Патенты с меткой «xsnxte»

Номер патента: 1028197

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника паров - загружают PbBr2 в количестве 0,1 = 1 г, а отжиг проводят при температуре образца 623 - 873 К и температуре навески PbBr2 573 - 773 К.

Номер патента: 1028198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.