H01L 21/318 — из нитридов

Номер патента: 1093175

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Попов, Сухов

МПК: H01L 21/318

Метки: кремний-двуокись, кремния, кремния-нитрид, структур

...улучшения элекФрофизических параметров структур.Давление в реакторе при отжиге более 2 атм приводит к нарушению герметичности кварцевого реактора и невозможности реализации процесса. Использование металлических реакторов приводит к загрязнению структур ионами металлов и взаимодействию аммиака с материалом реактора при повышенной температуре процесса. Эксперименталь 35 ио показано, что отжиг структур при давлении аммиака 1-2 атм улучшает электрофизические параметры структур только при продолжительности отжига не менее 30 мин.Под улучшением электрофизических характеристик понимается увеличение крутизны вольт-фарадных характеристик структур Бх - ЯО- БхэМ, что является следствием уменьшения флуктуаций заряда и уменьшения величины...

Номер патента: 1718302

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Корешков, Красницкий, Петрашкевич, Сарычев, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, пленки, формирования

...в аммиаке не позволяет существенно уменьшить уровень механических напряжений в пленках и улучшить их зарядовые характеристики, что обуславливает снижение качества нитрида кремния. При толщине подслоя более 200 нм не удается провести выравнивание свойств пленки по всей толщине, т.е. примыкающий к подложке слой обогащен 31, следовательно, ухудшаются диэлектрические свойства: снижается электрическая прочность (уменьшаются пробивные напряжения), ухудшаются зарядовые характеристики при повышенных механических напряжениях, В конечном итоге указанные пленки характеризуются низким качеством.При осаждении подслоя из смеси 9 Н 4 - МНз - Иг при соотношении меньше, чем 1: 4; 15, наблюдается осаждение пленок с повышенным содержанием оборванных...

Номер патента: 1641145

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гольд, Девятова, Ерков, Лихачев

МПК: H01L 21/318

Метки: затвора, мноп-элементов, памяти

...0,001 1-2 2-4 4-6 10"12 Разбростолщины попластиеее,7. л 5 2 8 12 +15 л 200 Время форииронакилоксинитридного слоя, иинСкорость растекания инфориационного зарода, ВЫек 150 120 бО увеличениевреиенн проО, 15-0,25 О, 15-0,25 О, 15-0,2 О,15-0,2 граииированняДо 1 с 0,3-0,4 1+100:1 1; 50: 1 1; 2: 20 1:150:0 01 Образование81 О Температурньпе интервал синтезаЬ 55 слоя оксинитрида определяется способностью к записи информационного зарядае при температуре, превышающей Соотношениескоростейпотоков 8 С 1:80:ИН Скорость растекания инФорелациоееееого заряда, В/дек 4толщиной 300 А. Затем в случае необходимом Формируют слой блокирующего окисла из смеси моносилана и эакиси азота. Электроды Формируют с помощью Фотолитографии из легированного фосФором...

Номер патента: 1225431

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, осаждения, пленок

Способ осаждения пленок нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование и подачу в зону осаждения парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью безотходного использования реагентов, исключения загрязнений атмосферы и исключения использования инертного газа-носителя, парогазовую смесь формируют, подавая пары тетрахлорида кремния в возвратно-циркулирующий поток аммиака, причем общее давление в зоне осаждения поддерживают постоянным подачей в нее аммиака.

Номер патента: 1294220

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Жигалова, Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, слоев

Способ получения слоев нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев до рабочей температуры, формирование и подачу в зону осаждения потока парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении с поддержанием общего давления в реакторе подачей на вход реактора аммиака, удаление остаточных продуктов реакции через выход реактора, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости процесса по длине зоны осаждения и упрощения технологической аппаратуры, поток парогазовой смеси в зоне осаждения создают подачей аммиака на вход реактора при температуре от 623 К до рабочей температуры в зоне осаждения и раздельной подачей паров тетрахлорида кремния...

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...

Номер патента: 1630570

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Волков, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, оксинитрида, слоев

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см3, а подложку нагревают до 90 - 250oC.

Номер патента: 1715138

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Макаревич, Турцевич

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, пленок, формирования

Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя не более 15 монослоев, последовательно чередуя операции осаждения и отжига в аммиаке в течение 2-10 мин при давлении 6,65-66,5 Па при температуре осаждения пленки нитрида кремния.