Патенты с меткой «p-n-структур»

Номер патента: 880170

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных р-п-структур на основе полупроводников типа AIIIBV путем принудительного охлаждения раствора-расплава, легированного амфотерной примесью, включающий создание трех температурных зон, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью (1 - 5) 10-2 см/с вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции эпитаксильного наращивания, отличающийся тем, что, с целью получения резко-несимметричных р-п-переходов, улучшения качества структур и приборов на их основе, в первой зоне снижения температуры устанавливают...

Номер патента: 1009242

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зайцева, Лисовенко, Марончук, Соловьев, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, арсенида, галлия

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.

Номер патента: 971041

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пивоварова, Рудая, Спектор

МПК: H01L 21/66

Метки: p-n-структур, электролюминесцентных

Способ контроля электролюминесцентных p-n-структур, включающий измерение интенсивности электролюминесцентного излучения со стороны эпитаксиального слоя, отличающийся тем, что, с целью неразрушающего контроля толщины p-n-областей электролюминесцентной структуры, дополнительно измеряют интенсивность электролюминесцентного излучения со стороны подложки и по отношению определяют толщину p-n-областей.