H01L 21/24 — сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой

Номер патента: 15327

Опубликовано: 31.05.1930

Автор: Ишутин

МПК: H01L 21/24

Метки: роевка

...роевки.Ро евка имеет вид раскрывающегося ящика прямоугольной формы, крышка и дно которого состоят из равновеликих рам 1 - 1, обтянутых редкою тканью. Внутри ящика помещена щетка 8, которая приводится в движение вдоль ящика посредством валика 4, укрепленного в верхней части роевки и вращаемого рукояткой б.Сбор пчел производится следующим образом: роевка раскрывается и вешается или ставится плоской стороной на просвет окна закрытого помещения, в котором производится осмотр гнезда или облет пчел; щетка при этом устанавливается в нижнем положении рамы 1 (фиг. 1); Пчелы, стремясь. к свету, собираются на редне рам и, когда их соберется значительное количество, рамы закрываются и роевка своим выходным отверстием 7 приставляется к летку...

Номер патента: 45327

Опубликовано: 31.12.1935

Автор: Кнопов

МПК: H01L 21/24

Метки: детекторов, кристаллов

...- исследований, однако, имеются основа - -ния предполагать,что роль серебра состоит, между прочим, в придании кристаллам устойчивости в отношении их неизменности. Неустойчивость кри, сталлов, изготовленных из смеси с малым " содержанием - серебра или вовсе безсеребра, проявляется внешним образом,Примерный состав новой смеси таково весу): 50,0% свинцового глета15,0% сернистого свинца7,5% окиси кобальта7,6% мышьяка (технического)7,5% буры12,5% серы.Как видно, вместо галена основнойчастью является свинцовый глет, которыйобычно содержит некоторое, хотя иочень малое количество серебра. Составляющее сущность изобретения введениемышьяка и окиси кобальта позволяетобойтись без добавления серебра, обеспечивая получение стойких кристаллов,не...

Номер патента: 110731

Опубликовано: 01.01.1957

МПК: H01L 21/24

Метки: 110731

...сплавлении германия и-типа с железох или золотохг, описываемыи способ заключается в сплавлени германия и-типа с оловом или свинцом с добавлением никеля, Диоды и триоды, изготовленные из таких кристаллов, обладают свойствами газонаполнеггных приборов при нормальных комнатных условиях.Описываемый способ заключается в сплавлении германия и-типа с оловом или свинцом с добавлением 1 - 5% никеля путем диффузии никеля из нейтрального контакта - олова или свинца в пластинку германия толщиной 1 л,г. Процесс сплавления проводят при +б 50 С в течение 10 мин. За первые пять минут происходит насыщение олова германием, затем никель диффундирует в германий.На фиг. 1 изображен полупроводниковый газотрон, выполненный по описываемому способу; на фиг. 2 -...

Номер патента: 133954

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Курносов, Сидоров, Сущик

МПК: H01L 21/24

Метки: базы, тонкой

...примеси, например силумина, и пластину 3, выполненную из кремния п-типа, Полученную структуру помешают в печь с заданным температурным градиентом (Т 1 ) Т,), направленным в сторону пластинки 3 из кремния и-типа (фиг, 1 а), Зная из опыта или соответствующего расчета скорость движения зоны при заданном градиенте, процесс ведут до тех пор, пока зона ра; плава не подойдет на необходимое расстояние (где д - толщина базы) к границе пластинки 3 из кремния и-типа. Зз133954тем, не охлаждая композиции ннжеточки звтектики ( - Ь 77), во избежание появления трещин в кремнии при малых величинах д, изменяют направление температурного градиента на обратное (Т 2) Т,) и отводят зону расплава в обратном направлении от полученной базы (фиг. 1,б) .Для...

Номер патента: 152033

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Зеликман, Лукашова, Цитовский

МПК: H01L 21/24

Метки: переходов, р-п

...особ получения р-и-п тличающийся т фузии примеси до 10 еходов, в исходную п т предварительно на бора,са дифр-и-невжига Известны способы получения р-и-переходов на кремтем диффузии бора, нанесенного на пластину кремния в о раствора борной кислоты, и последующего нагрева пласти р ратуре 1300 в течение 30 - 40 час.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет сократить время процесса диффузии примеси до 10 - 16 час и упростить технологию получения р-п-переходов Это достигается тем, что в исходную пластину кремния перед нанесением бора вжигают предварительно нанесенный слой алюминия.При осуществлении способа в пластину кремния при температуре 700 - 800 вжигают предварительно нанесенный слой алюминия, затем с помощью...

