H01L 21/324 — термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание

Номер патента: 170122

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01L 21/324

Метки: 170122

...нагревают таким образом, что поверхность одной из ее плоскостей находится при температуре 300 в 4 С, а вдоль оси, перпендикулярной этой плоскости, создают градиент температуры порядка 300 град/слг.Предлагаемый способ позволяет получить широкие р - г-переходы, т. е. позволяет изготовить высоковольтные приборы на невысокоомном кремнии,Предложенный способ заключается в следующем. Исходный кремний р-типа проводимости с удельным сопротивлением 20 - 100 о,ц/сл и с концентрацией атомов кислорода порядка 10181/слг 3 режут на пластины и помещают в устройство для нагрева таким образом, что поверхность одной из плоскостей пластины находится при температуре 300 - 450 С, а вдоль оси, перпендикулярной этой плоскости, создают градиент температуры...

Номер патента: 262861

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 21/324

Метки: 262861

...в5 качестве полупроводника используют кремнийп-типа, а в качестве металла-растворителядля зон - алюминий.Пластины кремния нориентированные по10 плоскости (111), полирхимически,Мегодом термического распыления алюминия в аакууме через специальный трафаретили на всю пластину с последующей фотоли 15 тографией получают заданное число параллельных линейных зон,необходимой ширины(ЗО - 200 мк) и толщины (не менее 1 О мк).Напыление алюминия сочетается с одновременным сплавлением с кремнием, для чего20 температура,подложки поддерживается в интервале 577 - 660 С,Ширину зоны в зависимости от температуры определяют по формуле262861 Пр едм ет изобретения Составитель Г, Корнилова Редактор Т. 3. Орловская Техред Л. В. Куклина Корректор С, А....

Номер патента: 348128

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Бронников, Веневцев, Дидковская, Климов, Савенкова

МПК: H01L 21/324

Метки: материал, пьезокерамический

...потерь всильных электрических полях,Материал получают следующим образом.После помола исхоцных веществ, взятыхв необходимых соотношениях, из полученнойшихты изготовляют брикеты. Их поцвергаютоотжигу при 800 С в течение 2 час.Затембрикеты тщательно измельчают в порошокс размером частиц 3 - 5 ц,после чего цо -бавляют раствор поливинилового спирта вкачестве связки и прессуют изцелия зацанной формы и величины,изделия помещают в печь 50 - 1100 С в течениеооподъема 200-300 С во00-200 С в час.ят вжиганием серебра ние 10-30 мин. Поляриуществляется в силиконоо0-160 С в течение 1348128 50,34-34,50 18,49 - 28,54 30,56 - 17,26 0,002 - 2,5 0,002 - 2,5 Окись свинцаОкись цирконияОкись титанаОкись висмутаОкись марганцаОкись одного из...

Номер патента: 581893

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Корнельюш, Янина

МПК: H01L 21/324

Метки: нагревательного, полупроводникового, состав, элемента

...только тогда проявляют свое действие, если их вводят путем смешивания и совместного плавления или плавления и размельчения, а затем все вещество вновь подвергают нес 50 кольким подогревам до температуры, близкои температуре плавления смеси, и интенсивному дроблению при одновременном быстром охлаждении. Тогда наступает равномерное и активное размещение примесей буфера в основной решетке базового материала.55Из приготовленной таким образом смеси можно получить электропроводящие пленки с сопротивленим до 1 ом на квадратную единицу и нагрузку мощности свыше 20 вт/цм.Приготовление и активация полупроводника с электрическим буфером осуществляется 0 посредством предварительного смешивания компонентов изготовляемой смеси либо путем...

