Патенты с меткой «моп»

Номер патента: 289462

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Радковский, Соловьев

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, моп, приборал1типа, присоединения

...металлического электрода, химическое взаимодействие металла с окислом, в результате которых из окисла вытягиваются ионы кислорода, и в окисле образуются кпслородныс вакансии.Образование вакансий в окисном слое приводит к смещению электрических характеристик МОП-структур, что видно из фиг, 1, на которой показаны переходная характеристика 1 МОП-транзистора до приварки выволов, переходные характеристики 2 и 3 того же транзистора после приварки выводов предложенным и известным способами.Целью изобретения является прелотвращегн 1 е смещения электрических характеристик отовых МОП-структур в процессе присоеди 1 ения выводов термокомпрессий. 11 а готовую МОП-структуру 4 со слоем бокиси кре.ния с по.с 1 ощь:о металлпческои разводки 6 и...

Номер патента: 337943

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Карахан, Хот

МПК: H03K 19/094

Метки: irgt, tin»л-юяу"нс, динамический, инвертор, моп, однотактный, пис"на•—, транзисторахвсесоюзная"1-йг, •»м

...устройстве аспо)могательный конденсатор включен между шиной тактовых импульсов и точкой соединения стока разделительного транзистора с источником нагрузочного транзистора, сток которого через запоминающптй,конденсатор соединен с общейшиной.На чертеже приведена принципиальнаясхема, предлагаемого устройства.Транзистор 1 является инвертируютцим, 15Вано,могательный конденсатор 2 и напрузо,чный трапанстор 3 - ,злементы, через которыезаряясается конденсатор 4. Разделительныйтранзистор 5 предназначен для уменьшенияемкостной связи между входом тактовых импульсов и логическим входом схемы. Запоминающий конденсатор 4 подключен к стокунагрузочного транзистора 3 и к общей точкесхемы,Инверсия информации, содержащейся ва 25входе схемы,...

Номер патента: 444306

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Деркач, Попов, Тимошенко, Фролов

МПК: H03H 7/30

Метки: аналоговой, дефицита, задержки, заряда, линии, моп, оконечное, переносом, последовательным, транзисторах

...затвор которого соединен с вы ходом дополнительного каскада задержки,Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в гребенчатых фильтрах и другой р адиоап пар атуре.Известно оконечное устройство аналоговой линии задержки на МОП-транзисторах с последовательным переносом дефицита заряда, содержащее импульсный источник питания и выходной истоковый повторитель.Цель изобретения - устранить в выходном задержанном сигнале несущей тактовой частоты и расширить полосы частот, пропускаемых через линию сигналов.Для этого в усцройстве введен дополнительный каскад задержки с последовательно включенным МО 11-транзистором, между стоком и затвором, которого подключен конденсатор. В выходном истоковом повторителе параллельно первому...

Номер патента: 527740

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Зосимова, Чабуркина

МПК: G11C 11/40

Метки: ассоциативный, запоминающий, моп, транзисторах, элемент

...парафазно обратным кодом на разрядныешины 8, 9 так, что в случае несовпадения хранящейся на емкости и прямого кода внешней информациииз соответствующей р;.зрядной шины 8 или 9 черезодин из транзисторов 1 или 2 потечет ток в адресную шину 5, находящуюся при сравнении на уровнелогического "О;,4Состояние маскирования при сравнении получа. ется, когда на обе разрядные шины 8 и 9 подается уровень логического "0",. В результате транзисторы 1, 2 будут отключены и независимо от состояния емкостей 11 и 12 ток в адресной шине не появится, что указывает на совпадение прямого кода внешней и хранящейся в данном элементе информации.Применение предложенного элемента в ассоциативных запоминающих устройствах позволяет повысить надежность...

Номер патента: 697937

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Тальнова, Хцынский

МПК: G01R 31/26

Метки: моп, напряжений, пороговых, транзисторов

...эталонный резистор, одним выводом соединенный с общей шиной, а другим - с истоком транзистора и инвертирующими входами двух компараторов напряжения, к неинвертирующим входам которых подключены два ис точника опорных напряжений, выходыкомпараторов напряжения через схемыформирования импульсов управлениясоединены с аналоговыми ключами. Такое устройство позволяет иэмерять как пороговые напряжения МОПтранзисторов с индуцированным каналом, так и напряжения отсечки полевых транзисторов с встроенным каналом, причем не только в режиме насыщения, но и в ненасыщенной области,а также независимо от длины каналатранзистора.На чертеже изображена блок-схемапредлагаемого устройства,Устройство содержит генератор 1низкой частоты, клеммы для...

