Номер патента: 1119553

Авторы: Бобылев, Калухов, Чикичев

Описание

Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводник из арсенида галлия p-типа проводимости, на котором сформирован барьерообразующий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения потенциального барьера и обеспечения прозрачности, барьерообразующий электрод выполнен из окисла индия, легированного оловом до концентрации свободных носителей заряда 1-8 10 см-3.

Заявка

3604142/25, 10.06.1983

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Калухов В. А, Бобылев Б. А, Чикичев С. И

МПК / Метки

МПК: H01L 29/40

Метки: полупроводниковый, прибор

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1119553-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>

Похожие патенты