Марончук

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.

Номер патента: 774462

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асадов, Бахышев, Исмаилов, Максимов, Марончук, Соловьев

МПК: H01L 21/365

Метки: галлия, пленок, полупроводниковых, халькогенида

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H2 при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600oC и 230 - 300oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750oC, потоке водорода над источником...

Номер патента: 757048

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/28

Метки: балочных, выводов, контактов, металлических, омических, покрытий, полупроводниковым, структурам

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактного металла при температуре на 10 - 20oC меньше температуры вплавления, после вплавления охлаждают до температуры не ниже температуры плавления контактного металла и удаляют излишний металл из зазора.

Номер патента: 1082252

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Марончук

МПК: H01L 21/60

Метки: многоэлементных, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов, включающий разделение р-n-структур большой площади пазами с двух сторон на элементы и приварку металлических выводов путем приложения давления и температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и улучшения электрофизических параметров многоэлементных приборов, перед разделением структуры на элементы из металлической проволоки, образующей эвтектический сплав с полупроводниковым материалом, изготавливают группы контактных шин, которые прикладывают к полупроводниковым структурам и устанавливают в пакет последовательно с прижимным элементом, помещаемым в раму, выполненную из материала, отличного от...

Номер патента: 774293

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Литвин, Марончук

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, кассета, полупроводников, эпитаксии

Кассета для жидкостной эпитаксии полупроводников, выполненная в виде этажерки с установленными горизонтально и параллельно друг другу подложками, разделенными прокладками, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения условий заливки и удаления раствора-расплава из зазора между подложками, кассета выполнена в виде каркаса с горизонтальным сечением в форме правильного шестиугольника, в центре и в вершинах которого установлены вертикальные стержни, и вписанного в окружность радиусом, равным диаметру подложки плюс радиус центрального стержня, а в качестве прокладок использованы шайбы, размещенные на стержнях.

Номер патента: 764208

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Лисовенко, Марончук

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения...

Номер патента: 704314

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Золотухин, Марончук

МПК: H01L 31/0232

Метки: твердотельный, экран

Твердотельный экран для визуализации импульсов изображения, содержащий фоточувствительные элементы на основе многослойной полупроводниковой структуры и металлизированную мембрану на основе полимерной пленки, отличающийся тем, что, с целью управления перестройкой контраста при одновременном улучшении качества изображения, мембрана выполнена полупрозрачной и между ней и фоточувствительными элементами расположена изолирующая прослойка с ячейками, размер каждой из которых соответствует размеру группы однородных элементов экрана.

Номер патента: 762662

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Золотухин, Кравченко, Марончук

МПК: H01L 31/16

Метки: видения, ночного

Способ ночного видения, основанный на облучении объекта импульсами ИК-излучения не более 10-8 с и его визуализации с помощью фотопреобразователя мембранного типа, на который подают напряжение питания и со стороны, противоположной воздействию ИК-излучения, воздействуют видимым световым потоком, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изображения при одновременном увеличении помехозащиты, питания фотопреобразователей осуществляют импульсно с возрастающей амплитудой и синхронизируют его по времени включения с импульсами ИК-излучения, а интенсивность видимого светового потока изменяют синхронно с изменением напряжения питания фотопреобразователей.

Номер патента: 513562

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Сеношенко, Соловьев, Шерстяков, Энтин

МПК: G01N 21/55

Метки: варизонных, полупроводниковых, структур, характеристик

Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.

Номер патента: 489455

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Шерстяков

МПК: H05B 33/24

Метки: матричного, типа, экран, электролюминесцентный

Электролюминесцентный экран матричного типа на прозрачной подложке с металлизированной областью, образующей общий контакт, выполненный на основе полупроводниковых материалов и их твердых растворов и излучающий свет в видимой области спектра, отличающийся тем, что, с целью получения многоцветного изображения информации, элемент светодиодной матрицы состоит из набора p-n-переходов, расположенных на различной глубине в пленке твердого раствора с переменной шириной запрещенной зоны, а для подвода напряжения служат общий контакт и жгут изолированных один от другого металлических проводников, прижатый торцом к металлизированным областям пленки твердого раствора.

Номер патента: 460841

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Шерстяков

МПК: H05B 33/10

Метки: монолитного, экрана, электролюминесцентного

Способ изготовления монолитного электролюминесцентного экрана путем выращивания на полупроводниковых подложках эпитаксиальных p-n-p-n-слоев твердых растворов с заданным профилем ширины запрещенной зоны, убывающей к среднему p-n-переходу, с использованием маскирования и диффузии примеси, отличающийся тем, что, с целью получения изображения с преобразованием света из длинноволнового в коротковолновый, на подложке n-типа выращивают i-слой, в котором создают локальные р-области твердого раствора на всю глубину изолирующего слоя до подложки.

Номер патента: 803757

Опубликовано: 20.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/324

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ обработки эпитаксиальных структур, включающий отжиг при температуре ниже температуры их получения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрофизических параметров и уменьшения явлений деградации в приборах на их основе, отжиг проводят в градиенте температуры 30 - 100oC/см, направленном от эпитаксиального слоя к подложке, при средней температуре 300 - 600oC.

