Способ обработки эпитаксиальных структур

Номер патента: 480925

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: G01K 7/01

Метки: полупроводниковой, структуры, температуры

...или ее малых отклонений.Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 10 - зС в интервале температур от 50 до +100 С,В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у...

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...

Номер патента: 1059028

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Данилов, Одарич, Рубан

МПК: C30B 1/02

Метки: гранатов, структур, эпитаксиальных

...виде квадратных пластин с размером ребра 7 мм.Образцы разделены на 3 группы и лодвергнуть 1 обработке: первая группа - в окиси гал" лия при различных режимах; вторая - в окиси алюминия лри различных режимах; третья. - в окиси кремния при различных режимах. Контроль парамет. ров после обработки (измерение гра диента показателя преломления в диф. Фуэионных слоях и толщина этих слоев проведен отдельно в каждом образце элипсометрическим методом.П р и м е р 1, Обработка в порошке оксида галлия. Структуру ЖИГ на подложке ГГГ помещают в мелкощюсперсный порошок окиси галлия (в кераммическом тигле 1, тщательно утрамбовывают порошок в тигле и устанавливают его в отжиговую печь. Температуру поднимают по 150-200 оС/ч до 1100 ОС, далее пленку...

Номер патента: 746346

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Кернер, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: максимальной, мощных, структуре, температуры, транзисторов

...в структуре прибора происходят необратимые изменения (измерения проводят с помощью инфракрасногомикроскопа или используя малые приращения температуры окружающей среды исохраняя при этом неизменный электрический режим работы транзистора),Экспериментально установлено, чточисленное значение К практически независит от величины 1 фф и для разныхтипов мощных транзисторов колеблетсяот 0,8 мВ/ С до 1 мВ "/С.Определив значение К, измеряют величину А УЦ 1 соответствующую заданнымзначениям Уко =1 и 1 = 1, и по формуле (2) определяют максимальную тем-пературу в структуре.Многочисленные эксперйментальныеданные показали, что погрешность измерения максимальной температуры по данному. способу не превышает 1504, в товремя как использование известного...

Номер патента: 600483

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: структуры, температуры, тиристоров

...о- ЯАЧр гт Ж)45 Между управяющим электродом и катодом испытуемого тиристора 1 1 см фиг .1) подключают источник постоЯнного упрааляюще).о тока 2 и уста- навливают.ток УЛРавлснин, достаточи)дй д)Я полив го включения береговой липин управляющего алек трода тиристора. Анод и катод испытуемого тирнс. тора 1 соединяют через измерительный прибор 3 для регистращти разности потенциалов Е ,. Между этими электродами В отсутствие специального источника аноДного напряже)пот. В качестт)е термо 10 чувствительного параметра используют 1 тазнс)сть по" тенциалов между анодом и катодом тиристора,Физическая сущность возникновения Е, следуеогцаяь.При протекппщ тока д по р-базе В нее )и. 15 жектируются избыточные электроны и и для со. хранения...