H01L 29/84 — управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления

Номер патента: 549053

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Бронштейн, Кистова, Коробов, Лукичева, Маслов, Мясоедов, Синицын, Сокуренко, Юрова

МПК: H01L 29/84

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...диаметром 50 - 70 мкм. Размеры полупроводникового элемента составляют 7 Х ХО,ЗХО,З ммз, а начальное сопротивление датчика около 1 кОм.Чувствительный элемент датчика изготавливался одним из известных способов. В качестве донорной примеси были использованы элементы И группы Периодической системы элементов, в частности селен и теллур. Чувствительность к давлению периодической структуры определяется величинами коэффициентов чувствительности каждого слоя 2 и 3 и соотношением их толщин и проводимостей согласно следующей формуле 5, + 5,А -+ 5,5 ЛР+ 5,5.,А - М9 1+А - + 5,ЬР+ 5 А -ЬР ) ) где 51 - чувствительность слоя состава х,5, - чувствительность слоя состава,х+Лх,А - отношение проводимостей слоев,Иц 1 - толщины слоев.Коэффициент...

Номер патента: 713444

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Елинсон, Малахов, Покалякин, Степанов

МПК: H01L 29/51, H01L 29/84

Метки: давления, полупровлдниковый

...обусловленный тжмогенерацией у поверхности.Следствие этого - появление неравновесно обедненного слоя у поверхности, т,е. ситуация подобная ЬЬттки" 4 Оконтакту,В то же время иэ-за падения напряжения на слое диэлектрика при переходе от обогащения к обеднению уровеньФерми-металла смещается по направле нию к зоце проводимости, При достиженик уровнем Ферми-края зоцы проводимости, через слой диэлектрика начинают протекать значительные туннельные токи с уровня Ферми-материала электрода ца разрешенные состояния в зоне проводимости полупроводника, Модельцо можно представить, что сопротивление диэлектрика значительно уменьшается к становится меньшесопротивления обедненной области, Поэтому, дальнейшее увеличецие напряжения падает ца...

Номер патента: 1008824

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Канчуковский, Преснов, Сулин, Шенкевич

МПК: H01L 29/84

Метки: механических, напряжений, сигнал, электрический

...расположен по лупроводниковый кристалл 2 с невыпрямляющим (омическим) контактом 3 на пьедестале. На противоположной грани кристалла расположен слой туннельно- прозрачного диэлектрика 4. Со стороны 5 силовведения на туннельно-прозрачномдиэлектрике 4 сформирован слой металла 5. Полупроводниковый кристалл 2,туннельно-прозрачный диэлектрик 4 иметалл 5 в совокупности представляетсобой выпрямляющий контакт. На металле 5 расположен индентор 6 для создания механических давлений. Тензочувствительный преобразователь контактами5 и 3 подключен во внешную цепь, состоящую из источника 7 питания и исполнительного устройства 8. Механическое давление через индентор 6 воздействует на выпрямляющий контакт, в результате чего сопротивление выпрямляющего...

Номер патента: 1716578

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Набоких, Николаев, Никуличев, Трунов, Тытюченко

МПК: G01L 1/18, H01L 29/84

Метки: датчика, контактного, пьезорезисторного, сопротивления, чувствительного, элемента

...оснастки при закрепленииупругих элементов, создание временныхтехнологических перемычек, предварительное расправление электропроводных пластин на плоской и жесткой поверхности перед креплением на них упругих элементов, их строгую геометрическую форму, уменьшает погрешность взаимного расположения упругих элементов на обкладках. В результате при работе чувствительного элемента, например при приложении к нему усилия, все упругие элементы (выступы) вступают в работу одновременно и изменение площади контакта каждого из выступов, обеспечивающее изменение электрическо 510 обеспечивается высокая стабильность электрического сопротивления.На фиг.1 показан чувствительный элемент, собранный предлагаемым способом, общий вид; на фиг.2 -...