Номер патента: 723990

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Масагутова, Руд

МПК: H01L 21/324

Метки: ochobe, полупровод-никовых, приборов

...мм проводят в течение 350-400 ч при 850-9000 С и давлении паров мышьяка 2,5-4 атм. После завершения отжигапроводят закалку и получают однородные кристаллы 2 п 5 Аь п-типа провоЯдимости.Недостатком известного способа также является то что он не позволяет получить п-р-переход на кристаллах 2 вбеР р-типа. 35Целью изобретения является получение р-п-переходов.Указанная цель достигается тем, что отжиг проводят при давлении паров фосфора,0,3-0,.6 атм в присутствии 40 порошка 2 пСеР, вес которого в 1,5-3 раза больше веса пластины при температуре 870-900 оС в течение 5-17 ч,На фиг. 1 изображен граФик распределения температуры вдоль ампулы с кристаллом 2 пСеР р-типа 4 иа Фиг. 2 кривая зависимости концентрации носителей заряда в кристаллах 2 пбеРк...

Номер патента: 862270

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Бережной, Ловейко, Юхименко

МПК: H01L 21/324

Метки: величины, заряда, положительного, проводниковых, структурах, уменьшения

...диффузионным областям (на чертеже не показаны), создания металлических затворов 3, в уо пленке нитрида кремния вскрываются вспомогательные окна 4. Одновременно в одном технологическом цикле изготовлены контрольные приборы без вспомогательных областей 4, До отжига в водороде пороговые напряжения (Ут) МНОП-транзисторов для основной и контрольной группы приборов составляли - (6-8) В. После отжига в водороде пороговые напряжения транзисторов основной группы (с вспомога- ЗО тельными окнами 4) уменьшились по абсолютной величине до 3,0-3,5 В, а пороговые напряжения контрольных транзисторов практически не измени" лись. 35Настоящий способ можно реализовать и в других вариантах. Вскрытие вспомогательных окон 4 удобно совместить в технологическом...

Номер патента: 623439

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Антоненко, Двуреченский, Смирнов

МПК: H01L 21/324

Метки: дефектов, имплантированных, отжига, полупроводников, слоях

...50р-и-перехода при таком способе отжига достаточно велик, а пробивноенапряжение невелико, поскольку наибольшая часть энергии выделяется наповерхности.554. Невозможность проведения отжига ионно-внедренных областей посленанесения на поверхность слоев металла и некоторых диэлектриков (многослойные структуры).Целью изобретения является исключение эрозии планарной поверхностипластины, возможность проведенияотжига в многослойных структурах иупрощение технологии.Поставленная цель достигаетсятем, что световой импульс направляютна поверхность полупроводника, противоположную планарной.С целью локализации выделенияэнергии длину волны света выбираютравной или большей (не более чемв 3 раза) длины волны, соответствующей краю основного...

Номер патента: 1574118

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин, Шарипов

МПК: H01L 21/324

Метки: остаточной, полупроводниковых, примеси, слоев

...силового поля деформации, но неокисла обычно составляет несколько позволяет получить достаточную скосотен ионослоев (200-300). Рость диффузии, позтоиу эффект очист В р и и, е р. способ бцп .опробован кк - минимальный и даже после 24 чв лабораторны условиях. предприятия- вьдержки увеличение интенсивности :.заявителя для очистки от цинка эпи Фотолюминесценции незначительно.тасвальных слоев и-Еп з Сазт,Ав со Увеличение температуры прогрева,стекекь 3 в компенсации цйнка а, следовательно, и скорости диффуэииь ускоряет процесс очистки и приЮ /Я0,5,. . . 450 С достаточно. полная, очистка достигается йрнмерно за 20 иин.. ГдеМ - концентрация акцепториой Подобнце закономерности наблюдапримеси; ются .и в процессе очистки других.мно Н -...

Номер патента: 743489

Опубликовано: 30.07.1991

Автор: Шаповалов

МПК: H01L 21/324, H01L 21/477

Метки: кремниевых, пластин, термообработки

...интегральной схемы, которые, в свою очередь, отрицательносказываются на электрических парамет) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ КРЕМПЛАСТИН в процессе изготовлеегральных схем, включающий ихс дальнейшим охлаждением соью не более скорости, обуславй возникновение термическихний пластинах кремния,ч а ю щ и й с я тем, что,увеличения выхода годных,ы охлаждают со скоростью не0 С/мин.74 3489 Редактор Л. Письман Техред АКравчук Корректор Л, Патай Заказ 3129 Тираж 315 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 Иелью изобретения является увеличение выхода годных эа счет траничения скорости охлаждения...

