Тузовский

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.

Номер патента: 1114258

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Латута, Марончук, Носовский, Тузовский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, подложек, термической

Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают нерабочие стороны подложек до температуры 900 - 1200oC.

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Номер патента: 1773205

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Алешин, Андреев, Кононенко, Краснов, Сушко, Тарасов, Тузовский

МПК: H01G 4/06

Метки: моп-конденсатор, тонкопленочный

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МОП-КОНДЕНСАТОР, содержащий основание из материала на основе кремния, размещенную на нем обкладку из низкоомного монокристаллического кремния и металлическую обкладку, между которыми расположен слой диэлектрика из двуокиси кремния, и контакты к обкладкам, отличающийся тем, что с целью повышения надежности и добротности, в качестве материала основания использован поликремний, обкладка из низкоомного монокристаллического кремния выполнена в виде локальной области приповерхностного слоя поликремниевого основания, изолированной от него слоем двуокиси кремния, причем контакты к обкладкам размещены за пределами локальной области приповерхностного слоя.

Номер патента: 921385

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бабаджанов, Оксанич, Спектр, Тузовский, Шаповал

МПК: H01L 21/66

Метки: меры, образцовой, полупроводниковых, слоев, толщины

...низкая долгове ность меры, обусловлен н ая возмок ность ю от клеи вания пластины от подложки е процессе эксплуатации,ааеВЦелью изобретения является повышение точности воспроизведения толщины и долговечности образцовой меры.Цель достигается тем, что в известном способе изготовления образцовой меры толщины полупроводниковых слоев, основанном на шлифовке и полировке плас;ины из полупроводникового материала до получения номинальной толщины, пластину из921385 Техред М,Моргентал Редактор О. Юркова Корректор Т. Палий Заказ 4637 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 готавливают...

Номер патента: 1636618

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Концевой, Оксанич, Тузовский

МПК: F21P 5/02

Метки: декоративный, светильник

...лампы с точкой пересечения плоскости поверхности зеркала с осью,2. Светильник по п.1, отл ич а ю щи йс я тем, что он снабжен экраном с диафрагмой, расположенным на отрезке и перпендикулярным ему,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЬМПРИ ГКНТ СССР КОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Изобретение относится к светотехнике, а именно к декоративным светильникам.Цель изготовления - повышение декоративного эффекта.На фиг.1 изображен светильник, общий вид; на фиг.2 - пластина с двумерной периодической дифракционной структурой, фрагмент; на фиг.3 - то же, сечение.Декоративный светильник содержит источник 1 света, корпус 2, пластину 3 с двумерной периодической дифракционной структурой, экран 4 с диафрагмой и зеркало 5. Пластина 3 с двумерной...

Номер патента: 1023452

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Горелик, Тузовский, Фомин, Шевченко, Юшков

МПК: H01L 21/00

Метки: кремниевых, механической, ориентированной

...обрабатываемую поверхность,П р и м е р . Согласно предлагаемому способу проводится шлифовка связанным абраэивом монокристаллическихкремниевых пластин с ориентацией поверхности 1100).Для кремния, имеющего кристаллическую. решетку типа алмаза, плоскостяминаилегчайшего скола (плоскостямиспайности )являются плоскости)Н) . Впластинах кремния с ориентацией 100)криоталлографическими направлениямиследов плоскостей спайности 1 Инаповерхности обрабатываемых пластинявляются направленияС 110 ф расположенные в двух взаимно перпендикулярных семействах.Поскольку в настоящее время навсех кремниевых пластинах обозначается направление следов плоскостейспайности в виде базового среза иливзаимно противоположных ориентационных меток для успешного...

Номер патента: 1013744

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Анистратенко, Воронин, Елютин, Оксанич, Тузовский

МПК: G01B 7/28

Метки: пластин, полупроводниковых

...выполнен н виде двух плун,жеров, связанных между собой с помощью стержневого ограничителя срасположенной на нем пружиной, а из-меритель прижимного усилия баэовогостола кинематически связан с плунжерами толкателя,На фиг. 1 представлена блок-схемаустройства, на фиг. 2 -механическийузел, разрез, на фиг, 3 - разрезА-А на фиг. 2.Основными узлами устройства являются механический узел 1 и блок 2обработки и индикации (фиг. 1)Механический узел 1(фиг. 2) состоит из корпуса 3, опорного стола 4 ипозиционера 5, кинематическое замыкание коТорого с приводом 6 выполненопосредством рычага 7 и толкателя 8.Опорный стол 4 зафиксиронан в исходном положении сферическим шарниром 9и тремя подпружинейными упорами 10и нзаимодействует с...

Номер патента: 920093

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Комар, Рульнов, Слепокуров, Тузовский

МПК: E01C 23/14

Метки: бетона, прогрева, свежеуложенного

...вырабатываемая источником 1, подается через волновод 2 и согласующий элемент 3 в облучатель 4. Облучатель 4 представляет собой отрезок волновода с прорезанной в нем прямоугольной920093 Формула изобретения Сост Техре Тираж И Государс делам изо Москва, Ж П Патент, авитель В. Матвед А. Бойкас556твен ного ком итбретений и отк- 35, Раушскаяг. Ужгород, ул Корректор АПодписноета СССРрытийна 6., д. 4/5Проектная,едактор Н. Киштулинецаказ 2278/25ВНИИПпо13035,Филиал ПП ер 3щелью, через которую СВЧ-энергия излучается в прогреваемый свежеуложенный бетон стыков. Неиспользованная энергия сверхвысоких частот, которая по существу теряется в известном устройстве, в предлагаемом устройстве за счет отражения от согласую 5 щего элемента 3 вновь...

