Патенты с меткой «полупроводниковой»

Номер патента: 120169

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Воронин

МПК: F25B 21/02, F25D 11/00

Метки: полупроводниковой, термобатареей, холодильный, шкаф

...камерешкафа и снабжены радиаторами,В описываемом холодильном шкафу горячие спаи элементов помещены также в охлаждаемой камере с целью уменьшения расходования полупроводников для элементов, которые в этом случае выполнены в виде колец,внутри которых размещены горячие спаи.Для охлаждения последних применена вода, а с целью ее экономии подводящая водутруба помещена внутри колец и снабженаспирально размещенными выходными отвер 4- стиями, сообщающими воде турбулентноедвижение,На фиг. 1 изображен холодильный шкаф впродольном разрезе; на фиг. 2 - то же, вбоковом разрезе; на фиг. 3 - термобатарея.Термобатарея имеет форму цилиндра, состоящего из последовательно соединенныхкольцевых термоэлемептов 1. Наружные холодные спаи термоэлементов...

Номер патента: 121582

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Соколовский

МПК: G01D 5/36, G01L 23/08

Метки: аппаратуры, включения, индикации, полупроводниковой

...на кристаллическом триоле КТ, цацрцкер, типа Пбд, для п 1 тапия которого ожет нспользовзтьс батарея Б напряжением 1,5 - 2 б в. В цепь коллектора триода КТ включена обмотка 1 трансформатора Тр. В цепь основания триода вкгпочена обмотка П. Ицдикзторо слукит неоновая лампа Н 7, включенная пс,.,едовзтельно с оомоткой Н 7 трансформатора Тр, Посредством блокцнг-генератора Осушеств ястся преоб 1 зззование постоянного низого шпряжснця в импе;ьсы с больш"и амплитудой, обеспечивающие перцоднче:кцс вспышки неоцовон сигнальной лампы Н,)7, частота вспышек регулируется сопротивлением Р, В качестве лампы Н)7 может быть использовацз неоновая лампа типа М 1-1-5. Включение схемы производится ключом К. Моцность, потребляемая описанным индикаторным...

Номер патента: 134090

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Иванова

МПК: C25D 3/54, C25D 7/12

Метки: гальванического, двуокиси, олова, пленки, полупроводниковой, титанирования

...низкотемпер атур. ным коэффициентом сопротивления и хорошей износостойкостью,Титанирование полупроводниковой пленки производится в водном растворе любой из двойных солей титана: калий титан щавелевокислый, натрии титан виннокислый или натрий титан лимоннокислый. Концентрация соли титана в электролите выбирается в зависимости от толщины и омического сопротивления полупроводниковой пленки двуокиси олова, служащей катодом. Гальваническое осаждение титана проводится при плотностях тока порядка 4 - 8 ма/см и температуре раствора 18 - 25. рН раствора поддерживается в пределах 2,0 - 2,3 и корректируется серной кислотой. В качестве нерастворимых анодов применена платина. Процесс титанирования полупроводниковой пленки из двуокиси олова...

Номер патента: 208095

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Пироженко, Флидермойз

МПК: H02H 7/12

Метки: выпрямительной, защиты, полупроводниковой, установки

...е. на й/Ж, позволяет отключать установку до дос. тижения током величины короткого замыкания.Предлагаемое устройство для защиты полупроводниковой выпрямительной установки отличается от известных тем, что последователь но с отключающей катушкой быстродействующего автоматического выключателя включен тиристор, управляющий переход которого через КС-цепочку подключен к делителю напряжения, включенному параллельно реактору. Это позволяет увеличить токоограничение устройства и его быстродействие,На чертеже показана принципиальная электрическая схема устройства.Реактор 1 служит датчиком аварийной величины скорости нарастания тока и включен5 последовательно с нагрузкой 2. Параллельнореактору включен потенциометр 3, с помощьюкоторого...

