Способ изготовления полупроводниковых диодов

Номер патента: 280834

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: C08F 226/02, C08F 8/44

Метки: ион-радикальных, модификации, области, обрабо, относится, поливинилбезилата, поливинилбезилатар1зобретение, полупроводниковых, предлагается, производства, путем, солей, частности

...Поздняк Корректор Т. А. Абрамова Заназ 3437/4 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 Получают продукт темно-синего (почти черного) цвета, на 60 - 70% растворимый в диметилформамиде, ацетонитриле, нитрометане, Он хорошо прессуется, дает прочные пленки из перечисленных растворителей, обладает узким сигналом ЭПР с шириной 2,5 - 2,8 эрст и интенсивностью 5 101 з - 2 10 и саин/г.Электропроводность о простых солей зависит от их состава (процент этерификации) и составляет 10 1" - 10ом смпри энергиях активации проводимости Е 1,6 - 1,8 эв.К 110 4 - 3 10 л М раствору полученной соли в ацетонитрилдиметилформамиде или нитрометане...

Номер патента: 1051623

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Нестюрина, Роздобудько

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: анодным, ганна, диодах, катодного, контакта, контактом, омическим, типа

...работоспособностипредлагаемого способа.Исследовались диоды Ганна, изготовленные на основе арсенидгаллиевойэпитаксиальной структуры типа и - ис концентрацией доноров .в и -области2-410 см , толщиной и областий8-10 мкм. Технология изготовленияконтактов указанных диодов включаласоздание катодного контакта типабарьера Шоттки, ВАХ которого несимметрична, и заведомо омическогоанодного контакта,В качестве источника света использовался лазер ЛГ-1 с длиной волны 0,63 мкм диаметром луча 400 мкм,и 30 мощностью излучения8 мВт.Диод Ганна облучали со стороныкатодного контакта сфокусированнымлучом Лазера. Фото-ЭДС регистрировали между анодным и катодным контакЗ 5 тами диода Ганна вольтметром постоянного тока. Измеренное значение разности потенциалов...

Номер патента: 879605

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Ананьин, Романенко, Стерхов

МПК: G06G 7/26

Метки: функциональный

...связанные 40с низкоомными областями 8 полупроводникового слоя противоположного типапроводимости 3, первый, второй, третий и четвертый входные контакты 9,10, 11 и 12, диэлектрический слой 13, 45разделяющий полупроводниковый слой 3и функционально распределенные резистивные слои 4, 5, высокоомную область 14 полупроводникового слоя 3,Функциональный преобразователь 50работает следующим образом,На контакт 6 низкоомной контактной области 8 полупроводникового слояподают постоянное по величине опорноенапряжение. Выходом преобразователя 55является контакт 7 низкоомой контактной области 8 полупроводниковогослоя 3, потенциал которого, например, тождественно равен нулю при работе функционального преобразователя на операционный усилитель (на...

Номер патента: 74179

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Белогорцев

МПК: E01B 27/02

Метки: балластного, железнодорожного, поверхности, профилирования, пути, слоя

...выполнено в виде щита 1, сц дышлами 2 и располагасмого поперек пути под поднятой рец 1 еткой наклонно к горизонту,При протаскивании тягой Т щита 1 по балластному слою, щнт, благодаря наклонному положению, своими дышлами 2 прижимается к нижним поверхностям шпал, а нижнейкромкой 3 профилирует балластныйслой соответственно толщине и ширине шпал.Для выравнивания сил, действующих на шпалу по ее длине, при прохождении подвижного состава, нижняя кромка щита 1 выполнена криволинейной, причем такой, при которой обеспечивается образование впадины в балласте под средней частью шпал и валика под их кон- цами Предмет изобретения 1. Устройство для профилирования поверхности балластного слоя железнодорожного пути, протаскиваемое под поднятой...

Номер патента: 868525

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Пронин

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, диэлектриков, полупроводниковых, слоев

...подключенного к отрицательному полюсу источника 4, заряд нейтрализуется и слой подготавливается для проведения следующего цикла. 1 ОПри непрерывном сканировании поверхности индикатор 8 регистрирует последовательность импульсов, возникающих в результате электростатической индукции заряда в цепи электрода 6. За счет выбора 15 длительности импульсов генератора 5 при постоянной скорости сканирования слоя 1 размеры заряженных участков выбирают сравнимыми с линейными размерами обнаруживаемых дефектов, поскольку при О этом обеспечиваются оптимальные условия для контроля всего слоя, выражающиеся в том, что необходимо осуществить минимум циклов для точного установления места расположения дефекта (в пределах 25 смещения, равного линейному размеру...