Номер патента: 851556

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Скворцов, Тузовский, Устыменко, Щербина

МПК: H01L 21/461

Метки: двусторонней, обработкиполупроводниковых, пластин

...находящихся в обработке, не ограничивается,и более высоким качеством обработкн,"так как словил обработки любой точки пластины идентичны 31.Однако интенсивность и качествообработки, определяемые скоростьюобработки,и удельным давлением на абразив, ограничиваются предельной величиной удельного давления, допускаемого с одной стороны прочностью ленты - носителя абразива, а с другой -5максимально допустимой глубиной нарушенного слоя обрабатываемого материала,Цель изобретения - повышение производительности и качества обработки.указанная цель достигается тем,что в устройстве для двустороннейобработки полупроводниковых пластин,содержащем базовые плиты и расположенныемежду ними носители абразива и 15сепаратор, выполненные : виде бесконечных...

Номер патента: 649647

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Калинбет, Либинзон, Малороссиянов, Тузовский, Хребтищев

МПК: C01B 1/26

Метки: аппарат, водорода, тонкой

...лоьушкп состоит в следующем.Через фланец 12 водород вылит в межтрубнсе простоанство трубчатого ылоднльника, где охлаждается отходящими папами жидкого азота до - 50 - 70 С, затем поступает в камеру змеевнкового холодпльшпа для охлаждения отходящими по змеев 11 ю холодным водородом до - 100 С. Г 1 рп этой температуре происходит глубокое вымораживание влаги и углекислоты.Из камеры змеевикового холодильника водород поступает в змеевик переохлаж. дшшя, где охлаждается до температуры, близкой к температуре:1:.ндкого азота. Затем переохлажденпый водород Входит в угольный сорбент, в котором сорбнруются при этой температуре все газообразные649647 тРедактор Е. МесроповаТехред Н, Строганова Корректор И. Симкииа ф:;Заказ 49/167Тираж 590НПО...

Номер патента: 445683

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Андрусенко, Карасев, Колодин, Кравцов, Кравченко, Курохтин, Рабинов, Тарасов, Тузовский, Чагай

МПК: C10L 9/08

Метки: кокса, прокаливания, электродного

...электрическое сопротивление, что ведет к перерасходу электрической энергии прц получении аломцния.Целью изобретения является оптимизация л условий прокалпванця разнокрупных фракций.Поставленная цель достигается тем, чтофракцию мельче 25 мм вводят в зону нагреваемого потока фракции крупнее 25 мм с 10 температурой 1100 - 1300 С.По предлагаемому способу после предварительного дробления производят классификацию кокса путем грохоченця, разделяя кокс на две фракции; больше 25 мм и меньше 15 25 мм. После этого крупную фракцию направляют во вращающуюся обжиговую печь с холодпого обреза, а мелкую -- в зону печи с температурой 1100 - 1300 С, т. е. в 3- - 15 м от форсункп обжиговой печи. Причем мелкую 20 фракцию подают под слой крупной,...

Номер патента: 168639

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Алешин, Дмитриев, Песоцкий, Скаковский, Тузовский, Шнкгер

МПК: B01D 9/00, B01L 3/04

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, тигель

...от расплава, камера, сообщающа донной части при пом штоком. вания кр тимонид целью о внутри яся с по ощи кан одписная группа М 3 ение относится к области химии ия кристаллов материалов, обрасисную пленку на поверхности расвыращиванзующих о:плава.В настоящее время для выращивания кристаллов применяют тигли без дополнительнойвнутренней камеры. В тиглях такой конструкции трудно выращивать кристаллы материалов, образующих окисную пленку расплава,препятствующую росту крпсталла, например 10кристаллов антимонида галлия.Цель изобретения - обеспечить возможность отделения окисной пленки от расплаваматериала. Достигается это тем, что предложенный тигель выполнен с дополнительной камерой, сообщающейся с полостью тигля припомощи канала, запираемого...

Номер патента: 145224

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Бодров, Гурович, Калинбет, Малороссиянов, Покровский, Тузовский, Хребтищев

МПК: C01B 33/035

Метки: восстановления, кремния

...в реакторе, схема которого показана на чертеже. Реактор состоит из следующих основных частей:водоохлаждаемой металлической крышки 1 с встроенной в нее то коподводами 2, к которым крепятся стержни 3 из полупроводниково145224го кремния; водоохлаждаемого металлического корпуса 4, водоохлаждаемого металлического поддона 5 с встроенными в него токоподводами б для питания графитового нагревателя 7 с графитовой насадкой ч; системы графитовых и кварцевых экранов 9 и 10; снизу реактор имеет крышку 11. При пуске реактора через графитовую насадку 8 начинается подача технологического газа, например водорода (могут быть использованы спектрально чистый гелий, аргон и др.), после чего включается графитовый нагреватель 7 и подается низкое (рабочее)...