Номер патента: 1028196

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/324

Метки: iiibv, многослойных, соединений, структур, термообработки

Способ термообработки многослойных структур соединений AIII BV, включающий отжиг в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик приборов за счет выведения из рабочей области структур металлических микровключений, одновременно с отжигом производят облучение импульсами лазерного излучения с энергией квантов, на 0,1-0,3 эВ меньшей энергий края фундаментного поглощения полупроводника, со скважностью импульсов 102-103 и удельной мощностью 0,5-10 Дж/см2 с, причем лазерное излучение направляют излучение не менее нагретую поверхность...

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 780742

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, структур

Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают с поверхности, имеющей минимальную ширину запрещенной зоны, и в процессе травления на поверхность структуры воздействуют электромагнитным излучением, максимальная энергия квантов которого лежит в интервале от минимального до максимального значения ширины запрещенной зоны исходной структуры.

Номер патента: 971041

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пивоварова, Рудая, Спектор

МПК: H01L 21/66

Метки: p-n-структур, электролюминесцентных

Способ контроля электролюминесцентных p-n-структур, включающий измерение интенсивности электролюминесцентного излучения со стороны эпитаксиального слоя, отличающийся тем, что, с целью неразрушающего контроля толщины p-n-областей электролюминесцентной структуры, дополнительно измеряют интенсивность электролюминесцентного излучения со стороны подложки и по отношению определяют толщину p-n-областей.

Номер патента: 776400

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы путем изотермического смешивания расплавов, содержащих низкоактивный и высоактивный компоненты системы твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения структур твердых расплавов с шириной запрещенной зоны, возрастающей к поверхности, подложку предварительно покрывают слоем расплава, содержащего низкоактивный компонент, затем приводят в контакт с узкой полоской раствора-расплава, содержащего оба компонента и перемещают относительно ее со скоростью V = LD/(2h2) где L - ширина полости контакта, h - толщина слоя расплава на поверхности подложки, D - коэффициент диффузии высокоактивного компонента в...

Номер патента: 919540

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: селективных, структур, эпитаксиальных

Способ получения селективных эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы, включающий перемещение подложки, контактирующей с узкой полоской расплава при принудительном снижении температуры, отличающийся тем, что, целью упрощения технологии получения многоэлементарных структур улучшения их качества, снижают температуру со скоростью 5 10-3 - 10-2 град/с, а скорость перемещения подложки устанавливают из соотношенияV=D/L,где V - скорость перемещения подложки, мкм/с;D - коэффициент диффузии компонента, растворенного в расплаве, см2/с;L - линейный размер периода...

Номер патента: 1114258

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Латута, Марончук, Носовский, Тузовский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, подложек, термической

Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают нерабочие стороны подложек до температуры 900 - 1200oC.

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 915668

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: варианты, его, структур, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных а основе соединений типа AIIIBV жидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлий и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качестве, вводят второй раствор-расплав со скоростью, удовлетворяющей соотношениюV=Vт/K(T0+5+30),где V - скорость изменения соотношения концентрацией...

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 824694

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью осевого перемещения, имеющая в дне щель со скосом в одном направлении и выступы с наружной стороны, обеспечивающие зазор между дном и подложкой.

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Скаковский, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: жидкостной, полупроводниковых, эпитаксии

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Номер патента: 1009242

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зайцева, Лисовенко, Марончук, Соловьев, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, арсенида, галлия

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.

Номер патента: 701431

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатора, электролюминесцентного

Способ изготовления электролюминесцентного индикатора, включающий выращивание p-n-структуры, разрезание ее на полосы, укладку полос с заполнением промежутков диэлектриком и разрезание полученного монолита на пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, повышения КПД и рассеиваемой мощности, при укладке полосы соединяют с металлической фольгой, после чего фольгу гофрируют в состоянии с конструкцией индикатора.

Номер патента: 762636

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за...

Номер патента: 753313

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Марончук

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонных, параметров, структур

1. Способ определения параметров варизонных структур, основанный на измерении зависимости интенсивности фотолюминесценции от энергии квантов в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения экспрессности контроля параметров по площади варизонных структур с шириной запрещенной зоны, возрастающей от поверхности к указанной подложке, измеряют зависимость интенсивности фотолюминесценции в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения подложки и дифференциальных изменений интенсивности фотолюминесценции при модуляции длины волны возбуждающего излучения, от энергии возбуждающих квантов.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 816327

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая, Фомин

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, селективного, структур, травления

Способ селективного травления полупроводниковых структур, включающий травление участков полупроводникового кристалла в растворе электролита при приложенном напряжении, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик приборов путем селективного травления без маскирования, травление проводят при напряжении ниже порогового на 0,5-10 В при дополнительном воздействии на структуру лазерным излучением мощностью оптического излучения 1-100 вт/см2 с энергией фотонов, по крайней мере на 0,1 эВ большей ширины запрещенной зоны полупроводника.