Способ получения селективных эпитаксиальных структур

Номер патента: 881526

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Зарипов, Петрова, Попов, Сухих

МПК: G01D 5/249

Метки: дискретный, объекта, перемещения, сигнал, скорости, электрический

...которое равно2.Ь+Е/где Ь - длина электорода переноса заряда, - расстояние между электродами 3 и 4, Количество электродов 11 решетки превышает количество неподвижных электродов одной фазы ( например, первой Фазы ) по крайней мере на единицу Решетка выпол": 55иена с возможностью перемещения послою жидкого глицерина 13, нанесенного на поверхность диэлектрика 2, исвязана с движущимся. объектом, перемещение и скорость которого контролируются ( на чертеже не показан) . Пере мощение решетки возможно вдоль последовательности неподвижных электродов 3 и 4.Исток 7 подключен к одному источнику питания 14 через резистор 15,Сток 9 подключен к одному источникупитания 16 через резистор 17. Электроды 3, 4 и 11 переноса заряда подключены к...

Номер патента: 982047

Опубликовано: 15.12.1982

Автор: Попов

МПК: G08C 9/04

Метки: дискретный, объекта, перемещения, сигнал, скорости, электрический

...14.Стоки 9 через контакты 10 подключены к .соответствующим каналам трехканального индикатора 15 например, шлейфового осциллографа) и соответственно через резисторы 16, 17 и 18 к отрицательному полюсу источника 19, электроды 3, 4 и 12 переноса заряда подключены к многофазному импульсному источнику 20 питания, причем электроды 3 - к первой фазе Ф, электроды 4 - к третьей фазе ф, а электроды 12 ко второй фазе Ф (источник трехфазный). Затвор 5 подключен к источнйку 21 импульсного питания, затвор 6 -к источнику 22 импульсного питания. 40Для удобства подключения к источникам питания электроды 3 и 4 и затворы 5 и 6 выполнены сплошными (непрерывными) шинами на все три неподвижные решетки 25. 45 1Преобразователь работает следующим образом.При...

Номер патента: 1586457

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Ашуров, Кулагина, Лютович, Хикматиллаев

МПК: H01L 21/265

Метки: гетероэпитаксиальных, кремния, сапфире, структур

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, включающий испарение в вакууме, очистку поверхности подложки ионным травлением и осаждением кремния на разогретую поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества гетероэпитаксиальных структур за счет улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя, полное травление производят с помощью частично ионизированного потока кремния энергией 1-3 кэВ, со степенью ионизации 10-20% при температуре подложки 800-1100oС, а осаждение кремния осуществляют из того же потока с энергией 0,05 0,5 кэВ, степенью ионизации 0,5 10% при температуре подложки 450-700oС со скоростью 0,1-1 мкм/ч.

Номер патента: 1762350

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лебедь, Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/30, H01P 1/32

Метки: вкладыш, свч-устройств, структуре, термостабильный, ферритовой, эпитаксиальной

...граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расширения которой меньше, чем температурный коэффициент расширения материала диэлектрической подложки. 1 ил,ной ферритовой пленке дополнительные упругие напряжения, компенсирующие за счет магнитоупругой связи тепловой уход рабочей частоты,На чертеже изображен общий вид, Изобретение реализуется следующим образом. На подложке 1 из галлий-гадолиниевого граната толщиной 500 мкм эпитаксиально выращена пленка 2 железоиттриевого граната толщиной 15 мкм, на поверхности которой расположены антенны (возбуждающая и приемная). С противоположной стороны подложки 1 с помощью клея жестко закреплена диэлектрическая...

Номер патента: 693430

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Афанасьев, Пакин, Фридлянд

МПК: G11B 15/46

Метки: аппарате, записи, магнитного, магнитной, носителя, перемещения, скорости

...демпфером, сглажива 0- ем низкоастотцые колебания.Рассмотренные ососенности построен ц 5 и работь устрОйства позволяот получить скорость врашения электродвигателя 8 дО единиц ОбОрстов в минуту при зйданнОЙ точцост. из о бр етен ил Ро рмула Устройство для регулировании скорости перемешеция магнитного носителя в аппарате магнитной записи, содержашее блок сравцецпл, входы и и кол которого подклочены соответственно к генератору опорной частоты, датчику скорости и ко входу усилителя мощности, и электродвигатель, на валу которого укреплен ведущий оолик, о т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью повышения точности работы устройства, оно содержит преобразователь цапряжения, электролитический конденсатор и упраияемый регулятор тока; первый...