Корчков

Способ изготовления полупроводниковых диодов

Номер патента: 711947

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Корчков, Михайловский, Черепов

МПК: H01L 21/24

Метки: диодов, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществляют путем электрического пробоя слоя диэлектрика при напряженности поля 105-107 В/см и плотности тока 106-107 А/см2.

Электронорезист

Загрузка...

Номер патента: 1078399

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Басенко, Воронков, Данилович, Корчков, Мартынова, Мирсков, Рахлин

МПК: G03F 7/26

Метки: электронорезист

...ЭЛЛИС). В результате воздействия электронов на полученный таким образом слой в нем формируется скрытое изображение за счет способности предлагаемых материалов полимеризоваться под воздействием электронного облучения.Экспериментально установлено, что наиболее чувствительными к действию облучения являются слои на основе аллил- и винилсилатранов. Изображение проявляют путем вакуумного термического реиспарения, для чего под" ложку с пленкой выдерживают в том ;же вакууме в течение 10-15 минопри 110-140 С. При этом не подвергшиеся воздействию облучения участки чувствительного слоя реиспаряются с поверхности подложки.В результате проведенных экспериментов установлено, что рельеф, полученный на пленках метил- и хлорметилсилатрана является...

Винилстибинсилсесквиоксан в качестве материала, чувствительного к действию электронного облучения и источника диффузанта сурьмы, и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 1067000

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Корчков, Мартынова

МПК: C07F 7/21

Метки: винилстибинсилсесквиоксан, действию, диффузанта, источника, качестве, облучения, сурьмы, чувствительного, электронного

...в течение двух часов,охлаждают и выдерживают при 0 С ещев течение 30 ч. Выпавший осадок отфильтровывают, сушат на воздухе иподвергают очистке, аналогично примеру 1.Выход составляет 4,2 г (20 отзагРузки)25Найдено,В: С 24,00 у Н. 3,0.81Яз. 28,08 у ЯЬ 17,50 у Сй О,ОС,Н,) Я 1 ЯЬО 1 30 Полученную после экспонирования и проявления защитную маску подвергают отжигу в диффузионной печи при 400-600 фС в течение 0,5-3 ч. На полученных структурах снимают вольт-амПерные характеристики (ВАХ) . Анализ ВАХ показывает, что они имеют веитильный характер, что свидетельствует о диффузии сурьмы в поверхность кремниевой подложки, Оцененная по СН Я 11 ЯЬОВычислено,Ф: С 24,04; Н 3,00;Я 1 28,05 У ЯЪ 17,401 СВ О.МВ (определенный масс-спехтрометрически) 700, МВ...

Электронорезист

Загрузка...

Номер патента: 1056123

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Игнашева, Калошкин, Корчков, Мартынова

МПК: G03C 1/68

Метки: электронорезист

...и толщины защитной маски,Наличие сурьмы в полученных защитных масках и их высокая термостабильность открывает новое Функциональное назначение резиста - возможность использования его в ка- . честве истоцника диффузанта сурьмы в полупроводниковую подложку и менять тип ее проводимости.П р и м е р 1, Получение защитной маски негативного типа и р- п перехода.Пленку чувствительноГо слоя наносят на установке УВНР 2, для чего 0,2 г (винил,стибин) силсес" квиоксана помещают в испаритель тигельного типа и напыляют на холодную подложку кремния Р -типа, расположенную над испарителем на расстоянии 20 смРабочий вакуум в камере 10 мм рт,ст , время испарения вещества 2 мин. Температуру испарителя изменяют от 20 до 150 С в следующем режиме:;30-140 С...

Способ литографии

Загрузка...

Номер патента: 1045312

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Васичев, Корчков, Мартынова, Почтарев

МПК: H01L 21/312

Метки: литографии

...вакуумного испарения, т.е, в условияхПреимущественной понерхностной миграции. Достичь такой ситуации ранномерным нагревом невозможно, так как всеточки поверхности будут иметь одинаковое значение энергии. Поэтому наличие направленного градиента температуры улучшает условия миграции испаряющихся молекул,Вопрос о направленности преимущественного градиента температуры решается исходя из условий качествапроявляемого изображения, Если градиент температуры будет направленот центра к перифериен подложки, томиграция модекул будет направленак центру, следовательно, будет происходить дополнительное загрязнениепроявленного иэображения за счет эфФектон термической полимеризации либо кластерообраэования в газовой Фазе. В случае градиента...

Способ выдувки доменной печи к среднему ремонту

Загрузка...

