Способ контроля электролюминесцентных p-n-структур

Номер патента: 182763

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Соркин, Фаворин

МПК: H01L 33/00, H05B 33/02

Метки: гребенчатой, структуры, экран, электродами, электролюминесцентный

...может быть применена в различного рода устройствах.Растровый электролюминесцентный экран может найти применение: в качестве электролюминесцентного планшета, дающего яркое и контрастное изображение прн записи на нем информации графитовым карандашом; в усилителе яркости изображения; в светозапасаюшем усилителе.5В усилителе света на поверхность стекла,имеющую прозрачные проводящие электроды, выполненные в виде двойной гребенки, наносится слой электролюминофора так, что элек- О тролюминофор лежит только на прозрачныхэлектродах, а промежутки между электродами заполнены смолой, не содержащей в себе электролюминесцентных частиц. Благодаря такому нанесению слоя электролюминофора 5 обеспечивается эффективное использованиефотопроводника для...

Номер патента: 377971

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Гертиг

МПК: H04L 1/00

Метки: двоичных, многолучевой, приема, сигналов, случайной, структурой

...Суммирующиевходы начала цепи линейных вычислителей бсоединены с выходами корреляционных вычислителей 4.Выходы всех предшествующих линейныхвычислителей б, умножающие входы которыхсвязаны с корреляционными вычислителями 4,подключены к суммирующим входам последующих линейных вычислителей группами:все сразу и с выбыванием по одному со стороны максимальных номиналов задержки.Выходы линейных вычислителей б, умножающие входы которых остаются свободными, соединены с сумматорами 7. Последние предназначены для объединения выходов линейных вычислителей б одного телеграфного сигнала (посылка или пауза). Если применяются не бинарные, а многоосновные сигналы, то число групп корреляционных вычислителей 4, связанных с ними линейных...

Номер патента: 1403006

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Корниенко, Ларченко, Малый, Понежа, Федорченко

МПК: G02F 1/35

Метки: длины, излучения, лазерного, области, самофокусировки, фокальной

...происходит самофокусировка лазерного пучка и возбуждается процессвынужденного комбинационного рассея"ния (ВКР ). ВКР сопровождается возник,1403006 А 11403006 высить точность ее определения, поскольку базируется на обладающих большой точностью измерениях длины волны,а также поскольку результаты измере"ний не зависят от движения фокапьнойобласти самофокусировки,Формула изобретения Лс Лл (Лс Лд) у;л 1 ь,( -)-ль- Ц где и, и, п ": показатели преломления вещества на длинах волн Л , Л,1 Лс Лл гл,-Л.соответственно. Составитель А.ЮепелевРедактор А.Лежнина Техред Л.Сердюкова 1(орректор М.Максимишинец Заказ 2856/37 Тираж 533 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д....

Номер патента: 1746440

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 27/082

Метки: биполярная, интегральная, структура

...она эффективно собирает неосновные носители, инжектированные эмиттером горизонтального р - и - р-транзистора и увеличивает его коэффициент усиления,Возможен случай, когда вторая замкну-, тая область имеет глубину, равную глубине залегания базовых областей, Однако при этом необходимо учесть, что введенные первая замкнутая и эмиттерная области гори- зонтального транзистора имеют степень легирования больше, а глубину залегания меньше, что обеспечивает увеличение собирания носителей, инжектированных эмиттерной областью горизонтального р - и - р-транзистора за счет увеличения параметра (по кольцу) и площади собирающей части (носители собирает как первая замкнутая область. так и более глубоко залегающие участки баз вертикальных и - р -...

Номер патента: 254829

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Агеев, Геращенко, Рудаков

МПК: G01J 5/12

Метки: датчик, излучения, интенсивности, полусферического

...среды 25 с лучеприемным элементом.В предлагаемом датчике, содержащем приемник излучения, датчик температуры н водо- охлаждающую систему, датчик температуры выполнен в виде батареи дифференциальшпх З 0 термопар со спаямц, расположенными н верхности приемника излучения, а на водоохлаждающей системы установлен лятор температуры.Конструкция описываемого датчика представлена на чертеже.Наружная торцевая поверхность спирального датчика 1 тспловых потоков является луче- приемной поверхностью. В ней заделаны внутренние спаи звездообразной термобатареи 2, наружныс спаи которой вынесены в окружающую срсду и защищены от прямого излучения исследуемого объекта посредством зеркально отражающих металлических лепестков 3, отделенных от наружных...