Способ обработки полупроводниковых соединений pbte и pb1 xsnxte

Описание

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.

Заявка

3345746/25, 09.10.1981

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Васильева Л. Ф, Дворецкий С. А, Максимов В. Л, Сидоров Ю. Г, Сабинина И. В, Шахина Т. В

МПК / Метки

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1028198-sposob-obrabotki-poluprovodnikovykh-soedinenijj-pbte-i-pb1-xsnxte.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки полупроводниковых соединений pbte и pb1 xsnxte</a>

Похожие патенты