Патенты с меткой «кремнии»

Номер патента: 108843

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Ерусалимчик

МПК: B05B 5/08

Метки: контактного, кремнии, невыпрямляющего, покрытия

...наноси. мого металла применяют палладий, осаждаемый из электролита следующего состава: РдС 1 а 2 НаО - 16 г,л; ИН,С 1 - о 0 г,л, ИН,ОН - до р 11 9 - :-10 при температуре 20, катодной плотности тока от 0,25 ло 1,0 Л ол -, анолы - п.атиновые,. Время ОссжлснцЯ 3 - 10 миц.Г 1 роцесс приготовления указанного электролита вес ьма прост; соль паллади и готовом вцле выпускается промышленностью. Электролит работает при низкцк гсмпературах, следовательно, ванна паллалирования не требует специальных подогреваоцикстроцств; скорост ь палладированця выше скорости ролцр вани; и кроме ;ого, палл;дцй несколько дешевлеоо цяЕсли использовать па.гадиевые контакты прц проведении измерений парамет ров слитков кремния, то паллалий после проведения такцк...

Номер патента: 396603

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Павлов, Тетельбаум, Хохлов

МПК: G01N 23/00

Метки: азота, кремнии

...позволяют фиксировать то количество азота, которое может повлиять на характеристики приборов при получении цх цоццо-лучевым методом.Цель изобретения - устранение этого нсдос гатка.Для этого исследуемый образец кремтця, например, р-тица бомбардируют ускоренными ионами неона или любого другого инертного газа, Ускоренные ионы, проникая в крсмний, разбивают растворенные в нем электрически нейтральные азотсодержащие молекулы или 53 Х 4, переводя азот в атомарное состояние. Доза облучения должна быть близкой к граничной дозе аморфизации, Отжиг облученцого ооразца при 600 в 9 С кроме удаления радиационных дефектов приводит к переходу атомов азота из мсждоузлй в узлы кристаллической решетки, где азот проявляет свои донорные свойства, т. е....

Номер патента: 436409

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Кириченко, Курбанов, Угай, Черников

МПК: H01L 21/306

Метки: выявления, грабитель, дислокаций, кремнии

...при,комна гной температуре растворяют в 28 мл дистиллированной воды и добавляют 2 мл концентрированной,серной кислоты, затем добавляют 20 мл плавиковой кислоты (49 - 50%-ной). Нагревают до 35 С н в течение 5 мин с перемешиванием травят на дислокации.,Пример 2. 3,5 г К Сг.О, прои комнатнойтемпературе растворяют в 35 мл воды и до бавляют 4 мл концентрированной серной кислоты, затем добавляют 30 мл плавиковой кислоты (49 - 50%-ной). Нагревают до 30 - 35 С и в течение 3 - 5 мин с перемешиваннем травят на дислокации.15 Насыщенный, раствор, соли двужромовой кислоты в серной кислоте, являясь более сильным окислителем, усиливает гальваничсский эффект растворения кремния в местах выхода дислокаций на поверхность, что позволяет вы являть все...

Номер патента: 585564

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Авраменко, Веселовская, Данковский

МПК: H01L 21/306

Метки: выявления, кремнии, микродефектов, монокристалическом

...занимающихся производством кремниевых монокристаллов,В полупроводниковой промышленности требуются кремниевые бездислокационные моно- кристаллы, не содержащие микродефектов типа кластеров из-за отрицательного влияния кластеров на электрические и другие характеристики полупроводниковых приборов,несколько способов выявления путем травления кристаллов в вой кислотыи раствора хромово- в воде, отличающихся некотом объемов составных частей этих выявления микродефектов ом кремнии, включающий ку образцов в закрытом м растворе, содержащемкислоту и водный расидрида с концентрацией л, взятых в соотношении585564 Формула изобретения Составитель Н. ХлебниковТехред О. Луговая Корректор Ц. Макаревич Тираж 976 Подписное Редактор Е. Гончар Заказ 5058/43...

Номер патента: 894486

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Комаров, Курьязов, Малявко, Соловьев, Тишков, Черненко, Ширяев

МПК: G01N 15/08

Метки: кремнии, нитридных, окисных, пленках, пор, сквозных

...начинают пррекрываться, что ведет к заниженной оценке степени пористости,П р и м е р 1.Проводят контроль пористости пленок в следующих структурах; пластино кремния марки КЭФс ориентацией поверхности (001) диаметрои 60 мм и толщиной 500 мкм с пленкой двуокиси кремния толщиной Оу 12 мки. Структуры помещает в высоковакууиную печь, где с поиощьв натекателя паров гексана поддерживается давление 27. 10 4 Па и на 1,0 мин подни" мают их температуру до 1000 С, при этом в порах на границе раздела пленка подложка в результате химического взаимодействия кремния с парами гексана, проникшими к подложке сквозь поры, образуются включения карбида креиния диаметром -фЗ мкм. Определенная с помощьв металлографичхеского йикроскопа МИРР при 300...