Номер патента: 247930

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зев, Лик, Лимарь, Смирнов

МПК: G01G 23/04

Метки: двуокиси, легированной, полупроводниковой, титана

...полупроводниковой двуокиси титана путем совместного осаждения исходных компонентов из их растворов раствором аммиака, отличающийся тем, что, с целью повышения качества конечного продукта, осаждение ведут 10% -ным раствором аммиака при значении рН 7 - 7,5последующей прокалкой,не отмытого от хлористого аммония осадка при 600 - 650 С. Известен способ совместного осаждения элементов или соединений из их растворов раствором аммиака для получения однородного и мелкодисперсного,продукта. При этом раствор основного соединения и легирующей 5 добавки сливают в определенном соотношении и затем осаждают раствором аммиака путем параллельного сливания сзгешанноко раствора и раствора аммиака.Цель изобретения - повысить качест О нечного...

Номер патента: 280452

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Засецкий, Калашник, Кириченко, Кузнецов

МПК: C30B 25/00

Метки: ампула, восстановления, газовой, полупроводниковой, фазе, чистоты

...выполнена в виде капилляра с теплоизолирующей рубашкой, а перегородки - в виде вогнутых дисков с центральным соплом и каплеотбойником.Кроме т а с выходным и из о бр ете и 25 1. Ампула для восс фазе материала полуп 1 например, восстановлет ка из его хлорпда, содер тановленпя в газовой оводнпковой чистоты, пя водородом мышьяжащая куб-пспаритель ого, рабочая камера соединен ттуцером при помощи шлифа. Авторыизобретения Э .П. Засецкий,11 а чертеже схематически пзооракена предлагаемая ампула.Ампула содержит куб-испаритель 1 с входными штуцерами для подвода водорода н три 5 хлорида мышьяка и рабочую камеру 2 с перегородками(в зоне воостановления) и вставкой 4 (в зоне конденсации), В хвостовой части ампулы имеется штуцер 5 вывода продуктов...

Номер патента: 344779

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Буравцев, Введенский, Лушин, Шустов, Эйгель

МПК: H01L 21/00

Метки: пластины, полупроводниковой, рисунков, совмещения, фотошаблона

...пластины, а 15 плоскость, обращенная к шаровому сегменту,контактирует с чим при подключейии выводных каналов сегмента к вакуумной линии.Расположение гластины на промежуточнойопоре, подвешенной на консольной плоской 20 пружине, обладающей значительной поперечной устойчивостью, исключает смещение пластин в горизонтальной плоскости при поддуве шарового сегмента.После соединения шарового сегмента и опо ры с вакуумной магистралью в момент устранения рабочего зазора опора с плоской пружиной приобретает жесткость балки.На чертеже показана конструкция устройства для совмещения рисунков фотошаблона 30 и полупроводниковой пластины.344779 Предмет изобретения Составитель В. Гришин Редактор В. Рыбалова Техред Т. Миронова Корректоры: Е. Талалаева и...

Номер патента: 398067

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Герхарт, Иностранцы, Пауль

МПК: H01L 21/027

Метки: пластины, полупроводниковой, рисунка, рисунком, совмещения, фотошаблона

...и полупроводниковой пластиной 5 образуется зазор, равный высоте базового выступа эталона.На фиг. 1 представлено устройство длясовмещения,и экспонирования, общий вид; на фиг. 2 - устройство для совмещения, реали О зующее предложенный способ; ца фиг. 3, 4показано положение элементов устройства для совмещения вмомецты установки полупроводниковой пластины по эталону и установки в рабочем положении фотошаблона.15 Параллельность между полупроводццковой пластиной 1 и фотошаблоном 2 обеспечивается юст 11 ровкой пластины Относительно эталона 3. После поджима пластины к э.ало ну ее закрепляют в этом положении, смещают 20 эталон, а а его место устанавливают фотошаблон. При этом фотошаслсн устанавливается параллельно над цолуцровод 1 гцковой...