Номер патента: 1711269

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Ковалевский

МПК: H01L 21/324

Метки: изоляции, интегральных, межслойной, микросхем, производстве, формирования

...не достигается та температура вязкотекучего состояния стекла, при котором время задер жки при оплавлении достигает минимального значения - 0,5 с.Увеличение процентного содержанияборфтористоводородной кислоты больше 35 мас.% в растворе так же, как и увеличе ние скорости потока водорода через объемиспарителя свыше 200 дм /ч, приводит к иззбыточному количеству ионов фтора и бора в газовой среде, способному вызвать кристаллизацию ФСС и разделение фаз. Такое5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 явление нарушает структурное совершенство слоев ФСС, так как в них появляются кристаллические включения, поры, трещины, разнотолщинность, что отрицательно сказывается на величине напряжения электрического пробоя и токов утечки.Увеличение плотности...

Номер патента: 1816331

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Варнаков, Грибов, Кирюхин, Родионов, Шевякова, Шукшина

МПК: H01L 21/324

Метки: подложек, сушки

...они неравномерно прогреваются (хужепрогрев в центральной их части), что вызы-вает снижение качества осушенной поверхности, наличие на ней сыпи, точек, потекови неравномерное распределение гидрофобности. При создании интервала "Ь" между10 новременное попадание всех точек поверхности разогретых подложек из зоны высокой относительной влажности в зону с низкой относительной влажностью, в результате чего участки подложек, находящиеся внизу, за счет теплоотвода попадают в зону с низкой относительной влажностью 15 уже значительно остывшие, но недосохшие, что приводит к снижению качества осушенной поверхности и возникновению на ней 20 потеков, сыпи, а также к неравномерному распределению гидрофобности.При скорости вертикального вытягивания...

Номер патента: 1400387

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Кузнецов, Нарышкин

МПК: H01L 21/324

Метки: диффузии, интегральные, кремниевые, микросхемы, полупроводниковые, приборы

СПОСОБ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, включающий диффузию фосфора с последующим отжигом при понижении температуры до 650oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров, отжиг проводят при понижении температуры от температуры диффузии со скоростью 2 - 4 град/мин.

Номер патента: 1547619

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Бачурин, Верников, Енишерлова-Вельяшева, Концевой, Левин

МПК: H01L 21/324

Метки: высокотемпературной, пластин, полупроводниковых

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающее печь с горизонтальной трубой и кварцевую кассету, средство для центровки и удержания пластин, узел регулирования усилия сжатия пластин, отличающееся тем, что, с целью обеспечения высокотемпературной термокомпрессионной попарной сварки полупроводниковых пластин, средство для центровки и удержания пластин выполнено в виде опоры и набора плоскопараллельных шайб из полупроводникового материала, покрытых нитридом кремния, между средством для центровки и удержания пластин и узлом регулировки усилия сжатия пластин дополнительно введен подвижный шток, содержащий шаровую опору, а узел регулировки усилия сжатия пластин находится вне трубы печи.2. Устройство...

Номер патента: 1830229

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Козлов

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий гидрофилизацию кремниевых пластин, сушку пластин на воздухе, соединение пластин лицевыми сторонами друг с другом, термообработку при температуре не менее 1000oC, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур при одновременном увеличении производительности, после гидрофилизации пластины помещают в раствор, содержащий не менее 1 об. плавиковой кислоты в деионизованной отфильтрованной воде, затем пластины промывают в деионизованной отфильтрованной воде, соединяют пластины попарно и извлекают их из воды в соединенном состоянии, сушку пластин проводят перед термообработкой при 100 130oC в течение времени не менее 4 ч при одновременном...

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...

Номер патента: 1114258

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Латута, Марончук, Носовский, Тузовский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, подложек, термической

Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают нерабочие стороны подложек до температуры 900 - 1200oC.

