H01L 21/368 — с использованием жидкостного осаждения

Номер патента: 74106

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Бутяга

МПК: H01L 21/368

Метки: выпрямителей, закиси, купроксных, меди, поверхности, слоя

...закиси с примесью серы и кальция двухкратным нагреванием меди до красного каления и последовательной обработки ее растворами негашеной извести, гипосульфита и соляной кислоты.Технология получения оксидного слоя заключается в следующем.Свежеочищенную медную проволоку нарезают небольшими кусками, нагревают в тигле до красного каления и опускают в раствор, состоящий из дестиллированной воды 60% негашеной извести. Затем куски эти вторично нагревают до красного каления и погружают в 60%-ный раствор гипосульфита и дестиллированной воде Вынув из раствора куски меди, их просушивают прп слабом нагревании в тигле, а затем образовавшийся на поПредмет изооретенпя Способ получения на поверхности меди для купроксных выпрямителей слоя ее закпси, о т...

Номер патента: 196177

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гореленок, Царенков

МПК: H01L 21/368

Метки: переходов

...образом, На пластинку арсенида галлия, смоченную галлием, наносят дополнительное количество галлия, необходимое для растворения слоя пластинки арсенида галлия заданной толщины, Пластинку помещают в кварцевую ампулу. В ампулу закладывают также мышьяк, чтобы не было диссоциации арсенида галлия, и легирующую примесь: донорную (Те, Яе и п.т.) либо акцепторную Хп, Сс 1 и т. п.), в таком количестве, чтобы в ампуле было насыщенное давление паров примеси в течение всего процесса. Ампулу откачивают до 10-д - 10 6 мм рт. ст, и запаивают, чтобы процесс создания эпитаксиального р - и-перехода происходил в замкнутом объеме. Затем ампулу помещают в печь.При этом пластина арсенида галлия, покрытая галлием, находится при температуре 800 - 850 С,...

Номер патента: 588851

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Геворкян, Голубев, Каряев, Шмарцев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводниковых, структур

...подложка пропускают импульсы пост оян ного электрического тока, имеющего такое направление, что на границе разде 20 ла источник - растворасплав выделяет", ся тэйло Пельтьеу а цю. 1"анице раствор расплав - подложка поглощается такое же количество тепла. Под .действием теп- ла Пельтье происходит растворение слоя 25 источника, толщина которого определяется количествам выделившегося тепла, т. е. величиной и длительностью импульса тока, В то же время на другой границе раздела температура понижается и раст- ЗО вор расплав оказывается нересьпценным относительно компонент, насыщавших жидкую фазу (компоненты твердого раствора А 6, бо, ЬЬ .). На подложке начинаетси, кристаллизация слоя твердого рствора, ЗЮ причем концентрация...

Номер патента: 786720

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/368

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, состоящий в удалении остаточного раствора-расплава с поверхности подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения гладкой, свободной от образований поверхности, удаление осуществляют путем приведения поверхности с остаточным раствором-расплавом в контакт с системой капилляров, охватывающей всю обрабатываемую поверхность.

Номер патента: 525380

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Болховитянов, Мельников, Строителев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводников, слоев, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при контакте с источником.