Номер патента: 372595

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Грамматин, Киселев, Лисовский, Лустберг, Лысюк, Уксусов

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковой, рисунков, совмещения, фотошаблона, экспонирования

...фотошаблона на полупроводниковую пластину, столика с манипулятором, на котором установлен фотошаблон, столика с полупроводниковой пластиной.Недостаток известных устройств - недостаточно высокая производительность,Целью изобретения является повышение производительности за счет одновременного совмещения и экспонирования двух пар фото- шаблонов и пластин,Цель достигается благодаря тому, что объектив выполнен зеркальным с кольцевым полем зрения,и установлен в вертикальном корпусе, на верхнем торце которого диаметрально противоположно его оси попарно расположены фотошаблоны и пластины, обращенные рабочими поверхностями в сторону объектива.На фиг. 1 показано предложенное устройство, продольный разрез по А - А; на фиг 2 - то же, вид сверху,На...

Номер патента: 414658

Опубликовано: 05.02.1974

Авторы: Дудко, Колегаев, Кравченко

МПК: H01L 21/302

Метки: выполнения, знаков, пластине, полупроводниковой, совмещения

...сполученные известным способом знаки совмещения не выдерживают длительной высокотемпературной обработки в окислительной среде, причем из-за окисления размеры знаков совмещения изменяются, что приводит к изменению расстояний между ними и изменению оптического контраста знаков.Цель изобретения - повышение стойкости знаков совмещения к окислению и обеопечение их высокой контрастности по отношению к окисному слою.Предлагаемый способ отличается тем, что в приповерхностных слоях пластины формируют дислокационные области путем электроннолучевой обработки пластины но заданному рисунку, затем методом фотолитографии вскрыдают в окисном слое окна по заданному рисунку и матируют обнаженные участки поверхности пластины путем вытравливания на них...

Номер патента: 480029

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Иванов, Манаенков, Седов, Урывский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, пластине, полупроводниковой, примесей

...фаз поперечной компоненты отраженной и падающей волны;6- разность фаз параллельной компонентыРаспределение концентрации примеси по толщине полупроводниковой пластины определяют следующим ооразом. Образец с неизвестным распределением примеси помещаюв приставку НПВО и, посылая на образец излучение меняющейся длины волны от мо. нохроматора, регистрируют изменение относительной разности фаз отраженной и падающей волн. Изменение фаз компонент отраженной и падающей волн определяют по форму- лам 25)з 1 п" О, - ии-созе - (2)2 я и 30 б созОпзд 1 яп 6 пд и2 зг иГлубину проникновения излучения можно определить как расстояние от границы раздела двух сред до того уровня, на котором амплитуда электрического поля уменьшается в 1 раз Лггр - (4)2...

Номер патента: 480041

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Бочкарева, Парицкий

МПК: G03C 5/16

Метки: кондуктографической, переходом, полупроводниковой, р-п, системе, съемки, фотографической

...электрический ток при величине внешнего напряжения, соответствующем рабочему участку вольтамперной характеристики электрохимической ячейки, Время пропускания тока (1) выбирается таким, чтобы плотность вуали на регистрирующей пленке была достаточно малойУ (10 мин о( где ( - величина тока; 0, - порог почернения регистрирующей пленки; Оо - плотность вуали; у - коэффициент контраста регистрирующей планки.Затем регулировкой внешнего напряжения устанавливается нулевой ток и открывается световой затвор, световое изображение при этом проектируется в плоскость р - и перехода. Далее следует одновременно и световая, и электрическая экспозиция. При таком способе съемки в регистрирующей электрохимической ячейке происходят процессы, приводящие...

Номер патента: 480925

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: G01K 7/01

Метки: полупроводниковой, структуры, температуры

...или ее малых отклонений.Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 10 - зС в интервале температур от 50 до +100 С,В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у...

Номер патента: 511794

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Чармакадзе, Чиковани

МПК: H05B 33/10

Метки: полупроводниковой, светоизлучающей, структуры

...1 ошего выокуюэфф,к,ь изчельней рекомбинацииЭто достигается тем что процесс выращивания производится при последовательНОЙ смене тга подложке из арсенида галлиядвух растворов-расп:тавов, причем второйраствор-расплав., содержащий примесь доадвигается так, что на под слой толщиной 200-600 м1794 16+РЦД М. ПЕЕЫХМ КОРРИ:ТОР В, Е прияыы Редактор Н. Лвнипавнч Заказ 5361/163 Тираж 1029 ПодписноеПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открь 1 тий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 51кальным градиентом, После достижения темопературы 960 + 5 С и выдержки при этойтемпературе в течение 30 мин первыйраствор - расплав подвигается на подложку и при снижении...

