H01L 21/18 — приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения A

Номер патента: 37198

Опубликовано: 30.06.1934

Авторы: Козловский, Сысоев

МПК: H01L 21/18

Метки: выпрямитель, твердый

...последнего из пере.численных типа, т. е. с использованиемокислов таллия Т 1,0 - Т,Оа и состоитв форме выполнения его,Выпрямитель состоит из металлической таллиевой пластинки с нанесенным 1на ее поверхность тонким слоем моле-1кулярной смеси окислов таллия, к которой, в свою очередь, плотно прилегаетпромежуточный электрод нз бумажнойткани, пропитанный соединениями типаалюминатов таллия Я 1(ОТ 1)а. Поверх бумажной ткани плотно поижимается отводящий металлический электрод, В полученной таким образом комбинации 1движение электронов практически идетв направлении: отводящий электрод, алю. минат таллия, окислы таллия, металлический таллий.Опыты с таким выпрямителем показали, что таллиевый выпрямитель выгодно отличается в своих свойствах...

Номер патента: 175143

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Маркова, Стружинский

МПК: H01L 21/18

Метки: величины, германиевых, коэффициента, току, транзисторов, усиления

...ератур а при куо ллий, ность темп меди,же, кдий, гавозмонрабочи бретения едм икеля высок приприближается к Подписная группа9 Известны способы регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых триодов, основанные на введении различных примесей в состав эмиттерного сплава. Предложенный способ отличается от известных тем, что в состав эмиттерного сплава вводят никель, уменьшающий время жизни носителей в базовом слое и величину коэффициента переноса. Способ позволяет уменьшить коэффициент усиления по току и технологическии разброс по коэффициенту усиления, а также увеличить частотный предел германиевых полупроводниковых приборов.Примесь никеля в германии снижает время жизни носителей в базовом слое до единиц и долей...

Номер патента: 218214

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Корнилов

МПК: H01L 21/18

Метки: видикона, фотомишень

...центьзлот удельм слт. тодом рем- отоасшрить ов, попектра и упнов. Предмет из етен и в пиная из ся тем, увствиальной инком, в слт - з е 0,1% работающего ра, выполнен от тича 1 ощая пороговой ч едела спектр легирован ц е меньше 101 орого не вышмпенсация Изобретение относится к области инфракрасной техники и может найти применение в промышленном телевцдении и других областяхИзвестные фотомишени из различных мате- науки и техники,риалов и их комбинаций имеют ограниченный спектральный интервал в инфракрасной области спектра.Для увеличения пороговой чувствительности фотомишеней и расширения предела спектральной чувствительности предложено изготавливать фотомишени из монокристаллического кремния, легированного цинком, концентрация которого...

Номер патента: 232392

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Грехов, Линийчук, Челноков, Шуман

МПК: H01L 21/18

Метки: патеитнотехническая10киблиотека

...с целью получения хороших омическпх контактов;обслуживание припоем отникелированныхповерхностей пластинки и припайка токоотводящих электродов в виде молибденовых дисков, покрытых оловом;снятие фаски на специальном приспособлении для предотвращения возможного закорачивания электронно-дырочного перехода;травление в кипящей щелочи без каких-лио защитных покрытий с целью упрощенияочистки области электронно-дырочного перехода от загрязнений;сборка выпрямительного элемента в корпус. О Следует отметить, что такая технология неограничивает размеры получаемых выпрями- тельных элементов. Можно изготовлять выпрямительные элементы площадью от нескольких квадратных миллиметров до максимального 5 размера, ограниченного сечением монокристалла...

Номер патента: 400931

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/18

Метки: 400931

...5 чего его удобно использовать для эффективного легирования азотом.Использование пецтанитрида фосфоракроме обеспечения легировацця эпитаксиальных слоев азотом позволяет также уменьшить 10 расход фосфида галлия за счет насыщениягаллиевого расплава фосфором.П р и м е р, Эпцтаксиальная р-гг-структураизготавливается путем наращивания из галлиевого расплава г- и р-областей. В качестве 15 подложки могут быть использованы дендритцые пластины фосфида галлия, легированные теллуром до концентрации 4 10"+1 10 ггсм - .Подложка фосфида галлия и смесь, из которой производится эпитаксиальное наращива ние, помещаются в водородную печь. Смесьсостоит из Са+2,3 мол. % СгаР+ (0,2 - 0,9) мол. о/о Р,Х 5. Пластины фосфида галлия и смесь нагреваются в...