Номер патента: 1027212

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Верховцев, Горбунов, Домнин, Карташов, Корчков, Курбацкий, Лежнев, Манаенко, Терентьев, Яковлев

МПК: C21B 5/00

Метки: выдувки, доменной, печи, ремонту, среднему

...ца нормальный режим после сред.него ремонта и увеличенный расход кокса.Пельо изобретения является снижение затрат при капитальном ремонте и уско 30 рение вывода доменной печи на нормальный режим работы после задувки.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу вьдувки доменной 35че щ к среднему ремонту посредствомвведения в пихту сварочного шлака и снижения основцости домецного шлака, сварочный шлак вводят в иихту в смеси скварцитом в соотношении 3;1 - 101 40при расходе кварцита 7-18 кг/м полезного объема печи в сутан в течеьне 3 сут до остановки,Использование в качестве добавкисмеси фракционированного сварочногошлака и кварцита вместо марганцевойруды снижает стоимость затрат, связанныхс капитальньпремонтом,Соотношение...

Фоторезист для сухой вакуумной фотолитографии

Загрузка...

Номер патента: 983835

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Белый, Корчков, Мартынова, Точицкий

МПК: H01L 21/02

Метки: вакуумной, сухой, фотолитографии, фоторезист

...и может быть использовано в производстве интегральных микросхем,Известны кремнийорганические соединения, которые используют в методе сухой электронолитографии,Метод сухой электронолитографии сводится к следующему: на подложку наносятс помощью вакуумного термическогоиспарения, чувствительный слой, облучаютслой электронным. лучом, удаляют необлученные участки слоя реиспарением в вакууме Г 1 3.Недостатком, известных веществ, используемых в качестве материала чувствительного слоя, является их нечувствительность к ультрафиолетовому излучению, что не позволяет реализовать методсухой фотолитографии. п 1 983835 13 98383 в нем формируется изображение за счет свойства предлагаемых материалов полимеризоваться под воздействием...

Вакуумный сублимационный аппарат

Загрузка...

Номер патента: 946577

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Гранкин, Гудкова, Корчков, Мартынова, Семянников

МПК: B01D 7/00

Метки: аппарат, вакуумный, сублимационный

...излучения нанего и повышения степени очистки,сборник конденсата расположен соосноиспарительной камере,а испарительная камера размещена внутри нагревательного элемента закрепленногона ее стенках, снабжена размещенным по оси и прикрепленным одним концом к днищу стержнем, свободныйконец которого выполнен конусообразным, причем в перегородке выполнено соответствующее конусообразному концу стержня отверстие, в котором расположен с образованием кольцевого канала этот конецИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРУ 601018, кл. В 01 Р 7/00, 1978,2Авторское свидетельство СССРР 710665, кл, В 01 Р 7/00, 1980. нагревательный элемент, сборник конденсата расположен соосно испари, тельной камере,...

Испаритель

Загрузка...

Номер патента: 910842

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Гранкин, Гудкова, Корчков, Мартынова

МПК: C23C 13/12

Метки: испаритель

...нагрев происходит внизу тигля 1 за счет того, что более плотный шаг(плотная45 намотка) расположен внизу нагревательного элемента 9 втулка 2,дно 3 тигля 1 прогревают практически одно" временно до той же температуры, что и боковые стенки тигля 1, в это же50 время прогревается и испаряемое вещество, контактируемое с ними. Достигнув температуры сублимации, вещество начинает испаряться. Внутри тигля 1 создается давление паров испаряемого вещества, но истечение молекулярного потока через зазор 7 и выходной канал 4 не происходит, так как температура крышки 5 тигля 1 пока еще ниже,чем температура остальных элементов испарителя; за счеттого, что толщина ее больше толщиныдна З,а наиболее интенсивный нагревпроисходит в нижней части тигля 1.Это...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 551362

Опубликовано: 25.03.1977

Автор: Корчков

МПК: C12B 1/10

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...устройствами в виде турбинки 5, заключенной в конические тарелки 6.3поверхности ребра 1 2 для придания им большейпрочности.Для подачи аэрируюшего газа на поломвалу 4 радиально укреплены трубки 13, расположенные над и под турбинкой 5.5В верхней части цилиндрической емкости1 на полом валу 4 укреплен диск 14 длягашения пены, На полом валу 4 над диском14 выполнены отверстия 15 для рециркуляции аэрируюшего газа,Аппарат снабжен приводом 16 для вращения вала 4, а также всеми необходимымиштуцерами (для подачи питательной среды,воды, вывода готового продукта) и приборами контроля ведения процесса выращивания микроорганизмов (на чертеже не показаны. ).Аппарат работает следующим образом.После заполнения аппарата питательнойсредой производится ее...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 461113

