Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа aiiibv
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
2799336/25, 15.06.1979
Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет
Максимов В. Л, Марончук Ю. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 21/205
Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-782605-sposob-vyrashhivaniya-mnogoslojjnykh-struktur-na-osnove-soedinenijj-tipa-aiiibv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа aiiibv</a>
Предыдущий патент: Полупроводниковый прибор
Следующий патент: Материал для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров
Случайный патент: Тормоз уточной нити к бесчелночному ткацкому станку