Способ изготовления полупроводниковых структур
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
3784925/25, 28.08.1984
Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР
Гершинский А. Е, Черепов Е. И, Шалыгина Н. А, Сулимин А. Д, Трайнис Т. П, Кузнецов Ю. М, Кузьмин П. В, Шурочков И. О, Гурский Ю. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/18
Метки: полупроводниковых, структур
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1228711-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых структур</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке
Следующий патент: Стекло для светозвукопровода
Случайный патент: Интерферометр