Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа aiiibv

Номер патента: 782605

Авторы: Максимов, Марончук

Описание

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Заявка

2799336/25, 15.06.1979

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Максимов В. Л, Марончук Ю. Е

МПК / Метки

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-782605-sposob-vyrashhivaniya-mnogoslojjnykh-struktur-na-osnove-soedinenijj-tipa-aiiibv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа aiiibv</a>

Похожие патенты