Номер патента: 945878

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Вальтер, Вилли

МПК: G08B 17/12

Метки: двойным, ионизационного, моп, пожароизвещателя, полевым, схема, типа, транзистором, электрическая

...истока 9 работаеткак преобразователь полного сопротивления. На выходе преобразователя пол- .ного сопротивления подключена триггерная схема 11 аварийной сигнализации,благодаря чему обеспечивается надежная работа ионизационного пожароизвещателя, На том же выходе через соединительную клемму 5 одновременно можетбыть. подключен неинвертирующий входоперационного усилителя 12. Втораясистема двойного полевого транзистора типа ИОП 8 работает с сопротивлением 10 как истоковый повторитель,Этот исток соединяется через соединительную клемму б с инвертирующимвходом, а затвор - через соединительную клемму 4 с выходом операционного усилителя 12, Зто совместное вклю,чение может быть использовано как составная часть электроники ионизацион...

Номер патента: 1381694

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Буй, Дедикова, Животовский

МПК: H03K 5/153

Метки: адресных, заднему, импульсного, моп, переднему, сигнала, сигналов, транзисторах, формирователь, фронтам

...достаточной для открытиятранзисторов 11 и 12 и с этого момента времени на затворы ключевыхтранзисторов 13 и 14 поступают потенциалы с первой и второй входныхшин соответственно, это приводит кразряду точки 21 и к переключениюсостояния триггера, т.е. заряду точки 22. Изменение состояния триггераприведет с момента времени С к изменению состояния в цепочках схемы.И-ИЛИ, т.е. разряду точки 27 и кзаряду точки 28. Пусть в момент времени с . в точке 22 установится потен 6циал, достаточный для протекания зарядного тока через транзисторы 18 7 в точку 23. Так как транзистор 6 закрыт уровнем "0" инверсного сигнала, то ток, протекающий через транзисторы 18, 7, идет только для заряда емкости, подключенной в точку 23, Таким образом, с момента...

Номер патента: 1804664

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/82

Метки: конденсаторами, моп

...области р кармана, области ка налоограничения, локальные участки изолирующей (полевой) двуокйси кремния толщиной 1 мкм и затворной двуокиси кремния толщиной 450 А. На изолирующую и затворную двуокись кремния в реакторе низкого давления осаждают первый слой нелегированного поликристаллического кремния.Легируют первый слой поликристаллического кремния диффузией из РОСз до поверхностного сопротивления 20-25 Ом/П . Осаждают первый слой Юзй 4. Осаждают второй слой нелегированного поликристаллического кремния.Далее осаждеют второй слой нитрида кремния, Используя процесс фотолитографии, формируют на поверхности второго слоя нитрида маску и проводят плазмохимическое травление второго слоя нитрида кремния и второго слоя поликремния,...

Номер патента: 1635830

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/336

Метки: моп, поликремниевыми, резисторами

...ТРЯНЗИСЧ ОРД ПРИ 1111111 К 1 аЛа (юацРИЦа затвора) пг) топологии 2 ики рдгцг) 7 ВУ а при Ркислеиии в режиме 860 С, 150 миц вла)аый кислород 2 В.Таким образом, сильное окисление 1 О Необходимо для улучпеция параметров поликремииевых резисторов, однако оцо ухудюает 1 ардистры И 011-транзисторов,Изобретецюе рдзреюГает данное противорепе езозгОжносгью получеюил сильноокислеццых резисторов и сгабокюслеццых илц цсокислецюпгх затворов 11011- транзисторов. Это позопяет гримецять трдцзисторы с дгццоц пиала 3 мки без ухудгпецця падежости схемы и резисто рд с улучеицыгщ зцдгеГилл ТКС, ТКО с термРвреиециой стдбеьцостью и точностью соглдсовдцил соиротивлеций . в делителях.П р ц 1 е р 1. 11 зготовление ште ГРДЭЦЦХ СХЕИ, СОММЕР)гаИХ ПОЛЮКРЕМНИЕ-...

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, моп, схем

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...