Патенты с меткой «эпитаксиального»

Номер патента: 182336

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/36

Метки: карбида, кремния, наращивания, пленок, эпитаксиального

...из двух параллельных графитовых пластин: верхней 1 и нижней 2 площадью порядка 50 Х 16 ллз каждая. Зазор меяду ними составляет 10 ллт. Нижняя 5 пластина имеет более высокую температуру,чем верхняя. Испаряемый материал 3 помещен на пластине 2; здесь же установлен дер.алкатель 4 с подложками б. Сбоку на некотором расстоянии от пластин нагревателя рас обложены графитовые экраны (на чертюкене показаны), не препятствующие свободному газообмену в рабочем объеме. Меняя расстоя.ние между экраном и подложками, можно рс.гулировать температуру подложек.15 Крнсталлодержатель б выполнен в виде линейки с последовательно соединенными отдельными держателями 4.Разогрев устройства до температуры порядка 2500 С длится 30 - 50 сек; на поддер жание в...

Номер патента: 339245

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Архиповг, Бабушкин, Веремейчук, Домницкий, Эмке

МПК: H01L 21/36

Метки: наращивания, реактор, эпитаксиального

...для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, в частности германия или кремния.Известны реакторы для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, выполненные в виде стального кожуха (колпака), охлаждаемого водой, внутри которого размещается графитовый подложкодержатель. Подложкодержатель представляет собой полый цилиндр, внутри которого установлен индуктор, состоящий из кварцевого держателя и катушки, причем катушка расположена на внешней стороне держателя. Колпак снабжен штуцерами для подачи рабочего газа. Такая конструкция реактора не обеспечивает достаточной герметизации индуктора от газовой среды, так как создание надежного вакуумного уплотнения между основанием кожуха и вращающимся...

Номер патента: 538639

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь

МПК: H01L 21/20

Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального

...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...

Номер патента: 529697

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Коробов, Лупачева, Маслов, Мясоедов

МПК: H01J 21/20

Метки: источник, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, твердый, эпитаксиального

...состава, причем направление градиента состава будет перпендикулярно направлению перемещения источникаотносительно подложки, а содержание компонента В на расстоянии х от края подложки будет определяться отношепиемФК хЬ35при х=0 содеряание Р=0%;х=/г содержание Р = 100%,Скорость перемещения источника Ъ относительно подложки при данном соотношении переносимого количества компонентов 40должна обеспечивать создание на подложке моноатомного слоя твердого раствора.При наличии двух или 21 г зон источникавремя пребывания подложки под зоной источника, соответствующей содержанию х% 45одного компонента, равноЬКх -Ра время преоывания под всем источникомЬо --Рне должно превышать времени, требующегося для перехода в газовую фазу одного...

Номер патента: 605357

Опубликовано: 25.11.1978

Авторы: Коробов, Кудеярова, Лупачева, Маслов, Мясоедов

МПК: B01F 17/06

Метки: выращивания, эпитаксиального

...изменения состава эон н кассете с загруженным источником вдольодного направления его рабочей поверхности.Источник 1 располагают в кассете 2которая установлена в блоке 3. Подложка 4 для выращивания слоя расположенав блоке 5, Оба блока располагают вреакторе параллельно друг другу с зазором. В процессе осаждения слоя систочника на подложку перенос осуществляют транспортирующим газом, напримерводородом, поданаемым в зазор.Источник компонуют в углубленияхкассеты 2, которые имеют глубину 3 мм,20 полосовых эон шириной 1,5 мм иобщую протяженность 10 мм.Общая рабочая поверхнрсть источника составляет 10 х 30 ем",Зоны располагают в источнике последовательно в порядке возрастания содержания С ее б от С 3 бнс 15 е 099 доСе 16 двбве,4 .Наращивание...

