H01L 21/208 — жидкостным напылением

Номер патента: 639358

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисовенко, Марончук, Масенко, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: р-п, структур

...в арсениде галлия и его твердых растворах путем изменения температуры соответственно выше или ниже точки инверсии амфотерной примеси.Однако этот способ не пригоден для получения многослойных переходов с толстой площадью р - п-перехода; кроме того невозможно сохранить толщину перекристаллизуемой области, неизменной при значительной глубине перекристаллизации.Известен способ получения р - п-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси.Однако при использовании этого способа с понижением температуры изменяются коэффициенты согрегации примесей, что затрудняет получение структур с контролируемым распределением примесей (и состава твердого раствора) по толщине....

Номер патента: 668506

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Баранов, Бессолов, Лидейкис, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковой, структуры

...расплаве увеличивают от 0,5%до 2,8% в процессе роста слоя, что приводитк возрастанию пересыщения основного распла.ва и уменьшению градиента ширины запретной 25 зоны,Таким образом, данным способоммогутбыть получены полупроводниковые структурыс заданным грациепом ширины запретнойзоны. 30 1. Способ получения полулроводниковойструктуры на основе твердых растворов соединений типа А В, преимущественноба 1 х АРЯЬ, иэотермическим смешиваниемосновного расплава, преимущественно баЯЬнаходящегося в контакте с монокрнсталлической подложкой, преимущественно баЯЬ, срасплавом для пересьпцения, содержащим преимущественно ба, Аг ЯЬ, о т л и ч а ю щ и й.с я тем, по, с целью создания варизонныхструктур с заданным значением градиента шири ны запрещенной...

Номер патента: 669999

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Баранов, Бессолов, Лидейкис, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: варизонных, жидкостной, структур, эпитаксии

...на фиг. 2 - тоже, в процессе эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры переменной толщины; на фиг. 3система по окончании эпитаксиального наращивания полупроводниковойструктуры переменной толщины; наФиг, 4 - система перед началом эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины; на Фиг. 5 - система по окончании эпнтаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины,Приняты следующие обозначения:расплав 1 рабочая камера 2, подложк3, пересыщающий расплав 4, полупроводниковая структура 5.П р и м е р . Процесс созданияполупроводниковой СаА 8 БЬ структуры, ширина запретной зоны которойизменяется по поверхности кристалла,проводят следующим образом,Графитовую кассету...

Номер патента: 928942

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: основе, переходом, полупроводников, структур, типа

...кон 6 - 3 центрации дырок не менее 5 10 см / /мкм).В соединениях А В подвижностьш чэлектронов значительно больше подвижности дырок, например для 1 пАз их отношение составляет 50 при 300 К. Это обуславливает преимущественную инжекцию электронов в р-область.Поскольку вероятность излучательной рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации дырок на диффузионной длине от р-п в перехо, то эффективность излучения р-п-перехода с резким профилем распределения дырок вблизи р-п-перехода значительно (по крайней мере, на порядок) выше, чем в р-п-переходах, полученных известным способом, а наиболее оптимальный интервал легирования, как показывает опыт, находится в пределах 510 - 110 смй . в -3 Указанный состав жидкой фазы определяют на...

Номер патента: 1581786

Опубликовано: 30.07.1990

Автор: Малкин

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Метки: жидкофазной, испаряющегося, методом, растворителя, эпитаксии

...параллельные сквозные канавки так, чтобы вершины канавок образовывали систему параллельных щелей с шириной 10 мкм. Затем пластину термически окисляют до образования на ней прочного окисла 80 2, который защищает ее от раэрущения расплавами и галогенидами.На подложке СаЛя марки АГЧТ обычным методом (со снижением температуры) в тигле предварительно выращивают последовательно буферный слой СаЛз, ограничивающий слой А 1 О СаАз толщиной2 мкм и ограничивающии слой А 1,Са Аз (2 10 см )толщиной 1,3 мкм. После этого температуру стабилизируют на уровне 600 С, полупроницаемую перегородку из кремния прижимают к расплаву галлия, насыщенного мышьяком. Подложку СаАз размещают в углублении ползуна, причем толщина подложки 160 мкм при глубине углубления...

