Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии

Номер патента: 534835

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Кулагин, Румак, Сергеев, Черных

МПК: H01L 21/465

Метки: выявления, кремния, кристаллической, нарушения, поверхности, полированной, структуры, травитель

...используют главным образомдля оценки дислокационной структуры монокристаллического кремния по фигурам травления и для химической полировки кремниевыхпластин с ориентацией 3 1 25 Недостатком травителя являются высокиескорости травления, что приводит к одновременному травлению всей поверхности кремниевых пластин и не позволяет выявлять дефекты предшествовавшей сгадийной механической обработки, а также нарушений кристаллической структуры поверхности кремниевойпластины, ориентированной параллельно плоскости (3.00 при внедрении акцепторных идонорных примесей в кремний,Целью изобретения является повышениеизбирательности к нарушениям кристаллической структуры поверхности кремниевой пластины, ориентированной параллельно...

Номер патента: 1574134

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Казак, Лугина, Миклавская, Надененко, Павленко, Санников

МПК: H01S 3/10

Метки: генерации, импульсов, лазерное, ультракоротких

...первых проходов через нелинейный кристалл 8 с модулированным усилением поле внутри резонатораисполняющего лазера приобретает формуГауссова импульса1 и(т): ехр(-т 2/йи ),где т - время;ЛЬ - полуширина импульса по уровн(с1/е,Импульс исполняющего лазера подвергается двум процессам; уширению из-за конечной ширины спектра усиления вактивном элементе и сжатию благодаря модуляции в нелинейном кристалле 8. Еслиимпульсы Ь(т), генерируемые задающим лазером, имеют Гауссову форму, то форма импульса исполняющего лазера послеусиления в активном элементе 4 и прохождения через нелинейный кристалл 8 имеетвид(Ьти) = Жи +Ь гнус где Ь вус - ши ина линии усиления;2 Го = аг 0 ) - инкремент усиления;згт- козффиц 2 иент нелинейной связи 0=512 л 2 д (Ли -...

Номер патента: 1633319

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Галактионов, Шилоносов

МПК: G01N 1/28

Метки: анализа, лазерного, материалах, микроспектрального, образцов, приготовления, природных, стандартных, твердых, элементов-примесей

...образцов, включающем подбор природного ма 1 эриала, аналогичного исследуемому и свободного от определяемых примесей. и введение примесей, примесь наносят на поверхность материала. 2 табл. глубины взаимодействия лазерного импульса с поверхностью образца) и не вносящим существенных изменений в условия взаимодействия, Измеряя толщину нанесенного слоя, диаметр и обьем кратера, образовавшегося в результате взаимодействия лазерного импульса с поверхностью образца, рассчитывают процентное содержание определяемого элемента в продуктах лазерной эрозии, Рассчитанные концентрации затем используют для построения градуировочных графиков,П р и м е р . Изготовление стандартных образцов для лазерного микроспектрального анализа никеля в пиритах....

Номер патента: 1253380

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Веригин, Красик, Крючков, Лопатин, Погребняк

МПК: H01L 21/263

Метки: дефектов, кремнии, отжига

СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ , включающий облучение импульсами заpяженных частиц наносекундной длительности, отличающийся тем, что, с целью улучшения кpисталлической стpуктуpы, облучение пpоводят сильноточным пучком ионов с плотностью энеpгии в импульсе 0,5 - 0,9 Дж/см2.

Номер патента: 1313254

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Ахметов, Болотов, Гаврошевски, Рихтер, Смирнов, Шмальц, Эмексузян

МПК: H01L 21/263

Метки: атомов, геттерирования, дефектов, металлов, полупроводниках, тяжелых

...мкм, Облучение при 350 К в течение 300 с электронами с энергиейЕ = 3,5 МэВ, дозой Ф = 10 смБ - 2.поверхность окисляют травлением вСРс последуюцей выдержкой на воздухе в течение 70 ч.в -эБдц =7 10 см прий=2 2 мкм,Термообработка 570 К в течение1 ,8 -эБ= 7 10 см при Ь = 2,2 мкм.Облучение при 300 К электронами5 Яс энергией 3,5 МэВ дозой 510 эл/смс последующим отжигом при 570 К в течение 1 ч.БА 1,410 см при Й =- 2,2 мкм,Аналогичный результат получен ипри температуре облучения 280 К.П р и м е р 3. Материал и условия 40приготовления поверхности как и впредыдущих примерах.Б ц = (1,4-15) 1 О см при= 3,4 мкм,Термообработка 770 К в течение д1 ч,941 О см при й =: 394 мкмОблучение при 300 К электронамис энергией 3,5 МэВ дозой 5 10 смс последуюцим...