Номер патента: 646389

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Гимельфарб, Коробов, Лупачева, Маслов

МПК: H01L 21/36

Метки: градиентом, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, состава, эпитаксиального

...вдвух направлениях; собственно варизонныйэпитаксиальный слой 8,Таким образом,роцесс наращивания варизонного слоя складывается из трех этапов: наращивание в течение времени т, буферного слоя (фиг, 1, а); наращивание пере.ходцого слоя в течение временит переходного слоя переменного состава в двух направлениях из перемещающегося составного источника переменного состава (фиг. 1, а );наращивание собственно варизоцного слояв течение времени тв из неподвижного источника переменного состава (фиг. 1, б).Согласно предлагаемому способу выращивацце эпитаксиальной структуры с градиентом состава в плоскости роста эпитаксиального слоя производят при использовании твердого источника с градиентом состава по поверхности, скомпонованного в графитовом...

Номер патента: 608376

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Воронин, Дроздов, Коробов, Маслов, Нечаев

МПК: H01L 21/20

Метки: наращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...направлении расстояние между соседними окнами остается неизменным и составляет величину 10 мкм. Таким образом доля плошадей участков, не покрытых защитной пленкой, изменяется от 26 О/о для края, где расстояние между двумя ближайшими окнами составляет 10 мкм, до 15 О/, у противоположного края,Предложенное устройство твердого источника было применено для получения эпитаксиального слоя арсенида галлия с релье фом поверхности в виде клина.Подготовленный источник и подложку закрепляют на держателях так, чтобы поверхность источника с окнами была обращена к подложке из арсенида галлия и их поверхности были плоско-параллельны и отстояли друг от друга на расстоянии 500 мкм. Держатели с источником и подложкой помешают в реактор и нагревают...

Номер патента: 1590484

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Дмитриев, Черенков

МПК: C30B 19/10, C30B 29/36

Метки: роста, скорости, слоя, эпитаксиального

...катодолюминесценцию, Цвет катодолюминесценции эпитаксиального слоя - зеленый,На фоне зеленой катодолюминесценции от эпитаксиального слоя наблюдают две полости, обладающие голубой люминесценцией, характерной для эпитаксиальных слоев Я 1 С - 6 Н, легированных алюминием; Расстояние между этими полосками составляет 9 мкм, Зная фиксированный интервал времени (2 мин) и толщину слоя, выросшего за это время (9 мкм), определяют локальную скорость роста Чрл = 4,5 мкм/мин.Общая толщина эпитаксиального слоя 42 мкм, Средняя скорость роста Чр, определяемая по известному способу, составляет 2,5 мкм/мин,П р и м е р 2. Эпитаксиальный слой выщащен аналогично примеру 1, но рост проводят в диапазоне температур 1640- 1570 С. Интервал охлаждения 70 С....

Номер патента: 1710604

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Баранов, Белов, Дмитриев, Кондратьева, Челноков, Шаталов, Эрлих

МПК: C30B 25/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, кубического, монокристаллических, слоев, эпитаксиального

...процесса выращивания - отсутствие буферного слоя, и позволяет использовать стандартное технологическое оборудование для получе ния эпитаксиальных слоев кремния, так как дает возможность выращивать монокристаллические слои ВС той же толщины, что и известный способ на Ю-подложке при более низких температурах. Температура рос та является одним из основных параметров, который оказывает влияние на качество выращенного слоя, Возможность сохранения монокристалличности эпитаксиальных сло-ев РС при снижении температуры роста до10 15 20 25 30 35 40 Ф 45 50 55 ков, Хотя выращивание монокристаллических слоев ЯС на Я 1-подложке известно, однако для выращивания монокристаллического 9 С на Я-подложках трихлорэтилен не использовался. При этом не было...

