Способ изготовления полупроводниковых структур

Номер патента: 1109955

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Амазаспян, Бутаев

МПК: H04N 7/18

Метки: изображения, исследуемых, полупроводниковых, структур, формирования, фотоответного

...импульса переноса двоичного счетчика и выход ЦАП, во втором цифровом генераторе разверт ки его первым, вторым и третьим входами являются соответственно счетный вход двоичного счетчика, вход установки в ноль двоичного счетчика и управляющий вход ЦАП, а первьщ и вторым выходамисоответственно выход импульса переноса двоичного счетчика и выход ЦАП, в третьем цифровом генераторе развертки его первым и вторым выходами являются соответственно счетный вход двоичного счетчика и управляющий вход ЦАП, а выходом - выход,.ЦАП.10 50 Неискаженное фотоответное изображение исследуемой полупроводниковой структуры 5 может быть получено только при условии полного совпадения формы одноименных сигналов развертки обоих растров и синхронНа чертеже представлена...

Номер патента: 1095862

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Лифанов, Сидоров, Хлопов

МПК: H01L 21/56

Метки: защитных, покрытий, техники, формирования, электронной

...слоя используютшелкографические и объемно-сеточные трафареты. Объемно-сеточный трафарет отличается от шелкографического тем, что наодной из плоскостей сетки, натянутой нарамке, имеются заданной высоты и геометрии выступц из твердой резины, расположение которых образует зеркальноеотображение контуров, ограничивающихслой микропорошкового защитного покрытия, Процесс создания защитного слоя наподложке включает в себя следующую последовательность операций:основание корпуса интегральной схемыс приклеенной подложкой в установочноеместо корпуса рамки и ориентируют согласно конструкторской документации на изделие;поверхность подложки накрывают обьемно-сеточным трафаретом, причем вершины выступов на сетке оказываютсяприжатыми с...

Номер патента: 1630604

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Вальтер, Марк

МПК: B27N 3/08

Метки: непрерывного, ориентированных, слоистой, структуры, удлиненных, формирования, элементов

...первым конвейером 4 для транспортирования удлиненных эле ментов 2, вторым конвейером 4 для передачи удлиненных элементов 2, который расположен для перемещения удлиненных элементов 2 в продольномнаправлении, Устройство имеет сред ство 6 смещения удлиненных элементов2 на втором конвейере 5 в направлении, перпендикулярном длине элементов 2, а также третий конвейер 7 сжелобом 8 для приема и укладки удлиненных элементов 2 в виде мата 3, Между первым 4, вторым 5 и третьим 7 конвейерами установлены направляющие 9 и 10 при этом направляющие 1 О смон)тированы качающимися относительно третьего конвейера 7 поперек его55 ПРОДОЛЬНОЙ ОСИоУстройство работает следующим образом. Удлиненные элементы 2 с помощью первого конвейера 4 и направляющих 9...

Номер патента: 789613

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бадьялов, Буткарев, Власихин, Дегодя, Дюльдин, Еремин, Кузнецов, Майзель, Худорожков, Шаврин

МПК: C22B 1/14

Метки: окатышей, слоя, структуры, формирования

...должно быть не менее 92- 98. Меньшее содержание окатышей данного класса обусловливает попадание значительного количества окатышей мелких Фракций в просветы между крупными и, как следствие. пороэность слоя уменьшается. Это приводит к увеличению выхода класса 1 мм при барабанном испытании готовой продукции на истирание до 9-10%, а также к увеличению аэродинамического сопротивления обжиговых тележек и поэтому является недопустимым. Получение ока тыщей класса 0,040-0,052 мм/мм высот слоя свыше 98 на современных окомко вателях невозможно.При высоте слоя до 0,3 м/м его поперечного сечения крупность 92-98 окатьыей должна быть не менее0,040 мм/мм высоты слоя, Повышение высоты слоя свьые 0,3 м/м.сопровох- дается существенным увеличением его...

Номер патента: 895244

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кузнецов, Марков, Пресс

МПК: H01L 21/312

Метки: многослойной, полупроводниковой, структуры

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ, включающий получение защитных выступов на полупроводниковой подложке и последовательное формирование рисунков диэлектрических и проводящих слоев с помощью контактной фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и повышения технологичности процесса, получение защитных выступов проводят в процессе каждой фотолитографической операции формирования рисунков диэлектрических и проводящих слоев, причем выступы выполняют из материалов этих слоев.