Опубликовано: 25.02.1975

Автор: Корчков

МПК: C12B 1/10

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...чем лопасти имеют форму трапец дачи газа для аэрации на валу укреплены трубки, выполненные трубков 8 и 9, соединенные муф уплотнения использованы проклад жимная гайка 12,Трубки расположены над и п Аппарат снабжен приводом 1 ния вала 2, а также всеми н штуцерами (для подачи питате воды, вывода готового продукта ми контроля ведения процесса микроорганизмов,В верхней части емкости 1 на укреплен диск 14 для гашения пе валу 2 над диском 14 располож 15 для рециркуляции аэрирующ Аппарат работает следующим образом.После заполнения аппарата питательной средой производится ее стерилизация и засев культурой микроорганизмов. Затем приводится во вращение вал 2, жидкость входит через верхнюю и нижнюю горловины конических тарелок.4 и лопастями 5 - 7...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 424876

Опубликовано: 25.04.1974

Автор: Корчков

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...22 и 23. Клапан 24 регулируетпоступление жидкости из емкости 1.Работает аппарат следующим образом.Открываются окна 15,за(борных труб 5, после чего в емкость 1 подается питательная среда (в количест(ве, обеспечивающем надежнуюработу цир(куляционной системы, и произ 1 водится за(ссв (микроорганизмов.Затем (включаются насосы 10 для,перекачкисодержимого сосуда-смесителя 7 в инжекторы11,и аэраторы окоторые начинают подсасывать газ из атмосферы по трубопроводам 21,В результате уровень жидкости в сосуде-смесителе 7 по(нижается, и регулятор 18 подаетсоотвейст(зующий сигнал на открытие,или закрытие клапана 24 регулирующето поступление .жидкости.Отюрываотся задвижки 22 и 23 аэраторов13 и включаются их двигатели (на чертеже непоказаны) ....

319238

Загрузка...

Номер патента: 319238

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Корчков

МПК: C12M 1/02

Метки: 319238

...насос,15 откачивающий газ из резервуара 5, реле 18временисообщенное с устройством 8, и электромотор 13, приводящий в движение мешалку14 и лопасти пеногасителя 15,По истечении заданного воемеии реле 1820 переводит устройство 8 в положение, при котором емкость 4 сообщается с резервуаром 5.Газ, находящийся в емкости 4, быстро перемещается в резервуар 5, в котором поддерживается низкое давление. Коробка 19, сообщен 25 ная капилляром 20 с емкостью 4, подтягивает шток 21 системы 9. Шток 21 занимает верхнее положение, подтягивая груз 22 и разобщая емкость 4 с системой 2, Лоток 23 такжеразобщается с отводным патрубком 24. На 30 сос 3 замыкается на себя.Изд.958 Подписное тета по делам и открытияЗаказ 2188/3Тираж 448ЦНИИГ 1 И Комизобретенийпрн...

Способ выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 305183

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Корчков

МПК: C12N 1/00

Метки: выращивания, микроорганизмов

...последней из культуральной жидкости, которая одновременно насыщается газами, необходимыми для роста микроорганизмов.Извлечение рпроводится из т кости, которая находится в рециркуляционнои системе впс аппарата, путем резкого снижения давлсния, например, вакуумированием с одновременно лиминациеи всех растворенных ь жидкости газов. 11 осле этого В кулэтуральную жидкость сразу же подается, папри.ер, посредством барботажа газовая смесь, свооодная от двуокиси углерода, но включающая такие газоооразные компоненты, как кислород, азот, метан, этанпропан, бутан и прочие, которые неооходимы для жизнедеятсльности клеток микроорганизмов.сдругими словамп, организуется процесс систематического вымывания продуктов метаболизма и, в частности, легко...

Аппарат для выращивания аэробных микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 291952

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Корчков

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, аэробных, выращивания, микроорганизмов

...регулирующая трубы и всасывающая линия пасоса снабжены вентилями,На чертеже схематично изображен описываемый аппарат. 30 Он состоит из емкости 1 с инжекторами-аэраторами 2, циркуляционных трубопроводов 3 с насосами 4 и воздухоподводящей трубой 5; закрытого цилиндрического смесителя б, снабженного механическим пеногасптелем 7; плавающей воронки 8, служащей для сбора пены и подачи ее по центральной трубе 9 в смеси- тель б и заборной системы.Заборная система аппарата представляет собой несколько заборных труб 10, нижние концы которых через вентили 11 соединены со смесителем б, через дополнительные трубы 12, на которых имеются вентили 13, - с всасывающими патрубкамп насосов 4. Патрубки насосов через вентили 14 соединены с нижней...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 290910

