Способ обработки поверхности полупроводников

Номер патента: 1648989

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Ставницер, Школяренко

МПК: C23G 5/02, C25D 5/48

Метки: остатков, поверхности, после, раствора, удаления, химической, электрохимической

...при 75 С. Требуемое время выдержки 0,8 мин. Последующее добавление осевшего электролита в ванну никелирования не привело к изменению его свойств,Для всех вышеуказанных примеров степень улавливания водных растворов объемным методом составила 95 оь. Содержание олеиновой кислоты в воздухе рабочей эоны составляет 10 мг/м,При окунании изделий в олеиновую кислоту с остатками водных растворов и элект1648989 Формула и зоб рете ни я Способ удаления с поверхности иэделий остатков раствора после химической или электрохимической обработки, включающий обработку поверхности органической несмешивающейся с водой жидкостью,о тл и ча ющийся тем,что.с цельюповышения экологической безопасности процесса, обработку осуществляют в олеиновой кислоте при...

Номер патента: 1737036

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10, C30B 9/12

Метки: затвердевшего, извлечения, монокристаллов, раствора-расплава

...травителя приводит к загрязнению поверхности монокристаллов1737036 Режим Концентрацияводного раствора лимон- нОЙ кислоты, о Температуратравления, С Время травления, чРезультаты травления после отмывки водой 25 24 Травления не наблюдается Частичное селективное травление Полное отделение монокристаллов УВа 2 Сцз 07-х То же Травление монокристаллов Образуются нерастворимые кристаллы посторонней азы80 30 10 24 24 14 10 24 40 10 24 36 фазой СиО. Кроме того, существенным не достатком этого травителя является высокая агрессивность и токсичность формамида и ацетонитрила.Цель изобретения - облегчение отделения монокристаллов, обеспечение чистоты их поверхности, уменьшение агрессивности селективного травителя,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 819857

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Бажин, Малиненко

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводников

...достигается тем, чтоповерхность нагревают до 100 в 2 С и обрабатывают потоком атомарного водородас парциальным давлением 10 2 - 104 торр.На чертеже изображено устройство дляреализации способа,Устройство содержит вакуумную камеру1, трубку Вуда 2, генератор высокой частоты 3,Атомные пучки водорода предварительнополучают с помощью, например, высокочас81 тотного разряда. Очистка поверхности полупроводника при помощи атомного пучка идет двумя путями. При взаимодействии атомов водорода с поверхностью происходят их адсорбция и рекомбинация в молекулы. При этом выделяется энергия, достаточная для удаления примесей с большой энергией связи, например ОН, тогда как с помощью моЛекулярных пучков водорода удаление ОН не достигается.Пример. Образец...

Номер патента: 1589173

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Воронов, Епифанов, Космына, Некрасов, Суздаль

МПК: G01N 25/04

Метки: выращивании, кристаллизации, кристаллов, начала, раствора-расплава

...фазового сдвига, коммутатор и блок синхронизации, реверсивный счетчик, схему сравнения изадающее устройство.Блок 4 управления содержит триггери согласующий блок.Блок 5 фиксации температуры содержит коммутатор, аналого-цифровойпреобразователь и регистр памяти.Блок б фиксации электросопротивлеиия содержит счетчик импульсов, схеМу сравнения, задающее устройство,блок синхронизации.20Блок 7 обработки информации со".держит вычислительное устройство тиПа "Электроника Д 3-28", входящее вуправляющую микросхему ВУМС.Блок 8 индикации содержит дисплей, у 5термопечатное устройство, схему звуковой сигнализации.Момент начала кристаллизации определяют следующим образом,При помощи блока 1 перемещений.измерительный электрод 3...

Номер патента: 1765265

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Рандошкин, Слинкин, Чани

МПК: C30B 29/14, C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, оро, раствора-расплава

...шихты, при нагревании шихты, как показал наш опыт, наблюдается "пузырение" расплава и, как следствие, его разбрызгивание, Для уменьшения влияния этого отрицательного эффекта приходится наплавлять тигель малыми порциями(не более 20 О объема), а температуру повышать со скоростью не более 20-50 град/ч, Зто усложняет и удлиняет процедуру приготовления РР. В заявляемом изобретенил смешивали не все компоненты, а только два Т 02 и КР 04, Зту смесь помещали на дно тигля, Сверху в тигель засыпали К 2 СОз, Такой способ заполнения тигля предотвращал неконтролируемое разбрызгивание РР, При скорости .разогрева более 700 град/ч на первом этапе и риходится использовать мал ои нерционную печь, что снижает воспроизводимость кристаллообразующих свойств...