Способ обработки поверхности полупроводниковых структур

Номер патента: 1805788

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: двухкамерных, поверхности, проводящим, слоем, структур, сухого, травления, установках

...между реакционными обьемами приводит к, невоспроизводимости в определении момента окончания травления. Во избежание этого возмОжны два варианта распределения времени между реакционными объемами: а) тй 11+гй 21 и б) тй 12+тй 22 где тй 1 и тй 2 - время обработки соответственно в первом и втором реакционном обьемах. При этом учтено время стабилизации разряда, в течение которого контроль невозможен. В варианте а) момент окончания травления определяют в первом реакционном обьеме, а в варианте б) - во втором, Максимальной производительности соответствует тот из двух названных вариантов, для которого разница времени обработки в обоих реакционных объемах меньше, т.е, для которого меньше (тй 1 - тй 2). исходя из этого. условие реализации варианта...

Номер патента: 1421189

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Айвазов, Немой

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, поликремний-окисел, структур, травления

...37,5 Па.Выключают генератор и устанавливаютанодное напряжение, соответствующееЯудельной мощности разряда 0,12 Вт/см .Эту стадию процесса ведут в течениевремеиир определенного из аиалитйческого выражения, исходя иэ заданногоухода размера элементов относительномаски. В табл. 1 и 2 приведены даи"иые, обосновывающие выбор режимовтравления на каждой из стадий про"цесса,Определение коэффициентов Ы ипроизводят следующим образом.Поскольку зависимость Ч, от Бтр в режимах второй стадии определяетсявыражением Чр то графике Б+Ъзависимости 1/7(Б) представляет собой прямую линию, Из наклона прямой, построенной по экспериментальным данным для режима второй стадии, вычисляют величину ос, а значение 1 Ь - путем экстраполяции к значению Б.=...

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...

Номер патента: 531400

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Арефьев, Воробьев, Стародубов

МПК: G01N 23/00

Метки: вещества, исследования, поверхности, структуры, электронной

...образования пози513400 Формула изобретения Составитель В, КирилловТехред М, Левицкая Корректор В. Сердюк Редактор Т Орловская Эакаэ 4065/43 Тираж 1101 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ности образования пара-позитрония.Цель достигается тем, что на исследуемое вещество, окруженное газообразной атмосферой (например, аргоном),при давлении 10-120 атм накладываетсястатическое магнитное поле напряженностью не менее 2 кгс.Использование магнитного поля усиливает образование пара-поэитронияв 2 раза и расширяет возможности спосо батак как позволяет исследовать электронную структуру...

Номер патента: 1378615

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Матвеев, Моргунов

МПК: G01V 3/12

Метки: земли, зон, местоположения, поверхности, тектонически-активных

...и измеряют три ортогональные электрические, Е, Е, Е н три ортогональные магнитные Н, Н, Нг составляющие электромаг 3 нитного поля.При измерениях н районе Джавахетского .нагорья напряженность элект-. ромагнитного поля импульсных сигналов составляла от 10 мкВ/м до 5 мВ/м 35 для Е-компоненты при интенсивное" ти помех не более ,5 мкВ/м.Для горизонтальных магнитных ком,понент Н Ннапряженность поля составляла от 5 мкл/м до 1 мА/м при по мехе не более 1 мкА/м. Для горизонтальных электрический Е ,Е у и верти кальной магнитной Н г компонент помеха отсутствовала, а уровень шумов, "приведенных к входу составлял 45 0,6 мкВ/м для Е , Е, и 0,2 мкА/м для Н -компоненты.С помощью блока определения местоположения излучателей 2 по,измеренным...