Номер патента: 947233

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Бароненкова, Борисова, Кондрашина, Фролова

МПК: C30B 33/00

Метки: 100, выявления, дислокаций, кремнии, плоскости, травитель

...предлагаемого травителя позволяет испольэовать его для выявлениядислокационной структуры эпитаксиальных слоев кремния, при использовании его для выявления дислокационной структуры в монокристаллах кремния повышается производительность процесса и экономится коемний и химический реагент. 1 ОП р и м е р. 1. Во фторпластовый стакан помешают 49-ого НГ 140 мл и Сг 033,3-ого раствора в воде 10 мл. Полученный травитель содержит 15 , НГ 526 г/л, СгО 23 г/л. Образецэпитаксиальную структуру с кристаллографической ориентацией (100)опускают в травитель и выдерживают 1,5 мин при постоянном помешивании. После этого образец промывают дистил.н Яэ данных таблицы можно сделать выйбд, что оптимальным составом травителя является раствор,...

Номер патента: 999128

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Васильев, Смагулова, Шаймеев

МПК: H01L 21/66

Метки: кислорода, кремнии, содержания

...перестаетбыть линейным, и становится неприменимой формула для расчета концентрации кислорода.П р и м е р 1. Образцы кремнияКЭФ 1 (концентрация фосфора Р =4,210" см , концентрация кислорода,измеренная по методу ИК-поглощенияОл=8,б"10" сми БКЭФ (концентрация фосфора Р =4,2 10"5 см, концентрация кислорода неи з ве стн а, о наменьше предела чувствительности определения кислорода по ИК-поглощению/облучались при комнатной температуреэлектронами с энергией 3,5 РэВ, доза1"10"см , плотность тока 0,4 мкА/смОпределялась концентрация . Аи Е-центров по методике 1 еерече 1гапа 1 еп ьрес 1 гоьсору О(.Т 5 (годитсялюбая другая методика или набор методик, позволяющих измерять концентрации или отношения концентраций А- иЕ-центров). Они оказались...

Номер патента: 649270

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ботвин, Горелкинский, Невинный, Сигле, Чеканов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, проводимости, слоев, создания, типа

...кэВ. Глубина залеганияслоя определяется пробегом протоковв кремнии. Гсли однако, необходимосоздать слой на глубине меньше,чем пробег используемых протонов, то это достигается путем изменения угла падения пучка протонов и плоскости подложки в соответствии с формулой3 л 1 п 0,где О 3Испытание радиационной стойкости проводят на кремнии с проводимостью 5:40 Ом см, который получают путем внедрения "- 10 смпротонов с максимальной энергией 6 МэВ с последующим отжигом при 250 С в течение 20 мин. Исходным материалом служит кремний Г -типа с проводимостью 60-10 Ом см, после отжига при+450 С он инвертируется в И -тип,глубина залегания слоя;пробег протонов в кремнии;угол между направлениемпучка протонов и плоскостьюподложки,Тот факт, что скорость...

Номер патента: 1649616

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Горбань, Завадовский, Тягушева, Шаповалов, Ясинский

МПК: H01L 21/66

Метки: выращенных, диоксида, кремнии, кремния, пленок, пористости, термически, электрохимический

...не происходит. Для увеличения разрешения способа площадь рамки ограничивающая электролит, составляет 6 см. В замкнутую2цепь включают миллиамперметр. От источника питания подают напряжение из расчета 3 В на 0,01 мкм толщины окисла. Во время исследования напряжение в цепи ПДЭ-системы поддерживают постоянным. Через 40-50 с производят измерение тока, протекающего в замкнутой цепи ПДЭ-системы при нормированной площади структуры Б-БхО, ограниченной рамкой, Легко определить предельно допустимую площадь всех пор на исследуемой поверхности окисла. Так, предельно допустимая пористость БхО принята 15 см , следовательно на площади 6 смколичество пор составляет 90. Предельно допустимая площадь пор 649616 4определяющей предельно...

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 1749953

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Виноградов, Дехтяр, Казакова, Савваитова, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, кремнии, примеси

...первому облучению образца при его одновременном линейном нагреве . до 300 С получена информация о точечных и структурных дефектах поверхности, в том числе и свободных связях, т.е. облучение светом с энергией фотона выше фотоэлектрической, работы выхода электрона, но ниже энергии связи кремний - водород позволяет освободить электроны, ток которйх изменяется с ростом температуры, при этом связи кремний - водород не нарушаются.Благодаря охлаждению образца до начальной температуры, при которой образец облучают светом с энергией фотона, равной .энергии разрыва связи кремний - водород, выделяется водород и образуется большое количество оборванных свободных связей. Благодаря третьему облучению образцапри линейном нагреве до ЗОООС...