Номер патента: 1767582

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Миттенберг, Пашкова, Прохоров, Шаталов

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, слоя, структур, толщины, эпитаксиального

...превышающую значение В//1 да, где а - угол разориентации пластины; ЧЧ - толщина эпитаксиального слоя, определенная по максимальной скорости роста, проводят анизотропное травление через полученную маску до появления на профиле травления плоской части параллельной поверхности эпитаксиального слоя, удаляют маску, а затем по высоте ступени между поверхностью эпитаксиального слоя и плоской частью профиля травления определяют толщину эпитаксиального слоя.В некоторых случаях целесообразно вскрывать окно в виде полос, перпендикулярных базовому срезу структуры, причем ширина полос должна превышать значение Ю/тда. Способ основан на том, что эпитаксиальные слои выращиваются на подложках,имеющих отклонение от плоскости (111) на4 или 8 по...

Номер патента: 1768675

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Варгулевич, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/08, C30B 25/12

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты, под которыми в диске и в основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки, и средства ввода и вывода газов, в нем в сателлитах на стороне, обращенной к диску, выполнены газотранспортные канавки, имеющие форму и угловое расположение газотранспортных канавок в диске и направленные навстречу им.На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг.3 - сечение Б - Б на фиг.1,Устройство содержит реактор, включающий корпус 1 с крышкой 2 и основанием 3, внутри которого установлены два экрана 4 и 5, средстьо ввода ПГС, выполненное в виде трубки 6 для ввода компонентов 3-ей группы с водородом и трубки 7 для ввода компонентов 5 группы...

Номер патента: 1784668

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/12, C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...

Номер патента: 1376633

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Диордиева, Кунакин, Майор, Матяш

МПК: C30B 25/08

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиального

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ соединений А3В5, включающее вертикальный реактор, размещенные внутри него по оси коаксиальные трубки для ввода газовых реагентов, источник элементов третьей группы, закрепленный на этих трубках, дисковый подложкодержатель с подложками, соединенный со средством вращения, и наружный нагреватель, отличающееся тем, что, с целью улучшения морфологии за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев, устройство снабжено вертикальным цилиндром, внутри которого размещен источник элементов третьей группы, снизу цилиндр снабжен подставкой, соединенной со средством вращения, а сверху на цилиндре размещен подложкодержатель с выполненными в нем...

Номер патента: 1788871

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, слоев, эпитаксиального

...1, подложку и раствор-расплав некоторое время (обычно несколько минут) выдерживают в .контакте.Затем подложку с раствором-расплавом при помощи узла для ее закрепления, соединенного с молибденовым штоком, который приводится в движение электродвигателем, перемещают по поверхности нижней пластины графитового корпуса на заданное расстояние, обеспечивая тем самым эпитаксиальный рост в заданном температурном интервале.В качестве материала для изготовления предлагаемого устройства используют графит, При реализации способа нет необходимости удалять раствор-расплав с подложки.Управление толщиной выраженных слоев производят, варьируя толщину раствора- расплава над поверхностью подложки 9 путем изменения величины зазора между параллельными...

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...

Номер патента: 1559970

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, полупроводниковых, растворов, твердых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых твердых растворов путем приведения в контакт подложки с температурой Tn и раствора-расплава с температурой Tp при соотношении температур 100oC Tp Tn 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения непрерывного ряда твердых растворов (Si2)x GaAs4-x на кремниевой подложке, предварительно наносят на поверхность подложки насыщенный при температуре Tn раствор-расплав мышьяка в олове слоем толщиной 100-300 мкм, после чего приводят его в контакт с...

Номер патента: 830962

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/205

Метки: наращивания, пленок, полупроводниковых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.

Номер патента: 1396644

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Волков, Липатов, Рязанов

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, полупроводников, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания полупроводников, включающий введение раствора-расплава в зазор между вертикально расположенными нагретыми подложками, рост слоев на подложках при их вращении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скоростей роста слоев, раствор-расплав вводят в зазор до уровня центра подложек с отклонением не более 0,05Д, где Д - диаметр подложки, а вращение подложек проводят вокруг оси, проходящей через центр подложек перпендикулярно их поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных слоев кремния, процесс ведут при величине зазора между подложками 1,5-15,0 мм и скорости вращения подложек 0,1 - 20,0 об/мин.

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.