Номер патента: 1674295

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Арсентьев, Васильев, Гарбузов, Журавкевич

МПК: G05D 27/00, H01L 21/208

Метки: гетероэпитаксиальных, жидкофазной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...клапаном, расположенным на фланце реактора 13. Во время движения штока электромагнитный клапан приоткрывается, обеспечивая свободный ход штока в уплотнении, а во время остановок он закрывается, обеспечивая надежное уплотнение штока и предотвращая попадание воздуха в реактор. Такимобразом, предлагаемая установка позволяет перемещать подложку под расплавами спостоянной стабилизированной скоростью заданной величины.П р и м е р, Создана автоматизированная установка для выращивания сверхтонких ( 10 см) полупроводниковых слоевметодом жидкостной эпитаксии на движущуюся подложку;Установка состоит из диффузионной печи "СДО - 125", кварцевого реактора с размещен ной внутри неподвижной графитовой кассетой с подвижной частью (слайдера), которая...

Номер патента: 1726571

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дмитриев, Рендакова, Челноков

МПК: C30B 19/00, C30B 29/36, H01L 21/208 ...

Метки: выращивания, карбидкремниевых, политипа, р-п-структур

...они, по-видимому, иг- давления 3 10 мм рт.ст. последовательнорают роль фактора, увеличивающего 25 ротационным и цеолитовым насосами, авероятность образования ЗС-ЮС, Другой затем втечение 15 мин продували очищенс ественный недостаток метода - невоз- ным водородом. Величину расхода водоможность получать эпитаксиальные слои, рода устанавливали 2 д /ущз,содержащие акцепторную примесь с необ- Осуществляли нагрев тигля с навесками доходимой концентрацией. Это связано стем, .30 500 С, затем в течение 1 ч осуществлялиочто используемый в качестве растворителя отжиг при 500 С,для жижидкостной эпитаксии Оа входит в расо -зПосле отжига увеличивали нагревотущий материал на уровне 10 см и его тигля до 1200 С и в течение 0,5 ч выдерсодержание не...

Номер патента: 1783594

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Василенко, Зеленин, Ковтун, Краснов, Малышев

МПК: H01L 21/208

Метки: пластин

...С, 1090 С) приводило к улету мышьяка с рабочей стороны и,Сначала на нерабочей стороне под- следовательно, к непригодности использо" л бжки; т.е; и ротиво полротивоположной стороне, 35 вания пластин для изготовления светодио,предназначенной для наращивания эпи- дов;таксиальных сло ве светодиодных структур, проведение термообработки при тем 1 950 С)из раствора-расплав- асплава наращивали эпитак- пературах более 900 С (9 0 С, )ч 1 чсиальные слои А 1 о,дбао,1 Аз (х " 0,9) мета- в течение большого времени (0,6 ч;,0 ч)дом принудительногоо о охлаждения 40 не приводило к существенному уменьшеограниченного о ъема р вбаст ора-расплава нию плотности дислокаций в пластинахсо скоростью 0,8 град, в диапазоне темпе- (И 9 8,5 10 -3,10 см ).ратур -...

Номер патента: 1785048

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Литвак, Моисеев, Чарыков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, гетероэпитаксиального, индия-алюминия, наращивания, основе, раствора, слоев, твердого

...А 1-ЗЬ, Использование эвтектики позволяет перейти от гомогенного расплава к безградиентной твердой фазе и, таким образом, получить, далее, беэградиентный четырехкомпонентный расплав ойределенного состава, Отсутствие Однородности именно в твердой фазе не позволяло ранее получать гетероэпитаксиальные слои твердого раствора п-А 1-Аз-ЗЬ, Только используя эвтектический сплав А 1+ ЗЬ, авторамвпервые в миреудалось получить их,Нагрефй интервале 900 С Т1000 С позволяет получить полнестью гомогенный расплав. При Т900 С затруднено равноМерное перемешивание компонентов в жидкой фазе йз-за диффузионных ограничений, Повышение температуры увеличивает скорость перемешивания, но при Т1000 С резко возрастает давление пара ЗЬ над расплавом, что ведет...