Номер патента: 1800505

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Кагарманов, Куватов, Леплянин, Салимгареева, Толстиков, Чувыров

МПК: H01L 29/84

Метки: материал, тензочувствительный

...проведенных испытаний,представленные в табл. 1, показали, что значения электропроводности совпадают дляодних и тех же нагрузок, получаемых как впроцессе роста давления, так и при снижениидавления, Это свидетельствует об отсутствиигистерезиса и способствует повышению измерений, На тензочувствительность продуктов состава (С 2 Н)ь не влияют величиныкоэффициентов полимеризации и в пределах 1600-2100.Результаты испытаний в качестве тензочувствительного элемента продукта состава (С 2 Н)ь, где п=1600, 1920 и 2100,полученного термообработкой при 500 Сполиацетилена аморфной структуры свключением 200( кристаллической гексагональной модификации,Зависимость относительного сопротивления и относительного сжатия образца отвеличины давления при...

Номер патента: 1545877

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Афанасьев, Бритвин, Ваганов, Червяков

МПК: G01L 9/04, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...контактах 4-7 устанавливается напряжение, приблизительно равное половине напряжения питания. При отсутствии механических напряжений в области контактов возникающее при подведении питания электрическое поле обладает зеркальной симметрией относительной осей, проходящих от центрального контакта 3 к контактам 8-11. и при этом контакты 4-7 оказываются лежащими на одной эквипотенциальной линии. Следовательно, выходной сигнал преобразователяравен нулю. При приложении к упругомуэлементу 1 измеряемого воздействия в области контактов возникают механические5 напряжения, приводящие к возникновениюанизотропии проводимости кремния, Первоначальная симметрия электрического поля нарушается. В зависимости отнаправления приложения измеряемого воз 10...

Номер патента: 1591776

Опубликовано: 15.02.1994

Автор: Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: датчик, микроэлектронный

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК, содержащий корпус, мембранный чувствительный элемент, выполненный в виде монокристаллической кремниевой пластины с контактными площадками, расположенными на планарной поверхности пластины вне площади мембраны, тензорезисторов и металлической разводки, крышку-кондуктор, соединенную с планарной поверхностью чувствительного элемента со сквозными отверстиями, расположенными в соответствии с расположением контактных площадок, и жесткие внешние проволочные выводы, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости за счет возможности использования групповых методов изготовления при одновременном уменьшении габаритов и температурной погрешности, повышении надежности, в датчик дополнительно введена втулка со сквозными...

Номер патента: 1482480

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий однородную полупроводниковую пленку, нанесенную на всю поверхность упругого элемента тензопреобразователя, и электрические контакты к пленке, расположенные рядами вдоль направления максимальной тензочувствительности пленки в узлах гипотетической ортогональной сетки с квадратными ячейками, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и уменьшения величины и температурного дрейфа разбаланса, тензопреобразователь содержит не менее трех рядов контактов и трех контактов в ряду.

Номер патента: 1385951

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Ваганов, Случак

МПК: G01L 1/24, H01L 29/84

Метки: датчик, механоэлектрический, микроэлектронный

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК, содержащий выполненный из монокристаллической пластины кремния ориентации { 100 } , жесткое основание, мембрану с двумя жесткими областями в виде островков, отделенных друг от друга и от жесткого основания, ориентированными вдоль направления < 110 > канавками, образующими тонкие гибкие участки, на которых с планарной стороны кристалла расположены тензорезисторы, ориентированные вдоль направления < 110 >, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров, повышения линейности и чувствительности преобразования, мембрана выполнена прямоугольной с двумя узкими щелевыми отверстиями, параллельными друг другу и перпендикулярными направлению канавок, причем щели с двух сторон отделяют...