Номер патента: 1253380

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Веригин, Красик, Крючков, Лопатин, Погребняк

МПК: H01L 21/263

Метки: дефектов, кремнии, отжига

СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ , включающий облучение импульсами заpяженных частиц наносекундной длительности, отличающийся тем, что, с целью улучшения кpисталлической стpуктуpы, облучение пpоводят сильноточным пучком ионов с плотностью энеpгии в импульсе 0,5 - 0,9 Дж/см2.

Номер патента: 1083848

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Иноземцев, Итальянцев, Кузнецов, Мильвидский, Мордкович, Смульский

МПК: H01L 21/322

Метки: кластеров, кремнии, монокристаллическом, ростовых, экстракции

СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, включающий термообработку пластин кремния при температуре 1000 - 1250oС в атмосфере неокисляющего газа, содержащего добавку хлористого водорода, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве неокисляющего газа используют водород, содержание хлористого водорода выбирают в диапазоне 0,5 - 2 об.%, а термообработку проводят в течение 3 - 10 мин.

Номер патента: 1795821

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Гумаров, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: дисилицида, кобальта, кремнии, мезотаксиальных, слоев

...тем, что визвестном способе получения мезотаксиального дисилицида кобальта в кремнии, включающем ионную бомбардировку монокристаллического кремния ионами кобаль та, процесс бомбардировки осуществляютпри плотности ионного тока, превышающей 30 мкА/см, Предложенное техническое ре- .шение обеспечивает возможность создания специального условия для получения мезо таксиального слоя непосредственно во время бомбардировки, Таким условием является повышение средней за период сканировавния ионного пучка плотности ионного тока ) до значений выше 30 мкА/см.40 Такое увеличение ) приводит во-первых, квозрастанию температуры облучаемой подложки и, во-вторых, к повышению плотности радиационных дефектов в приповерхностном слоем, Оба приведенных...

Номер патента: 1289305

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Раппо, Редькин, Старков, Юнкин

МПК: H01L 21/306

Метки: ионного, кремнии, ниобия, реактивного, травления

Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии, включающий обработку образцов в плазме фторсодержащего соединения и кислорода при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления, в плазму дополнительно вводят хлорсодержащее газообразующее соединение при объемном отношении его к фторсодержащему газу (0,1 1) 1 и процесс проводят при плотности мощности разряда от 0,06 до 1,45 Вт/см2.

Номер патента: 1202460

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова, Черепов

МПК: H01L 21/66

Метки: n-p-переходов, глубины, залегания, кремнии

Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии, включающий электрохимическое травление, снятие токовременной кривой электрохимического растворения слоя полупроводника и определение количества электричества, затраченного на растворение слоя полупроводника до обнаружения границы изменения типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, позволяющих измерять глубину залегания мелких n-p- или n+-p-переходов, электрохимическое травление n или n+-слоя проводят при одновременном приложении напряжения 0,5 - 3,0 В к системе кремний n-типа или n+-типа - электролит и прямого напряжения к n-p- или...

Номер патента: 1526514

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: кремнии, примесей, профиля, распределения

Способ определения профиля распределения примесей в кремнии, основанный на измерении С-V-характеристик с использованием переменного тестового сигнала при послойном анодном растворении кремния и определении концентрации примеси по калибровочной зависимости минимальной емкости от концентрации после каждого этапа анодного растворения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона определяемых концентраций примеси в сторону больших значений, измерение C-V-характеристик производят при частоте тестового сигнала в пределах 10 - 40 Гц.

Номер патента: 1762689

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: геттерирования, дефектов, кремнии, примесей

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менеегде W - плотность энергии импульса, Дж/см2;ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см;R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм;d - толщина...

Номер патента: 1435068

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Копецкий, Мессерер, Омельяновский, Пахомов, Поляков, Шаповал

МПК: H01L 21/223

Метки: активных, арсениде, галлия, кремнии, пассивации, центров, электрически

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулыгде Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат ...

Номер патента: 599667

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Палиенко, Чистяков, Шкиров

МПК: H01L 21/306

Метки: кремнии, легированной, оксидной, пленки, электролит

Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной оксидной пленки как источника диффузии для формирования слоев p-типа в кремнии, в его состав дополнительно введена ортомышьяковая кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 5 - 15Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,1 - 0,3Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,001 - 0,01Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 464243

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Король

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-перехода, кремнии

Способ изготовления p-n-перехода в кремнии p-типа путем внедрения в кристалл кремния ускоренных ионов щелочных металлов, например Na, при дозе 10-200 мкК/см2, отжига, например, при 480-550oС и нанесения электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя перехода, после нанесения электродов со стороны p-n-перехода дополнительно внедряют ионы щелочных металлов при дозе 0,1-0,5 мкК/см2.

Номер патента: 1245162

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Король, Крыштоп

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходов, глубоких, кремнии, п-типа

Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см2, а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750oС в течение 25-6 мин соответственно.