Номер патента: 1028196

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/324

Метки: iiibv, многослойных, соединений, структур, термообработки

Способ термообработки многослойных структур соединений AIII BV, включающий отжиг в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик приборов за счет выведения из рабочей области структур металлических микровключений, одновременно с отжигом производят облучение импульсами лазерного излучения с энергией квантов, на 0,1-0,3 эВ меньшей энергий края фундаментного поглощения полупроводника, со скважностью импульсов 102-103 и удельной мощностью 0,5-10 Дж/см2 с, причем лазерное излучение направляют излучение не менее нагретую поверхность...

Номер патента: 1028197

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника паров - загружают PbBr2 в количестве 0,1 = 1 г, а отжиг проводят при температуре образца 623 - 873 К и температуре навески PbBr2 573 - 773 К.

Номер патента: 1028198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.

Номер патента: 803757

Опубликовано: 20.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/324

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ обработки эпитаксиальных структур, включающий отжиг при температуре ниже температуры их получения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрофизических параметров и уменьшения явлений деградации в приборах на их основе, отжиг проводят в градиенте температуры 30 - 100oC/см, направленном от эпитаксиального слоя к подложке, при средней температуре 300 - 600oC.

Номер патента: 1816161

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гареева, Ловягин, Мигаль

МПК: H01L 21/324

Метки: 1-xte, cdxhg, p-n-переходов, монокристаллах

Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изготавливаемых переходов за счет повышения времени жизни носителей заряда, исходный кристалл помещают в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой, а отжиг проводят при 170 - 220oC в...

Номер патента: 1378713

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Беляева, Дученко, Майзанов, Митин, Потапчук, Фомичев

МПК: H01L 21/324

Метки: n-n+-структур, кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, создания

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n+-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.

Номер патента: 847839

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов

МПК: H01L 21/263, H01L 21/324

Метки: кремния, повышения, радиационной, стойкости

Способ повышения радиационной стойкости кремния, включающий термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств кремния, термическую обработку проводят в интервале температур 500 - 600oC в течение 100 - 800 ч в неактивной среде.

Номер патента: 1005602

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Тихонов, Тихонова

МПК: H01L 21/324

Метки: антимониде, инверсного, индия, слоя

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

Номер патента: 1400386

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Козерчук, Першин

МПК: H01L 21/324

Метки: изготовлении, кремниевых, легированных, областей, полупроводниковых, приборов, формирования

Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов, включающий выращивание окисла на кремниевой подложке, формирование рисунка в окисле, загонку легирующей примеси, химическую очистку, диффузионную разгонку в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет улучшения очистки поверхности полупроводника, диффузионную разгонку проводят с добавлением в окислительную атмосферу паров йодосодержащих компонентов в количестве 0,5-1,5 об.%.

Номер патента: 1515964

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Войтович, Ковалевский, Красницкий, Турцевич, Цыбульский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, планаризации, структур

Способ планаризации кремниевых структур, включающий нанесение на их поверхность пленки борофосфоросиликатного стекла и последующую термообработку при 800-950°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения планарности структур и снижения дефектности пленки борофосфоросиликатного стекла, термообработку проводят в парогазовой смеси водорода и алканола R-OH, где R - CH3 -(CnH2n), n = 0, 1, 2, 3, ..., при давлении 20-200 Па и концентрации алканола 0,5-10 мас.%.

Номер патента: 1825250

Опубликовано: 10.04.2011

Авторы: Неуймин, Пальгуев, Федин

МПК: H01L 21/324, H01M 8/10

Метки: электрохимическое

Электрохимическое устройство, например топливный элемент, содержащий корпус, крышки с газоподводными трубками, разноименные электроды и твердый электролит, выполненный в виде блока с каналами для разноименных электродов, расположенными под углом друг к другу и выходящими на взаимопересекающиеся внешние поверхности блока, отличающееся тем, что, с целью упрощения и повышения удельных электрических характеристик, указанный корпус выполнен из нескольких блоков, имеющих форму усеченной пирамиды с бортиками в основаниях и соединенных между собой высокотемпературным стеклом таким образом, что меньшее основание одной части блока входит в большее основание соседней части на глубину бортиков,...

Номер патента: 1575841

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Домород, Крищенко, Петрашкевич, Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/324

Метки: моп-структур

Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при...