Способ обработки полупроводниковых соединений pbte и pb1 xsnxte

Номер патента: 1141323

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Гаев, Глазов, Павлова

МПК: G01N 25/10

Метки: ампула, давления, пара, расплавами

...между термопаройи расплавом, имеющийся в известномустройстве.На чертеже показана ампула врабочем положении,Ампула содержит рабочую камеру 1для исследуемого вещества, соединенную с демпферной камерой 2 посредством капилляра 3. Демпферная камера 2 соединяется с одной стороны срабочей камерой 1, а с другой стороны - с вторым капилляром 4, запаянным с противоположного конца, накотором ненесена риска 5. В рабочейкамере 1 имеется углубление под диф"Ференциальную термопару 6. Ампулапомещается в металлический блок 7,который держится на кронштейнах 8.Шток 9 зацепляется за конец эффузионного канала, Вся конструкция помещается под кварцевым колпаком 10.в нагревательную камеру 11, Диаметры капилляров составляют 0,5 мм. Ампула изготовлена из...

Номер патента: 1745080

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Богатырев, Журавлев, Потемкин

МПК: H01J 27/04, H01J 27/22

Метки: ионов, источник, металлов, паров

1. ИСТОЧНИК ИОНОВ ПАРОВ МЕТАЛЛОВ, содержащий холодный полый катод в виде цилиндрического стакана с осевым отверстием в дне, анод, выполненный в форме полого цилиндрического стакана, обращенный своим основанием к днищу катода, в котором выполнено отверстие, соосное с осевым катодным отверстием, и диаметром, большим диаметра катодного отверстия, стержень с наконечником из ионообразующего металла, установленный со стороны анода вдоль оси симметрии источника, электромагнитную катушку и многоапертурную ионно-оптическую систему, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации ионов металла в потоке ионов и ресурса источника ионов, стержень с наконечником установлен на расстоянии l = (1 - 3) d от дна катода, где d - диаметр катодного...

Номер патента: 1755912

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Зун, Исаков, Коломиец, Подоляко, Чернолуцкий, Шейко

МПК: B01J 8/00

Метки: аэрозолей, веществ, газов, органических, отбросных, паров

...2, 3, регулирующие клапаны на подводе воздуха 13, газопроницаемые решетки для удержания насадки и катализатора 14,Устройство для очистки отбросных газов от паров и аэрозолей органических веществ работает следующим образом,Отбросные газы от технологического объекта - источника вредных выбросов, например, от печи обжига обмоток электродвигателей поступают на очистку в устройство через патрубок 10. В зависимости от положения перекидного устройства 5 газы поступают в корпус 1 на насадку допустим) 2, Проходя через насадку 2, аэрозоли (в данном примере) фенолформальдегидной смолы и продуктов ее термодеструкции конденсируются на холодной лобовой поверхности насадки 2, часть из них попадает на обогреваемое воздухоподводящее устройство 6, на...

Номер патента: 1774400

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Водаков, Вольфсон, Мохов, Роенков, Семенов

МПК: H01L 21/363, H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...

Номер патента: 316378

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Виолин, Водаков, Кмита, Круглов, Ломакина, Маслаковец, Мохов, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...прибора в области низких температур наличие сильнолегированного низкоомного р . слоя, Такой слой позволяет эффективно инжекти. ровать носители заряда со стороны р - области при низких температурах, так как концентрация дырок в низкоомном сильнолегированном р - слое приотемпературе около 60 С оказывается (несмотря на значительное уменьшение концентрации дырок с понижением температуры в дырочном карбиде кремния) существенно выше, чем концентрация носителей заряда в высокоомном активированном слое. Это обстоятельство влияет и на рабочее напряжение прибора, позволяя снизить его до минимально возможного.31 б 378 Фор мула изобретения Со ставитель М, ЛенешкинаРедактор Б. Федотов Техред Н. Андрийчук Корректор Т. КравченкоЗаказ 5055/423...