H01L 27/20 — содержащие пьезоэлектрические компоненты; содержащие электрострикционные компоненты; содержащие магнитострикционные компоненты

Способ усиления поверхностных акустических волн

Загрузка...

Номер патента: 546962

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Лазерсон, Манькин, Посадский, Сучков

МПК: H01L 27/20

Метки: акустических, волн, поверхностных, усиления

...формируют в впдс ленточного пучка в вакууме, направляют параллельно поверхности пьезокристалла н отклоняют от направления 5 распространения поверхностнон акустическойволны в плоскости, параллельной поверхности кристалла, на угол, определяемый соотношени- емСоставитель Н. ФомичевТехред Е. Хмелева Корректор Т. Добровольска Редактор И. Шуби аж 1 д. К 21 аказ 338/9 одписное шография, пр. Сапунова,Усилитель состоит из вакуумной оболочки 1, внутри которой размещен электронный прожектор 2, формирующий плоский электронный пучок, коллектора 3 электронов, пары отклоняющих электродов 4 и 5 и пластины 6 из пьезокристаллического материала с плоской поверхностью, на которой размещены входной 7 и выходной 8 электроакустические преобразователи...

Способ формирования фазоманипулированных сигналов

Загрузка...

Номер патента: 725579

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Арпад, Барнабаш, Янош

МПК: H01L 27/20

Метки: сигналов, фазоманипулированных, формирования

...начальнои точки отрезка на оп- имеется различие по фазе, равное 2 л/2 М,Редел 3 Гемое мддулирующйм сигналом дан Отсюда следует, что необходимыи скачок, ных значение манипулируется фаза сйгна- фазы достигается тем, что в момент моду-ла несущей частоты и, таким образом;-"на ляции счетчик 2 проходит вперед на некоцйходе создается манипулированный по, торое" число шагов, и что отличие по фазефазе сигнал несущейчастоты,:".-="-"-": между следующей после модуляции ступеПредложенный способ объясняется под ни ступенчатого сигнала несущей частоты-робнее схемой, изображенной на,чертеже."и"предшествующей модуляции ступени соПериоды сигнала датчика 1 времейи отсчи- ответствует необходимому скачку фазы,тываются в прямом и...

Полупроводниковый элемент

Загрузка...

Номер патента: 893095

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Карпова, Корнилов, Привезенцев

МПК: H01L 27/20

Метки: полупроводниковый, элемент

...из-за того, что в кристаллах, в которыхвозбуждаются колебания тока типа реком.бинационных волн, вблизи катода локализуется активная область колебаний, Именно ее деформация буцет приводить к изменению частоты колебаний тока. Протяжность этой .области 3 1. р . Отношениерасстояния между планарными контактамик расстоянию между катодом и инценторомдолжно быть не более семи иначе возможно возбужцение колебаний от несколькихактивных областей. Это приведет кнегармоничности выхоцного сигнала ик невозможности преобразования цавленияв частотный сигнал. Размеры инцентораЭ цолжны быть заключены в пределахр С О ( Ыр. Минимальное значение Х)обусловлено йороговой чувствительностьюприбора. Максимальныйразмер выбран изтех предпосылок, что должно быть...

Способ генерации гиперзвуковых волн

Номер патента: 1036214

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Чаплик, Яковкин

МПК: H01L 27/20, H01L 29/02

Метки: волн, генерации, гиперзвуковых

1. Способ генерации гиперзвуковых волн путем воздействия электромагнитного излучения на пьезополупроводник, отличающийся тем, что, с целью обеспечения непрерывной генерации когерентных гиперзвуковых волн с сохранением линейной зависимости их интенсивности от интенсивности воздействующего излучения, на поверхности пьезополупроводника создают двумерно-проводящий слой и в нем возбуждают двумерную плазменную волну ленгмюровского типа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что двумерно-проводящий слой выполняют в виде полупроводниковой пленки.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что двумерно-проводящий слой выполняют в виде инверсионного канала в структуре металл-диэлектрик-полупроводник.