Способ изготовления диодов шоттки

Номер патента: 1530009

Авторы: Герасименко, Калинин, Суртаев

Описание

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.

Заявка

4201905/25, 04.01.1987

Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР

Герасименко Н. Н, Калинин В. В, Суртаев А. Ю

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1530009-sposob-izgotovleniya-diodov-shottki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления диодов шоттки</a>

Похожие патенты