Гершинский

Номер патента: 635789

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гершинский, Фомин, Черепов

МПК: G01N 27/48

Метки: алюминия, количества, кремния, пленках

Способ определения количества кремния в пленках алюминия путем электрохимического анодного растворения контролируемой пленки с последующим определением количества электричества, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и чувствительности при определении до 0,1 вес.% количества кремния в пленке алюминия, контролируемую пленку предварительно наносят на подложку - свидетель из кремния n-типа, затем производят нагрев системы до температуры 500-550oC с последующим охлаждением со скоростью 10-15 град/мин.

Номер патента: 1752133

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/306

Метки: n+-nили, p-n-типа, кремниевых, локального, полирующего, растворения, структур

Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа, включающий помещение образца, используемого в качестве анода, и катода в электролит - водный раствор плавиковой кислоты - и последовательное электролитическое растворение слоев структуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, после растворения n+- или p-слоя поверхность структур промывают дистиллированной водой, а растворение n-слоя проводят при концентрации электролита, определяемой из выражения C = 1,6/d2, где d - диаметр участка локального растворения (мм), при этом величину прикладываемого между анодом и катодом напряжения определяют по формуле V = 2,7 + 1,32 lg...

Номер патента: 1471900

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: окисных, пленок, толщины, тонких

Способ измерения толщины тонких окисных пленок, включающий приведение исследуемой пленки в контакт с электролитом и пропусканием через образовавшуюся систему тока, отличающийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых материалов, исследуемую пленку используют в качестве анода, подают на нее линейно изменяющийся во времени потенциал, измеряют вольт-амперную характеристику исследуемой пленки, определяют напряжение Uо, соответствующее началу скачкообразного возрастания тока, и рассчитывают толщину d исследуемой окисной пленки по формуле d = Uо/Еd, где Еd - дифференциальный напряженность электрического поля исследуемой окисной пленки.

Номер патента: 1228711

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Гурский, Кузнецов, Кузьмин, Сулимин, Трайнис, Черепов, Шалыгина, Шурочков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.

Номер патента: 1526514

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: кремнии, примесей, профиля, распределения

Способ определения профиля распределения примесей в кремнии, основанный на измерении С-V-характеристик с использованием переменного тестового сигнала при послойном анодном растворении кремния и определении концентрации примеси по калибровочной зависимости минимальной емкости от концентрации после каждого этапа анодного растворения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона определяемых концентраций примеси в сторону больших значений, измерение C-V-характеристик производят при частоте тестового сигнала в пределах 10 - 40 Гц.

Номер патента: 1202460

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова, Черепов

МПК: H01L 21/66

Метки: n-p-переходов, глубины, залегания, кремнии

Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии, включающий электрохимическое травление, снятие токовременной кривой электрохимического растворения слоя полупроводника и определение количества электричества, затраченного на растворение слоя полупроводника до обнаружения границы изменения типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, позволяющих измерять глубину залегания мелких n-p- или n+-p-переходов, электрохимическое травление n или n+-слоя проводят при одновременном приложении напряжения 0,5 - 3,0 В к системе кремний n-типа или n+-типа - электролит и прямого напряжения к n-p- или...

Номер патента: 324592

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гершинский, Косцов

МПК: H01L 21/66

Метки: 1хкичкнаяьчблиотсна, диффузии, коэффициентов, пленки•сесаоэнаяпатсйткзгт, примесей, тонкие

...1 О величины тока во времени прн анодном растворении образцов; на фиг. 2 графически сравниваются количества электричества, необходимые для анодного растворения верхней пленки тонкопленочной структуры металл металл до и после диффузионного отжита.Зависимость анодного тока 1 при растзорении толстой (1000 А) пленки А 1 показана кривой 1, при растворении тонкои (око 2 о ло 250 А) пленки А 1 - кривой 2,при растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 перед диффузионным отжигом - кривой 3, причем изменение скорости окисления в точке А соответствует переходу от окисления пленки А 1 25 к окисленшо пленки Т 1. Кривая 4 соответствует зависимости 1(1) прп растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 после взапхгной диффузии.Площадь АВСО (фиг. 2)...