Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-nили p-n-типа

Номер патента: 1686983

Опубликовано: 27.06.1998

Авторы: Заддэ, Кузнецов, Курсакова, Сурьянинова, Токарев

МПК: H01L 31/18

Метки: n+-p-p+, изготовлении, кремниевых, структур, формирования, фотопреобразователей

Способ формирования n+-p-p+-структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей, включающий создание на противоположных сторонах кремниевой пластины источника фосфора и источника бора в виде боросиликатной пленки из пленкообразующего раствора с содержанием оксида бора в нем 20 - 60 мас.%, последующую термодеструкцию, термическую диффузию фосфора и бора в кремниевую пластину, удаление окисной пленки с двух сторон пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия фотопреобразователей за счет управления профилем распределения примесей n-типа и исключения взаимного влияния примесей, диффузию фосфора проводят в две стадии, при этом на первой стадии в качестве источника фосфора...

Номер патента: 1277840

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Прохоров, Романова, Янсон

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 789613

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бадьялов, Буткарев, Власихин, Дегодя, Дюльдин, Еремин, Кузнецов, Майзель, Худорожков, Шаврин

МПК: C22B 1/14

Метки: окатышей, слоя, структуры, формирования

...должно быть не менее 92- 98. Меньшее содержание окатышей данного класса обусловливает попадание значительного количества окатышей мелких Фракций в просветы между крупными и, как следствие. пороэность слоя уменьшается. Это приводит к увеличению выхода класса 1 мм при барабанном испытании готовой продукции на истирание до 9-10%, а также к увеличению аэродинамического сопротивления обжиговых тележек и поэтому является недопустимым. Получение ока тыщей класса 0,040-0,052 мм/мм высот слоя свыше 98 на современных окомко вателях невозможно.При высоте слоя до 0,3 м/м его поперечного сечения крупность 92-98 окатьыей должна быть не менее0,040 мм/мм высоты слоя, Повышение высоты слоя свьые 0,3 м/м.сопровох- дается существенным увеличением его...

Номер патента: 1394223

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Альжанов, Капбасов, Койлыбаев, Максимов, Талжанов, Турсыпбаев

МПК: G09B 23/24

Метки: слоя, структуры, сыпучих

...критериал стру оизв т- б -мвх ср. ч ч м/ 3; 9; 1 О; 1 К м ч в х.ср ру с с ч- скоросслой;ч - скоро сЧБ - илощадсгаза,илощад ть газа цл м 2 -с. 5"ся ь сечения счоя ь рвцлерцост 1 рл и еделецццл ьх ле в слои;степеньиределецв )2 Вср1 вцомерцос рсиз сии 11 бретение отнОсится к мделироив 1 роцессл, в частности к моделирвцию сыпучих материлв в газовомиотке,ель изобретения - расширецие липзон, сисобл иреиелеция структуры слоя.И р и м е р, ля проведения опытв использовался аппарат с ирозрачцыми боковыми стенками размером 400 ххб 0 х 20 м . Днище липрата выполненовв двух вриантах: газорлсиределительця решетка с живым сечением 0,05О,5 и сплошная диафрагма с централь -иым отверстием 2 - 30 мм. В качествесыучего материал использовалсяилнестцяк...