Способ изготовления полупроводниковых структур

Описание

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.

Заявка

3784925/25, 28.08.1984

Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР

Гершинский А. Е, Черепов Е. И, Шалыгина Н. А, Сулимин А. Д, Трайнис Т. П, Кузнецов Ю. М, Кузьмин П. В, Шурочков И. О, Гурский Ю. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1228711-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых структур</a>

Похожие патенты