Номер патента: 348132

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александров, Клименко, Ржанов

МПК: H01L 21/18

Метки: инородным, кремния, монокристаллических, пластин, подложкам, присоединения

...пластиной и подложкой промежуточного слоя из мате- . ЗО риала, имеющего меньшую температуруплавления,.чем температура плавленияматериала пластины, и способного об- .разовывать.с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердыхрастворов. В результате прочно соеди-няются подложка с промежуточным слоемпри расплавлении последнего, а такжепромежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, прикоторых материал пластины еще относительно мало химически активен. Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и...

Номер патента: 599659

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/18

Метки: основе, полупроводниковых, приборов, соединений, типа

...с малыми размерами планарных р - п-переходов (менее 5 - 1 лгклг) их. элекг,рофизические характеристики лучптаготся, если с начала на поверхности полупроводника формируют непрерывный ряд твер,-дых растворов с шириной запрещенной зогны, возрастающей к поверхностги с градиентом 10" - 10 В/с 11, а затем образуют пла: нарный р - и-переход, например, путем ,диффузии примеси в структуру.В этом случае существенно уыеньшаетгся кривизна р - и-перехода и уменьшается угол выхода р - и-перехода на поверхность.В овязи с этим возрастает пробивное .нап 1)5 жение. Уменг,цгение кривизны р - п-перехода и угла выхода его ца паверхность вызвано особенностями диффузии примеси в такой структуре. Коэффициент диффузии примеси резко, возрастает с увеличением...

Номер патента: 680085

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Коваленко, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: арсениде, галлия, светодиодов

...и сохраняется высокая эффективность,Активная р-область ЯаАЗ ограничиваетсяпотенциальным барьером, подученным при33выращивании гетероперехода р 6 аА р АХОа Аз который ограничивает область рекомбинации неосновных носителей (потенциальный барьер отражает электроны инжектированные в р-области).Толщина активной области лежит в пределах 1,5-5 мкм оптимальное значение2-3 мкм.П р и м е р. Эпитаксиальные структу-, ры на основе арсенида галлия выращивали 43 методом жидкостной эпитаксии из раствора-расплава Са-Аа-Ы, ограниченного подложками 6 аАэ, собранными в пакет с зазором между ними 2 мм. В расплав галлия помещали 6 вес. % Аэ и 0,4 вес. % Зэ Й . Выращивание осуществляли на подложках бай, легированных оловом с и =7 10 см 3. При 900...

Номер патента: 555762

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Гавриленко, Загайтов, Кононенко, Кузовкин, Прохоров, Радомысленский, Шаповалов

МПК: H01L 21/18

Метки: германиевых, диодов, полупроводниковых, точечных

...германиевый кристалл,а чертеже изображен точечный германиевый диод, собранный по предлагаемому способу.Способ осуществляется следующим образомм.Для сборки держателя с кристаллом необходимы стеклянный баллон 1 с платиновым выводом 2, предварительно очищенный известными химическими способами для обеспечения смачивания вывода припоем, навеска 3 нз припойного сплава, никелевая прокладка 4, покрытая с двух сторон нанесенным гальваническим слоем припоя 5, кристалл 6, изготовленный из германия гг-типа. Детали помещаются в конвейерную печь, где в нейтральной среде при 400 - 500 С кристалл припаивается к никелевой прокладке, а никелевая навеска - к платиновому выводу После этого555762 Формула изобретения Редактор О. Филиппова Корректор А....