Номер патента: 1387812

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов, Эрглис

МПК: H01L 29/84

Метки: воздействия, механического, сигнал, электрический

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ, содержащий упругий кремниевый элемент, связанный с опорой по линии заделки и расположенный на упругом элементе полупроводниковый тензочувствительный элемент, содержащий два концевых контакта и два боковых токоотвода, расположенных по обе стороны от продольной оси тензоэлемента, которая сориентирована под углом 45o относительно ближайшей к тензочувствительному элементу линии заделки или касательной к ней для круглых упругих элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в тензочувствительный элемент введена дополнительная область противоположного к нему типа проводимости, расположенная симметрично продольной оси тензочувствительного элемента...

Номер патента: 1393265

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 29/84

Метки: интегральный, тензочувствительный

ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащее упругий элемент и расположенную на нем мостовую схему, включающую две пары комплементарных МДП-тензотранзисторов, включенные в смежные плечи мостовой схемы стоковыми выводами, и четыре тензорезистора, включенных по одному между истоком и затвором каждого из МДП-тензотранзисторов, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, в мостовую схему дополнительно введены два МДП-тензотранзистора, включенных по одному между затворами МДП-тензотранзисторов составляющих противоположные плечи моста, причем затвор и сток каждого из дополнительных МДП-транзисторов соединены между собой, а знак тензочувствительности дополнительных МДП-тензотранзисторов совпадает со знаком...

Номер патента: 1473637

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий упругий элемент с тензорезистивной структурой в виде квадратной ячейки с электрическими контактами, тензорезисторы которой расположены симметрично относительно центра упругого элемента и ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений максимальной тензочувствительности, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и температурного дрейфа разбаланса, тензорезистивная структура выполнена в виде регулярной ортогональной сетки с квадратными ячейками, содержащей по каждой из координат не менее двух ячеек, причем тензорезисторы, расположенные по внешнему периментру сетки, выполнены в два раза уже остальных, а электрические контакты сформированы к каждому узлу сетки.

Номер патента: 1227067

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Кечиев, Меликьян

МПК: G01R 9/04, H01L 29/84

Метки: варианты, его, механоэлектрический, полупроводниковый, стабилизированный

1. Полупроводниковый механоэлектрический стабилизированный преобразователь, содержащий основание, полупроводниковый кристалл и прижатый к нему индентор, образующие тензодиод или тензотранзистор, держатель индентора, узел регулировки силы прижима индентора к кристаллу и усилитель электрического сигнала, отличающийся тем, что, с целью стабилизации чувствительности преобразователя путем регулирования силы прижима между индентором и кристаллом, он снабжен узлом регулирования силы прижима, выполнен в виде прямой, прикрепленной концами к основанию металлической нити, середина которой между точками крепления оттянута зафиксированной к основанию пружиной и соединена второй металлической нитью с держателем индентора, снабженной электронагревателем,...

Номер патента: 1671066

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Козин, Чистякова

МПК: H01L 21/02, H01L 29/84

Метки: величин, емкостного, механических, преобразователя

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЕМКОСТНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН, включающий изготовление верхних и нижних плит из стекла с металлизированными обкладками, формирование центральной платы, содержащей рамку и прикрепленную к ней на утоньшенных перемычках подвижную обкладку, нанесение маскирующих покрытий на исходную пластину кремния, двухэтапное травление пластины кремния в щелочных травителях последовательно в области обкладки для создания рабочего зазора и затем между рамкой и обкладкой до формирования перемычек и сквозных щелей, легирование примесью поверхностей обкладки, соединение плат между собой и присоединение внешних выводов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности преобразователя и увеличения выхода годных,...

Номер патента: 1246833

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Болдырев

МПК: H01L 29/76, H01L 29/84

Метки: полупроводниковый

Полупроводниковый преобразователь на основе полевого транзистора, содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости с областями истока и стока противоположного типа проводимости, между которыми расположен канал, электрод затвора, выполненный в виде металлизированной полупроводниковой мембраны и установленный над каналом с зазором, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона и повышения надежности, электрод затвора жестко закреплен между двумя слоями диэлектрика, которые расположены на подложке за областями стока и истока, в слоях диэлектрика над каналами выполнены отверстия, на верхнем слое диэлектрика параллельно электроду затвора установлен...