Номер патента: 1433324

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Билинец, Головач, Матвеев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: ingaas, p-n-переходом, системе, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С p-n-ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ InAs - InGaAs, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава индий-галлий-мышьяк, приведение его в контакт с лицевой стороной подложки из арсенида индия, принудительное охлаждение системы, формирование p-n-перехода и сплошного индиевого омического контакта к тыльной стороне подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омического контакта и сокращения времени изготовления структур, предварительно тыльную сторону подложки толщиной 120 - 360 мкм приводят в контакт с пластиной сапфира, при температуре 970 - 1030 К лицевую поверхность подложки подвергают контактированию с раствором-расплавом, содержащим 0,01 - 0,06 ат. долей галлия, проводят...

Номер патента: 1556433

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Майстренко, Свиридов

МПК: H01L 21/208

Метки: зон, локальных, металлических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗОН, включающий формирование маскирующего слоя двуокиси кремния на поверхности кремниевой подложки, вскрытие окон в маскирующем слое, приведение поверхности подложки в контакт с жидким металлом-растворителем при температуре 923 - 1423 К и контактирование в течение 0,01 - 10 с, удаление металла-растворителя с маскированной поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения качества зон, вскрытие окон в маскирующем слое осуществляют во время контактирования путем скрайбирования с усилием 0,5 - 2,0 Н, при этом зону металла-растворителя перемещают вдоль поверхности подложки со скоростью скрайбирования, которую выбирают в диапазоне...

Номер патента: 1178263

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРInAs InAs1-x-ySbxPyметодом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое,...

Номер патента: 1788871

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, слоев, эпитаксиального

...1, подложку и раствор-расплав некоторое время (обычно несколько минут) выдерживают в .контакте.Затем подложку с раствором-расплавом при помощи узла для ее закрепления, соединенного с молибденовым штоком, который приводится в движение электродвигателем, перемещают по поверхности нижней пластины графитового корпуса на заданное расстояние, обеспечивая тем самым эпитаксиальный рост в заданном температурном интервале.В качестве материала для изготовления предлагаемого устройства используют графит, При реализации способа нет необходимости удалять раствор-расплав с подложки.Управление толщиной выраженных слоев производят, варьируя толщину раствора- расплава над поверхностью подложки 9 путем изменения величины зазора между параллельными...

Номер патента: 1559970

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, полупроводниковых, растворов, твердых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых твердых растворов путем приведения в контакт подложки с температурой Tn и раствора-расплава с температурой Tp при соотношении температур 100oC Tp Tn 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения непрерывного ряда твердых растворов (Si2)x GaAs4-x на кремниевой подложке, предварительно наносят на поверхность подложки насыщенный при температуре Tn раствор-расплав мышьяка в олове слоем толщиной 100-300 мкм, после чего приводят его в контакт с...

Номер патента: 1589918

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, гетероэпитаксиальных, слоев

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий перемещение насыщенного раствора-расплава с температурой Tр по поверхности подложки с температурой Tп, где 100oC Tр Tп 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышения их качества за счет улучшения планарности, используют насыщенный при Tп раствор-расплав арсенида галлия в олове с добавкой 2 10 ат. германия, а температуру расплава устанавливают в пределах 500 700oC.

Номер патента: 795317

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: экранов, электролюминесцентных

Способ изготовления электролюминесцентных экранов, включающий селективное эпитаксиальное выращивание p-n структур на полупроводниковой пластине, покрытие диэлектриком и изготовление контактных выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения эффективности излучения экрана в полупроводниковой пластине вытравливают сквозные отверстия, на внутренней поверхности и которых выращивают p-n переходы, а оставшиеся отверстия заполняют контактным металлическим сплавом.

Номер патента: 880170

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных р-п-структур на основе полупроводников типа AIIIBV путем принудительного охлаждения раствора-расплава, легированного амфотерной примесью, включающий создание трех температурных зон, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью (1 - 5) 10-2 см/с вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции эпитаксильного наращивания, отличающийся тем, что, с целью получения резко-несимметричных р-п-переходов, улучшения качества структур и приборов на их основе, в первой зоне снижения температуры устанавливают...