Номер патента: 972616

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Дьяченко, Ивановский, Колесов, Николаев

МПК: H01L 21/18

Метки: светодиодов

...сферической рабочейповерхностью, Вторым рабочим электродом устройства является опора 2,также связанная через переключатель3 с генератором 4, В полости цилиндра 1 установлен снабженный пружиной6 контактный датчик, Подвижный полый цилиндр 1 и съемный электрод 5являются электродами-инструментами фдля формообразования, Датчик 7 соединен с электроизмерительным прибором 8.З 5Устройство рабОтает следующимобразом.Включают электроискровой генератор 4 и, перемещая цилиндр 1 всторону опоры 2, электродом 5 изго Отовляют в опоре полусферическуюлунку 9 (фиг.2), соосную с цилиндром 1. Затем удаляют электрод 5,располагают на опоре 2 (в зазоремежду цилиндром 1 и опорой 2) полупроводниковую пластину 10 контактомк р-области таким образом, чтобыконтакт 11...

Номер патента: 862742

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Кандыба, Панова, Петрова

МПК: H01L 21/18

Метки: полевым, полупроводниковых, приборов, эффектом

...атмосфере, при этом энергия ионов фосфора составляет 35-65 кэВ, доза(1;2)10 ион/см, температура от-,жига 850-1050 С.В результате сокращения числа критических операций путем исключения операции нанесения третьего слоя при создании трехслойного подзатворного диэлектрика повышается выход годных полупроводниковых приборов с нолевым эффектом, имеющих изолированный затвор.Последовательность Формирования для создания областей истока и стока. Маскирующий слой удаляют и оро-,водят термообработку с целью активации внедренной примеси и ее разгон Однако поверхностная пленка ФСС может вступать в химическое взаимодействие с алюминиевым электродом затвора, вызывая его коррозию и увеличйвая положительный заряд в диэлектрике. Кроме того,...

Номер патента: 667007

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Козлов

МПК: H01L 21/18

Метки: омического, соединения

...соединения при одновременном сохранении электрофизических параметров исходных структур.Поставленная цель достигаетсятем, что по предложенному способусплавление проводят при 577-600 Сс выдержкой 40-50 мин,При таком режиме сплавления образуется. сплав алюминия с кремнием,66700 1 О 20 Изготовление омических соединений кремниевых структур с вольфрамовыми компенсаторами проводят при помощи алюминиевых или силуминовых дисков толщиной 40 мкм. Перед сплавлением детали тщательно обезжиривают, затем . помещают в кассету для сплавления в следующей последовательности: кремний, алюминий или силумин и вольфрамовый термокомпенсатор. Сверху устанавливают груз, кассету, помещают в вакуумную печь, нагревают до 577-, 600 ЧС и выдерживают 40-50 мин....

Номер патента: 1265894

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Белотелов, Патрацкий, Петров

МПК: H01L 21/18, H01L 31/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия.Цель изобретения - получение диэлектрических слоев на поверхности антимонида индия с отрицательным встроенным зарядом.На границе раздела структуры %0 - 1 пЬЬ образуется отрицательный заряд, препятствующий возникновению инверсного слоя на поверхности антимонида индия. В результате этого устраняются паразитные токи утечки, неуправляемые электрическим полем, и тем самым обеспечивает расширение диапазона выходных токов в фотодиодах и МДП-транзисторах, содержащих структуру Н 10 - 1 пЯЬ.Подложку антимонида индия р-типа проводимости марки...

Номер патента: 1085437

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Кассихин, Овчаренко

МПК: H01L 21/18

Метки: полевых, транзисторов

...удаляют. На фиг. 1 показана полупроводниковая подложка первого типа проводимости после нанесения на ее поверхность 55 первого диэлектрического слоя из двуокиси кремния, второго диэлектрического слоя на нитриде кремния, первого слоя фоторезиста, формирования в этих слоях отверстий и легирования через них примесью первого типа проводимости для образования диффузионного слоя в приповерхностном слое полупроводниковой подложки; на фиг.2 третий диэлектрический слой, нанесенный на поверхность полупроводниковой подложки после удаления первого слоя фоторезиста в отверстиях в первом и втором диэлектрических слоях, после удаления первого и второго диэлектрических слоев; на фиг. 3 - дополнительное нанесение второго слоя фоторезиста и...

