Способ изготовления моп интегральных схем

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Номер патента: 1647478

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Августимов, Биднык, Ильюк, Казинов, Матюшин, Остапчук, Пенцак, Саваневский

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, испытания, стабильности, схем

...типичные зависимости пробивного напряжения сток-истоковых областей в первоначальный момент (а) и в конце выдержки (б),Режим задания стабильного тока с устанавливается больше ко, где ко - канальный ток при температуре выдержки между стоком и истоком (фиг,З), В случае, если задаваемый стабильный ток будет менее Ьо, МДП-структура будет выдерживаться при низкой напряженности поля, связанной с приложением к сток-истоковым электродам напряжения менее О (фиг,З), что затруднит активацию зарядовых состояний,Учитывая, что в процессе выдержки канальный ток может возрастать, уровень стабильного задаваемого тока устанавливают больше канального тока при температуре выдержки, но меньше тока начала тепло 5 10 15 20 9 25 ЗО 35 40 45 50 вого...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 515419

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Афанасьев, Иваш, Ходыкин

МПК: H01L 21/78

Метки: выводами, интегральных, консольными, модулей, носителя, отделения, пленочного, схем

...режущие кромки 13, разделенные канавкой 14 от контактной площад ки 15, покрытой слоем износостойкого низкоомического покрытия.Устройство работает следующим образом.Модуль интегральной схемы с консольными,выводами на лечте-носителе ориентирует- О ся относительно режущих кромок (фиг. 2 и 3)и контактных площадок 15 пластин 4 пуансона. При перемещении верхней подвижной плиты 7 вниз прижим-съемник прилегает к консольным выводам модуля интегральной схемы и прижимает их к режущим кромкам 13 и контактным площадкам 15 пластины 4, сжимая пружину 11. При дальнейшем перемещении плиты 7 матрица 9 касается консольных выводов модуля и отделяет их от ленты-носителя.Перемещение плиты 7 происходит до тех пор, пока матрица 9 не выйдет из контакта с...