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Корчков

МПК: C12M 1/02

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...11 чсской емкости аппарата пустойлабиринт.Диффузор н вал вращаются в противоположные стороны, что обеспсчивает высокуюстепень турбулпзацин,Аппарат работает следующим образом,После заполнения через патрубок 14 включают нижний привод (на чертеже обозначентолько вал 6 ги 1 жнего привода), начинающийвращать дпффузор. Включают электродвига 30 тель 11, приводящий во вра 1 цецие вал 8 н по)5 20 25 30 дачу газа, поступающего к вращающемуся аэратору 9. Газ, выходящий из аэратора, устремляется вверх, насыщая жидкость Образовавшаяся сверху пена выходит через окна 15 крышси 1 б и расходится в стороны, попадая в зону вращения лопаток пеногасителя 12, при этом пела разрушается и отбрасывается на влутреннюю стенку кожуха 2; стекая вниз, пена...

Установка для газовой ферментации микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 240935

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Корчков

МПК: C12M 1/04

Метки: газовой, микроорганизмов, ферментации

...нагнетками, струйну.О зованием эже Известны установки для газовой ферментации микроорганизмов, содержащие герметичный сосуд с вмонтированными в его днище теплообменником, нагнетающими и перепускными патрубками, струйную систему аэрирования с использованием эжектора-аэратора и замкнутую систему циркуляции жидкости и газа.Предлагаемая установка отличается от известных тем, что верхняя часть внутренней поверхности герметичного сосуда установки выполнена по форме полусферы, а эжектор-аэратор установлен внутри сосуда таким образом, что его всасывающие окна расположены на некотором расстоянии от верхнего уровня теплообменника, а его наконечник расположен с зазором по отношению к внутренней поверхности сосуда. Такое выполнение...

212944

Загрузка...

Номер патента: 212944

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Корчков

МПК: C12M 1/04

Метки: 212944

...дозревание дрожжевой суспензии, связан со значительным перемещением больших объемов производственных жидкостей, циркулирующих от одного аппарата к другому,Предлагаемый способ снижает энергетические затраты и интенсифицирует процесс производства дрожжей. Это достигается тем, что перед дозреванием дрожжевой суспензии производят ее сгущение при переводе ее из-ферментера в дозреватель.На чертеже изображена схема осуществления описываемого способа выращивания кормовых дрожжей, например, на углеводородах нефти, с использованием сгущающих дрожжевую суспензию аппаратов.Схема содержит ферментер 1, сгустители 2 дрожжевой суспензии, дозреватель 3, насосы 4, эжектор-смеситель 5, центробежный сепаратор б.Выращенные в ферментере дрожжи непрерывно...

Флотационный аппарат для выделения микроорганизмов из сброженных субстратов

Загрузка...

Номер патента: 212943

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Корчков

МПК: C12M 1/09

Метки: аппарат, выделения, микроорганизмов, сброженных, субстратов, флотационный

...разделенной вертикальными перегородками 2, доходящими до дна, на ряд секций 3; разделителей 4 пены и жидкости, установленных над каждой секцией (по наружной ее поверхности) и выполненных в виде сопряженных полусфер; эжекторов 5, направленных вверх по касательной к внутренней полости разделителеи и подключенных к всздухопроводу б патрубками 7 с вентилями 8; воронки 9, наконечника 10, имеющего отводной патрубок 11 с отверстиями 12; механического гасителя пены, выполненного в виде пропеллера 13 и электродвигателя 14. Пере 212943городка 15 между первой и последней секциями выполнена выше других.Аппарат работает следующим образом.От электродвигателя 14 приводят во вращение пропеллер И Через штуцер 1 б в первую секцию 17 подают субстрат....

Культивирования аэробных микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 188445

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Корчков

МПК: C12M 1/00

Метки: аэробных, культивирования, микроорганизмов

...срабатывание устройств для гашения пены.Если же необходимо обеспечить одновременное срабатывание этих устройств, то трубы 23 каждой емкости подсоединяют к одному источнику подачи жидкости в резервуары 10, объем которого должен быть не меньше суммы объемов всех резервуаров 10 колонны.Работает предложенная установка следующим образом, По трубе 2 дрожжевая суспензия поступает в нижнюю часть верхней емкости 1. Здесь с помощью теплообменника 7 регулируется температура суспензии. По трубе 5 (этой же емкости 1) под сетку-барботер 3 нагнетается воздух. При этом сетка создает сопротивление проходу его, в результате чего в нижней части этой емкости возникает избыточное давление, и дрожжевая суспензия по трубам 1 б перебрасывается на...