Способ получения эпитаксиальных структур

Номер патента: 1155911

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Боргардт, Кришталь, Лошкарев

МПК: G01N 13/00

Метки: исследования, поверхности, процесса, расплавов, растекания, твердого, тела

...величины) ослаблению сигналов акустической эмиссии. При кристаллизации расплава сигналы исчезают, В качестве параметра акустической эмиссии удобнее всего использовать . интенсивность акустических колебаний.1155911 45 50 зоб:;одимости флюс. Затем в любомудобном месте к объекту прикрепляютпьезоэлектрический преобразователь2. В случае высокотемпературныхисследований пьезоэлектрический 5преобразователь можно крепить квьведенному из эоны нагрева концу11 1 Езвуковода , например стальной проволоки, соединенной с объектом сваркой или прижатой к нему с помощью 10струбцины. Затем начинают нагревать объект и включают аппаратуру,регистрирующую сигналы акустическойэмиссии. При смачивании объектарасплавом в нем возникают сигналы 15акустической...

Номер патента: 1436037

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Алиджанов, Комолов

МПК: G01N 23/22

Метки: поверхности, структуры, твердого, тела, электронной

...получалась картина, отображающая зависимость интенсивности максимума ПТ (на которой была произведена предварительная настройка) от направления падения первичного электронного пучка, т,е. картина фигур эжвиинтенсивности. На фиг.З представлена характерная фигура эквиинтенсивности, полученная для исследуемого монокристапла никеля. Приведенная фигура обладает симметрией квадрата. Для гранецентрированной кубической рещетки симметрией квадратахарактеризуется плоскость (100), следовательно исследуемьй монокристапл имеет ориентацию (100). Формула из обретения Способ определения электронной структуры поверхности твердого тела, медленных электронов, изменение энергии электронов пучка, регистрацию тока в це" пи образца, нахождение спектральной...

Номер патента: 150257

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Заика, Лернер

МПК: G01F 23/24

Метки: компонентов, раздельного, расплава, уровней

...1, приводимый в движение от специального привода 2. Перемещения измерительного электрода и общий уровень расплава фиксируются блоком 3, связанным с приводом 2 и положением измерительного электрода 1, а блок 4 служит для автоматической компенсации износа измерительного электрода,Измерение уровней раздела осуществляется по скачкообразному изменению градиента проводимости, происходящему при переходе измерительного электрода через границы раздела компонентов 5, б и 7 расплава,Контроль за градиентом проводимости осуществляется по величине производной от тока в цепи измерительного электрода. Для этой цели в цепь электрода 1 включен измеритель 8 производной тока, выполненный в виде дифференцирующей цепочки с выходом на вторич ный...

Номер патента: 942917

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Хатажуков, Хоконов

МПК: B23K 1/00

Метки: площадью, поверхности, припоя, растекания, твердого, тела

...и индукции внешнего магнитного поля пондеромоторные силы, действующие на расплав, приводят к егопринудительному стягиванию (уменьшению площади смачивания) либо принудительному растеканию.На фиг. 1 показано растекание припоя; на фиг, 2 - принудительное стягивание припоя.Установка состоит из постоянногомагнита или электромагнита 1, междуполюсами которого располагается под 30ложка 2 с жидким припоем 3 на поверхности. При выборе направлений векторов магнитной индукции В и плотностиэлектрического тока , как показанона фиг, 1, пондемоторная сила Р,действующая в направлении третьегоперпендикуляра, приводит к принудительному растеканию припоя, а в случае, показанном на фиг. 2, к егопринудительному стягиванию вплотьдо точечного контакта....

Номер патента: 531400

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Арефьев, Воробьев, Стародубов

МПК: G01N 23/00

Метки: вещества, исследования, поверхности, структуры, электронной

...образования пози513400 Формула изобретения Составитель В, КирилловТехред М, Левицкая Корректор В. Сердюк Редактор Т Орловская Эакаэ 4065/43 Тираж 1101 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ности образования пара-позитрония.Цель достигается тем, что на исследуемое вещество, окруженное газообразной атмосферой (например, аргоном),при давлении 10-120 атм накладываетсястатическое магнитное поле напряженностью не менее 2 кгс.Использование магнитного поля усиливает образование пара-поэитронияв 2 раза и расширяет возможности спосо батак как позволяет исследовать электронную структуру...