Номер патента: 668502

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Гаштольд

МПК: H01L 21/18

Метки: геттер, уменьшения, уровня, шумов

...повыше ния эффективности очистки, но цриэтом ухудшить качество других электрофизических параметров изготавливаемого устройства,4. Ограниченность применения, поскольку геттер может использоватьсяв производстве очень небольшой номенклатуры изделий, которые должны удовлетворять следующим условиям; во-первых, не иметь электрического контакта со стороны подложки, посколькуслой геттера является диэлектриком,во-вторых, изготавливаться только спомощью метода термической диффузии.Целью настоящего изобретения является повышение воспроизводимостии эффективности геттера,Поставленная цель достигаетсятем, что в качестве геттера используют соединения типа БдК, где К -металлоиды 1 Ч, Ч и Ч 1 групп периодической системы, преимущественно углерод или...

Номер патента: 1816816

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Буряк, Горский, Дзензерский

МПК: C30B 29/06, C30B 33/06, H01L 21/18 ...

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, элементов

...против сил трения. Скорость вращения подвижного кристалла не ограничивается конкретными значениями. Важным является только принцип, согласно которому чем больше скорость вращения, тем быстрее идет процесс сращивания. Когда температура стыка достигает точки плавления коемния ( .1467 С), между. кристаллами образуется прослойка из жидкого кремния. Момент ее образования сопровождается резким уменьшением силы трения между кристаллами, что выражается в резком падении нагрузки на двигатель. В этот момент его останавливают и образовавшийся при кинетическом разогреве жидкий слой кристаллизуется за счет ухода тепла через твердую фазу.Если сращиваются монокристаллы, то в условиях формирования на ориентированных плоскостях как на подложках (при...

Номер патента: 695418

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральных, кремния, механоэлектрических, монокристаллического, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий термическое окисление пластин, двустороннюю фотолитографию, изготовление тензочувствительных компонентов, формирование мембран локальным травлением кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения диапазона линейного преобразования, после термического окисления пластин проводят формирование мембран локальным травлением, удаляют весь окисел с пластин, снимают с обеих сторон пластин тонкий слой кремния в полирующем травителе, проводят термическое окисление и двустороннюю фотолитографию, после чего изготовляют тензокомпоненты.

Номер патента: 1591750

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Коновалов, Лебедев, Шер

МПК: H01L 21/18

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание в кремниевой подложке n-типа первых диффузионных областей p-типа, формирование канавок, разделяющих p- и n-области в подложке, формирование диэлектрической пленки на поверхности канавок, осаждение поликремния, удаления материала подложки до вскрытия дна канавок и создание во вскрытых изолированных канавками участках кремниевой подложки диффузионных базовых и эмиттерных областей n-p-n- и p-n-p- транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных микросхем за счет повышения воспроизводимости параметров распределения примеси в p-n-p- транзисторных структурах, первые диффузионные области p-типа в кремниевой подложке создают глубиной, не превышающей разность между...

Номер патента: 1556432

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Бачурин, Садковская, Сопов, Федорова

МПК: H01L 21/18

Метки: высоковольтных, кремниевых, приборов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование в кремниевой подложке p-n-перехода с элементами краевой защиты от пробоя, формирование защитной пленки окисла кремния, алюминиевых электродов с контактными площадками, удаление защитной пленки окисла кремния с поверхности элементов краевой защиты, нанесение пассивирующей пленки поликремния, содержащей кислород, термообработку и присоединение к контактным площадкам внешних выводов, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов и повышения выхода годных за счет исключения взаимодействия электродов с пассивирующей пленкой поликремния, увеличения прочности соединения внешних выводов с контактными площадками и увеличения плотности...

Номер патента: 1825234

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Воронин, Губа, Плахотная

МПК: H01L 21/18

Метки: арсенида, галлия, интегральных, основе, полевых, структур, схем, транзисторов, шоттки

...Е 12 п 1=10 г см г и пг=104 см ш. Суммарная35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 заданная толщина буферного слоя равна 1 мкм, толщина каждой области (подслоя) порядка 0,14 мкм, В эпитаксиальную установку С 2877 подают водород, включают печь и выводят ее в рабочий температурный режим (температура источника 780 С, зоны роста 690 С), Через шлюзовое устройство на пьедестале устанавливают подложку ОаАз марки АГПЧ-12-18 (100), затем пьедестал помещают в зону роста. По достижении подложками температуры 690 С с помощью программы производят пуск ростовой (Нг+АзСз) и регулирующей (Нг+Аз 4) парогазовой смеси и проводят наращивание эпитаксиальных структур, управляя концентрацией глубоких уровней Е 12. Для получения в подслое концентрации глубоких...