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Номер патента: 1083840

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Авдиенко, Богданов, Терещенко, Шелопут

МПК: H01L 21/208

Метки: монокристаллов

Способ изготовления монокристаллов твердых растворов иодат лития-иодоватая кислота наращиванием из водного насыщенного раствора, отличающийся тем, что с целью получения эпитаксиальных структур на подложках Li1-xHxIO3 X = 0,04 - 0,08 ориентаций, наращивание ведут из раствора, содержащего 2 - 26 мас.% иодноватой кислоты, при температуре 40 1oС.

Номер патента: 803747

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

Способ получения полупроводниковых структур, включающий маскирование подложки, создание в маске окон, локальное травление и наращивание в процессе жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества структур, травление подложки расплавом бинарной системы осуществляют через окна маски толщиной 0,2 - 2,0 мм, а наращивание проводят из слоя раствора-расплава толщиной 0,5 - 1,5 мм, нанесенного на поверхность маски.

Номер патента: 683399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов

Способ получения p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии путем охлаждения раствора-расплава с добавкой амфотерной примеси, приведенного в контакт с подложкой, ниже температуры инверсии, отличающийся тем, что, с целью получения p-n-переходов, плоскость которых перпендикулярна поверхности подложки, выращивание производят при контакте раствора-расплава с подложкой по узкой полоске при одновременном перемещении ее по поверхности подложки, причем скорость относительного движения после достижения температуры инверсии по крайней мере в 5 раз больше, чем при температуре выше точки инверсии.

Номер патента: 1091766

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: algaas, гетеролазерных, основе, структур

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе GaAs - AlGaAs жидкофазной эпитаксией на подложках GaAs, включающий приготовление первого раствора-расплава для наращивания слоев AlGaAs, содержащего алюминий, галлий и мышьяк, и второго раствора-расплава для наращивания слоев GaAs, содержащего металл-растворитель и материал насыщения - арсенид галлия, и последующее наращивание эпитаксиальных слоев, отличающийся тем, что, с целью снижения деградации структур, улучшения их электрооптических характеристик и увеличения срока службы, в первый раствор-расплав дополнительно вводят 3-6 ат.% индия, а в качестве металла растворителя во втором растворе-расплаве используют висмут.

Номер патента: 865057

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гудзь, Коновалов, Лисовенко, Марончук, Ходыко

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, пластин

Способ обработки пластин арсенида галлия, включающий их отжиг в градиенте температуры при постоянной средней температуре в течение 1 - 4 часов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пластин - подложек для эпитаксии и структур на их основе, устанавливают величину градиента температуры 473 - 1073 К/см при средней температуре 873 - 1073 К

Номер патента: 1094511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, соединений, структур, типа

Способ получения p-n-структур соединений типа AIIIBV эпитаксией из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, содержащего галлий, висмут, мышьяк, амфотерную примесь IV группы, контактирование его с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия электролюминесцентных приборов в основе структур GaAs и GaAlAs, повышения их квантовой эффективности при низких температурах и смещения максимума излучения в длинноволновую область, в состав раствора-расплава вводят 65 - 90 ат.% висмута, 10-35 ат.% галлия и 0,5 - 5 ат.% германия.

Номер патента: 1009242

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зайцева, Лисовенко, Марончук, Соловьев, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, арсенида, галлия

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 915668

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: варианты, его, структур, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных а основе соединений типа AIIIBV жидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлий и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качестве, вводят второй раствор-расплав со скоростью, удовлетворяющей соотношениюV=Vт/K(T0+5+30),где V - скорость изменения соотношения концентрацией...

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 919540

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: селективных, структур, эпитаксиальных

Способ получения селективных эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы, включающий перемещение подложки, контактирующей с узкой полоской расплава при принудительном снижении температуры, отличающийся тем, что, целью упрощения технологии получения многоэлементарных структур улучшения их качества, снижают температуру со скоростью 5 10-3 - 10-2 град/с, а скорость перемещения подложки устанавливают из соотношенияV=D/L,где V - скорость перемещения подложки, мкм/с;D - коэффициент диффузии компонента, растворенного в расплаве, см2/с;L - линейный размер периода...