Номер патента: 293533

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Белановсклй, Данилин, Клюев, Филатов, Чери

МПК: H01L 21/24

Метки: германиевых, планарных, рр, транзисторов

...5 град(лшн.Последовательность операций следующая.На пластш 1 у германия наносят слой зац 1 цтной пленки с двух сторон. В выгравировашгое отверстие проводят диффузию для гоздацц,1(1)11 П 1 ОВ 1 ТСТВ ПО ЛОГ 3)1 НЗСОСТО:111:1 ОТН)В 11 Н 0 Н СОВСТС .(1 НН.1 С Г)ОВ (сб.). т 11. 1(ост)О)(сеОГО С 11)1)В 1 с)1 нн )1)датс.1 ьстВ, ОО)1 )11(1)нн и 1(1111)1(1 Г)Г( тО)1 Овлн базового слоя. Пластину вторично защищаот слоем пленки н гравируют отверстие для базового электрода. Проводят вторично диффузи)о с целью создания в базовом окне области с проводимостью, близкой к металлической.Проведение дополнительной диффузии вызвано необходимостью снизить посгоянцу(о времени го С. в части уменьшения сопротивления пассивной работы базы и, которое составляет...

Номер патента: 373794

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ксенофонтов

МПК: H01L 21/24

Метки: 373794

...повыше поз бот Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов.Извест,ен сплав, содержащий свинец, с.е.реб,ро и легирующую добавку в виде донорной или акцепторной примеси.Предлагаемый сплав позволяет снизить температуру изготовления контакта и получить ровный фронт вплавления. Он имеет следующий состав, %; медь 2 - 5, марганец 0,2 - 1, серебро 0,5 - 3, никель 0,05 - 0,5, легирующая примесь 0,1 - 0,3, остальное свинецТемпература плавления сплава около 300 С, температура сплавления с кремнием 550 тура сил авления сплава одниковому прибору раной температуре, окисная пленка марганца на поверхности не позволяет сплаву разорваться на отдельные каняи, что обеспечивает получение контакта большои площади. Сплав для...

Номер патента: 429482

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Кривошеев, Мисик, Ткин

МПК: H01L 21/24

Метки: арсениду, галлия, контактов, припой

...нейтральной примесью в арсениде галлия, то для образования невыпрямляющего перехода р+ - р-типа в свинец добавляется цинк, являющийся акцепторной примесью для баАз и образующий область р+-типа.Известный припой характеризуется плохим смачиванием полупроводника расплавленным припоем, вследствие чего в контактах и, особенно, в контактах большой площади наблюдаются несмоченные участки и неровный фронт вплавления.Предлагаемый припой позволяет улучшить смачивание полупроводника и повысить качество контактов за счет введения в припой в качестве составной части серебра, причем компоненты взяты в следующем соотношении, вес. %; цинк - 5 - 10; серебро - 2 - 5; свинец - остальное.Припой состава: 90,5% РЬ+7% Хп+2,5% Ад 5 использовался для...

Номер патента: 320227

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Акимов, Галаев, Горелик, Горшенин, Гофман, Ермошин, Коровин, Наумов, Преображенцев, Фронк, Шварцман

МПК: H01L 21/24

Метки: контакта, сплавного

...сэлектродным металлом. Окисная пленка может восстанавливаться либо впроцессе напыления активного металла, если подложку нагревают до соот"ветствующей температуры, либо в процессе сплавления.Слой германия наносят при необходимости уменьшить глубину вплавленияф количество растворенного кремния в жидкой ванне уменьшится благодарягерманию,Слой коррозионно-стойкого металлапредохраняет восстановленные участкикремния и нанесенный активный металлот окисления при выгрузке образцовиз вакуумной камеры для последующего нанесения электродного металла.Кроме того, в случае использованиясистемы кремний-титан-никель-золото,никель также снижает температуруначала появления жидкой фазы вследствие образования низкоплавкой тройной эвтектики...

