Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа a iiibv
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
2800462/25, 23.07.1979
Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР
Лисовенко В. Д, Марончук И. Е, Марончук Ю. Е, Сушко Б. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/208
Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-786699-sposob-ehpitaksialnogo-narashhivaniya-poluprovodnikov-tipa-a-iiibv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа a iiibv</a>
Предыдущий патент: Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках и устройство для его осуществления
Следующий патент: Способ обработки поверхности полупроводников
Случайный патент: Многоканальное устройство для программного управления