Пинтус

Номер патента: 780742

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, структур

Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают с поверхности, имеющей минимальную ширину запрещенной зоны, и в процессе травления на поверхность структуры воздействуют электромагнитным излучением, максимальная энергия квантов которого лежит в интервале от минимального до максимального значения ширины запрещенной зоны исходной структуры.

Номер патента: 816327

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая, Фомин

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, селективного, структур, травления

Способ селективного травления полупроводниковых структур, включающий травление участков полупроводникового кристалла в растворе электролита при приложенном напряжении, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик приборов путем селективного травления без маскирования, травление проводят при напряжении ниже порогового на 0,5-10 В при дополнительном воздействии на структуру лазерным излучением мощностью оптического излучения 1-100 вт/см2 с энергией фотонов, по крайней мере на 0,1 эВ большей ширины запрещенной зоны полупроводника.

Номер патента: 2002879

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Бондарев, Лащавер, Петерс, Пинтус, Туз

МПК: B32B 29/06, D21H 27/34

Метки: бумажно-слоистого, декоративного, пластика

...бумагу с массой 40 г/м, воздухопроницаемостью по Шопперу 3000 мл/мин, гладкостью 25 с ТУ 13-0281041 - 147-91), которую пропитывают моламиноформальдегидной смолой до содержания связующего 65% и летучих 4 ,В качестве внутренних и нижнего слоев пластика используют синтетическую бумагу массой 80-100 г/м 2, воздухопроницаемостью по Шопперу 3500-5000 мл/мин (ТУ 13- 0281041-147 - 91), которую пропитывают карбамидоформальдегидной смолой до содержания связуощего 75% и летучих 2%. Набирают пакет пятислойный и прессуют между гибкими бесконечными лентами при температуре 180-200 С, давления 20-50 бар в течение 10 с. П р и м е р ы 2-6 даны в диапазоне допустимых значений, примеры 10-13 - в диапазоне запредельных значений аналогично примеру 1...

Номер патента: 632269

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Криворотов, Литвин, Марончук, Пинтус

МПК: H01L 21/3063

Метки: галлия, травления, фосфида, электролитического

...Р Ог ис ( 1,. и ы й э а сБ О Р х с 3 с Е )ростьО 3 5 ч,с, в которьй по ружаот от- Рнис 1 Т(ссЬНЫИ ЭГЕКТРОЛ 4. ЗсТЕХ НВИР 5 ЖСЦИС5 куклу эг(с 1 ктролаз 3 3 и 4 ИО 3 ь 1 пск)т ло Ос)- РсЗОВс(НИЯ ЭГ(ЕКТРИсС.СКОГО НРОО)53 В СТРЧКГЗ - рс. 11 ри эточ ток через 0(рдзец 1 резко возРс 1 стс 1 ст, а нс 1 пэЯжс нис на н(. 1 псзлс 1(.т.,10 СТН Х 13 ЭКС РетБЛЬНЫХ ВЕ Ннц, НспР 51- жение и ток стремятся к первоначальным Зо ЗНДЧСПИЯЧ. КсК ТОЛЬКО НБПРЯжЕНИЕ НД ОО.рдзцс лстиаст Величины, неоохоличой лля н р азова 1 Ия п роси) я. процесс ИОВторяс тс 51.:ттот Д 3 ОКЛЕОДтСЛЬНЫЙ ПРОЕСС СОПРОВОж ЛДСГСЯ СЗС)ВЫЧ ИЗЛУЧЕНИСМ В ВЛИХ 031 Н- ,асти сн ктрд.Е)личина напряжения чсж;) электро- )сУ И Б ЧОХЦТ Нс 1 сЛД ПР(30051 СОСТДВ 15 С 1 140 10 Б Б зависим(сги (и...