, Шиганский

МПК: F28D 15/04

Метки: диод, тепловой

...етия воссоединения Украийц ией нутренцей поверхности корпуженныи на вса 2.При работе теплового диода в направлении неконденсирующий га каемый парами рабочего тела, ска ся в дополнительном газовом резер не препятствует работе диода. Пр же диода в обратном направлениифундирует в участок, где была зона сации при прямом направлении и з его.Недостатками указанного теплда являются значительные габакольцевого зазора между корпузервуаром и наличие дополнителрудования.Цель изобретения - уменьшение габаритов теплового диода. Это достигается тем, что ф конденсации выполнен из н материала. На чертеже схематично из лагаемый тепловой диод. Тепловой диод содержит корпус 1 с зонами испарения ции 3 и капиллярно-порист В зоне конденсации 3 фитил из...

Номер патента: 848961

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков

МПК: F28F 13/14

Метки: диод, тепловой

...теплопровода, причем планка расположена в зоне средней части плас тины.На фиг. пл1осевой разр 2 й диод в момент редла, разрезу н фиг.на фиг. 2,Тепловой диод содержит входной:теплопровод 1 в виде пластины 2, иэо.гнутой эллипсообразно, и выходнойтеплопровод 3. Входной теплопроводвыполнен из материала с высоким коэффициентом линейного расширения, а выходной . - из материала с низкой теплопроводностью.Входной и выходной теплопроводы в нагретом состоянии имеютзону 4 контакта.Части пластины 2, выполненной составной, скреплены между собой планкой 5, имеющей отверстия6 и расположенной в зоне средней части пластины 2. Входной 1 и выходной3 тенлопроводы установлены в корпусе 6.Тепловой диод работает следующим образом.При подводе тепла к пластине 2...

Номер патента: 903591

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Андренко, Мельниченко

МПК: F15C 7/00

Метки: вихревой, диод

...и установлены с возможностью вращения вокруг осей, параллельных оси камеры и жестко связанных с пружинами, подвижно установленными в корпусе вихревой камеры.903591 Формула изобретения Ри Составитель В. фролов алан Техред А. Бойкас Корректор А. Дзят Тираж 729 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5 илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор Г. Ка Заказ 70/17 На фиг. 1 показан вихревой диод, разрез; на фиг, 2 - узел установки лопатки.Диод содержит цилиндрическую вихревую камеру 1, направляющие Г-образные лопатки 2, осевой 3 и тангенциальный 4 каналы, ось 5 лопатки, плоскую пружину 6, расположенную в углублении 7, нижняя 8 и верхняя 9 крышки...

Номер патента: 941848

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков

МПК: F28F 13/14

Метки: диод, тепловой

...входной теплопровод 1 вы-.полнен в виде плоской спирали. Диод име.ет герметичный корпус 3, выполненныйиз теплоизопяционного материалаВходной теплопровод 1 выполматериала, претерпеваюшего обмартенситное превращение, например изсплава никелида титана фНитинолф,содержашего 54-56% никеля и 46-44%титана.Изготавливают входной теплопроводследуюшим образом.Полосу ни ргаютнагреву до 5 ч. имеленно охлажд мп а3 941848мермоцищицювайия - нагрева и охлаждения в интервале температур от 20 доо180 С - полоса приобретает свойствапри нагреве свыше 70 С выпрямляется,а при охлаждении спирально изгибается.Тепловой диод работает следующимобразом,4При подаче тепла на входной теплопровод 1, последний нагревается до заданной точки и, резко выпрямляясь,...