Номер патента: 1537071

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Амирханов, Венков, Земский, Мельникова, Моисеева

МПК: H01L 21/24

Метки: биполярных, горизонтальных, транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГОРИЗОНТАЛЬНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание областей межкомпонентной изоляции, формирование в эпитаксиальном слое диффузионных областей контакта к пассивной базе второго типа проводимости, формирование области активной базы подлегированием эпитаксиального слоя примесью второго типа, создание коллекторных и эмиттерных областей первого типа проводимости и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия транзисторов и упрощения технологии их изготовления, после формирования области...

Номер патента: 1581124

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Бачурин, Верников, Енишерлова-Вельяшева, Левин, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/24

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование двухслойной полупроводниковой структуры путем термокомпрессионного соединения в инертной среде двух кремниевых подложек и создание в одном из слоев полупроводниковой структуры активных областей приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и улучшения электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре, перед термокомпрессионным соединением кремниевых подложек на соединяемой поверхности, по крайней мере одной из них, формируют пленку германия толщиной 0,5 - 2,0 мкм с удельным электрическим сопротивлением не выше удельного сопротивления каждой подложки, а...

Номер патента: 1814430

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Мякиненков, Ногин, Саратовский, Сейдман, Сопов

МПК: H01L 21/24

Метки: кремниевых, многослойных, структур

...структуры р -и-типа изготовленыедующим образом,Исходными являлись пластины моноисталлического кремния КДБ,01 и КДБ,ориентированные в плоскости (100),аметр пластин 60 мм, толщина 350-400км. Пластины проходили стандартную подтовку поверхности в перекисно-аммиачм растворе, после чего на поверхностьной из пластин напыляли слой тугоплавго металла (Т 1, толщина 0,05), а на поверость другой слой германия (бе, толщинаО). Пластины р и р складывали в столбикпарно, напыленными слоямй навстречууг другу, а размещали в цилиндрическийарцевый реактор печи СДС/125 и продили термообработку при температуре00 С в течение 1 ч в атмосфере формирга(смесь аргона и водорода). Для оценкичества полученных структур после термо-.работки изготавливали...

Номер патента: 1080675

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/24

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металла на кремний и нагрев структуры "металл-кремний" СВЧ-излучением с основной частотой 950 МГц - 1000 ГГц, плотностью поглощенной энергии излучения 0,2 - 2 кДж/см2 в течение 1 - 103 с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев и упрощения технологического процесса, перед СВЧ-нагревом нанесенный металлический слой облучают ионами элементов, обладающих электроотрицательностью меньшей чем электроотрицательность нанесенного металла, причемЭм - Ээ = Э

Номер патента: 884481

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Соколов

МПК: H01L 21/24, H01L 21/28

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5 с и временные промежутки между ними 10-2 -10-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формулеE c

Номер патента: 884482

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: C23C 14/00, H01L 21/24

Метки: диэлектриках, металлических, покрытий, полупроводниках, создания

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла;

Номер патента: 1047333

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/24

Метки: многослойных, покрытий, проводящих, создания

1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения всех слоев структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев проводят СВЧ излучением со следующими параметрами: длительность воздействия СВЧ излученичя 10-2 - 100 с, плотность поглощенной энергии СВЧ излучения 0,1 - 10 кДж/см2, основная частота СВЧ излучения определяется по...

Номер патента: 711947

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Корчков, Михайловский, Черепов

МПК: H01L 21/24

Метки: диодов, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществляют путем электрического пробоя слоя диэлектрика при напряженности поля 105-107 В/см и плотности тока 106-107 А/см2.

Номер патента: 1082233

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Колоскова, Корольков, Круус, Кузьмин, Локтаев, Марквичева, Нисневич, Сурженков, Фихтенгольц, Хуторянский

МПК: H01L 21/24

Метки: выпрямительных, элементов

Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пластины кремния удаляют нарушенный слой толщиной 5 - 20 мкм.

Номер патента: 596097

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Теплова

МПК: H01L 21/24

Метки: контактов, материал, омических

Материал для омических контактов к арсениду галлия n-типа на основе олова, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и времени его выжигания, он содержит дополнительно галлий и медь при следующем соотношении компонентов, мас.%:Олово - 54 - 55Галлий - 36 - 36,5Медь - 9 - 9,5