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...

Номер патента: 1752139

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Асеев, Гаганов

МПК: H01L 21/18, H01L 21/44

Метки: мдп-конденсаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-КОНДЕНСАТОРОВ, включающий формирование диэлектрических и металлических слоев на поверхности полупроводниковой пластины, формирование топологии верхних металлических обкладок с площадью обкладки S0 групповым способом, причем толщины диэлектрических слоев и площади обкладок выбирают из условия соответствия их требуемой величине C0 емкости конденсаторов, измерение значений емкостей конденсаторов и разделение по классам точности, отличающийся тем, что, с целью воспроизводимости получения конденсаторов заданного класса точности, металлические обкладки формируют группами, отличающимися по площади в группе, при этом число n обкладок в каждой группе определяют согласно выражению

Номер патента: 1508867

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получение сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной поверхности подложки, заполнение углублений алюминием, создание градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры, до заполнения углублений алюминием в углублениях по их центрам выполняют дополнительные углубления, при этом отношение объема дополнительного углубления к объему основного углубления находится в диапазоне от 1 : 4 до 1 : 1000, а ширина дополнительных...

Номер патента: 1514175

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получения сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной ее поверхности, заполнение углубления алюминием, создания градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры по подложке, до заполнения углублений на дно углублений по центру наносят пленку двуокиси кремния, при этом отношение площади пленки двуокиси кремния к площади дна углубления находится в диапазоне от 1 : 2 до 1 : 1000, толщина пленки двуокиси кремния составляет от...

Номер патента: 1579340

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Битюрин, Миронов, Петров, Чириманов

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, лавино-пролетных, матрицы, мезаструктур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ МЕЗАСТРУКТУР ЛАВИНО-ПРОЛЕТНЫХ ДИОДОВ, включающий формирование на подложке германиевой или арсенидгаллиевой структуры типа n+-p-p+ (n+-n-p+), нанесение металлизации на структуру и ее разделение на отдельные активные элементы, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона генерации и повышения КПД диодов, в качестве материалв подложки используют медь, трехслойную структуру формируют путем нанесения на подложку слоев типа n+-p(n+-n), их рекристаллизации при 400 500oС, а p+-слои формируют на рекристаллизованной двухслойной структуре методом низкотемпературной диффузии.

Номер патента: 1628766

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин

МПК: H01L 21/18

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...

Номер патента: 1228711

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Гурский, Кузнецов, Кузьмин, Сулимин, Трайнис, Черепов, Шалыгина, Шурочков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.

Номер патента: 745297

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Кокин, Лукасевич, Любушкин, Манжа, Назаров, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур, транзисторных

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости характеристик транзисторных структур и увеличения процента выхода годных, перед осаждением легированной поликристаллической пленки кремния в эмиттерных окнах проводят предварительное подлегирование примесью того же типа проводимости, что и пленки поликристаллического кремния.

Номер патента: 1176774

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Венков, Манжа, Патюков, Шурчков

МПК: H01L 21/18

Метки: диффузионных, контактов, ним, областей, формирования

1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных областей и повышения процента выхода годных структур, после осаждения первого слоя поликремния легируют его примесью типа, противоположного типу проводимости подложки, после вскрытия окон в поликремнии и диэлектрике подтравливают диэлектрическую пленку под поликремнием, а термообработку проводят с...

Номер патента: 1595272

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Зеленцов, Козин, Лазаренко, Циганкова

МПК: H01L 21/18

Метки: магнитодиодов

Способ изготовления магнитодиодов, включающий формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подготовку параметров магнитодиодов по чувствительности путем механической шлифовки обратной стороны подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет повышения точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, перед подгонкой на обратной стороне подложки между инжекционными и приконтактными областями поперек продольных осей магнитодиодов локальным...