Номер патента: 545020

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Аверченко, Зобенс, Ковалевский, Харламова

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластины, полупроводниковой, разделения

...проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных и 545020.Оставн 1 сл Н, ОстровскаТсхрсд А. К 11 мкниннкова лактор Е. Караулова ррсктор А. Николаева Пол 1 гнсноГССР Заказ 209,Изд 1 о 166 Тираж 1019 Гол дарственного комитета Совета .Л 1 иннстро по лелагв изобретений н открытий 13035, Москва, )К1 аушскан наб., л. 4 51 ИПИ 11 н 1 ографив, ир. Сапунов положенную между линией разделения, например, риской, наносимой инструментом при скрайбировании, и той частью кристалла, в которой создан полупроводниковый прибор. Такими локальными областями в приповерхностном слое являются границы различных фаз и места концентрации...

Номер патента: 599662

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Веревкина, Кулешов, Суровцев, Сыноров

МПК: H01L 21/263

Метки: глубины, нарушенного, пластины, полупроводниковой, слоя

...в высокоЧастотном поле допоявления скин эффекта и выдерживаютв течение 2-5 с, после чего по среднеймаксимальной протяженности следов ориентированных каналов проплавления и ихформе определяют глубину нарушенногослоя и ориентацию монокристаллнческойпластины.На чертеже приведена зависимостьсредней максимальной плошади следовориентироваееееых каналов проплавленияна поверхности кремния ориентации(100) фот глубины нарушенного слояПри индукционном нагреве полупроводниковой пластины (с одновременной инициацией собственной проводимости в полупроводнике) на периферии последнего возникает скин-эффект Обнаруживаемый по появлению ярко светящегося ободка на пластине, Прн выдерживанпи пластины в указанных услоьиях в течение 2-5 с...

Номер патента: 647620

Опубликовано: 15.02.1979

Автор: Желтиков

МПК: G01R 27/26

Метки: полупроводниковой, стабильности, схемы, температурной, усилительной

...ния Процесс измерения заключается в следующем,Б процессе машинного метода расчет полупроводниковых усилительных схем и экспериментального исследования параметров рассчитанных схем при различных внешних воздействиях установлено, что существует связь между температурной стабильностью и изменением коэффициента усиления схемы в зависимости от напряжения источника ее питания.-35, Рауш Тир 4 ИИПИ Госуда по делам и 35, Москва, аказ 299/38 Подписикомитета СССоткрытийскан наб., д. филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул ктная На чертеже представлена схема дляизмерения приращения коэффициента усиления усилительной схемы в зависимостиот изменения напряжения источника еепитания.Напряжение питания при измеренияхподается на усилительную схему 1 отисточника...

Номер патента: 664239

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Концевой, Корнилов, Мирошникова, Пятышев

МПК: H01J 29/45

Метки: крепления, пластины, полупроводниковой, узел

...хорошую адгеэию всей металлизации. Яа слой. никеля напылен слой 4 меди толщиной 1-:2 для хорошей адгезии серебряного с Серебряные покрытия 5 и 6 кремние пластины и термокомпенсатора, полученные гальваническим способом, раство" ряются в припое 7 индий-серебро и образует прочный паяный шов на основе твердого раствора индий-серебро. Слой 8 меди обеспечивает адгезйю серебряного покрытия 6 к слою 9 никеля, нанесенному на кремниевый кольцеобразный термокомпенсатор 10.Термокомпенсатор изготовлен из кремния, внешний "диаметр его равен диаметру полупроводниковой пластины, а внутрейний диаметр равен внутрен664239 4Формула изобретения нему диаметру кольцевого основания;высота термокомпенсатора 0,2 см.Термокомпенсатор соединен с молибденовым...

Номер патента: 691929

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Горин, Данилов, Рапопорт, Цинин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...и системыпамяти, необходимо ввести в устройство контроля возможность дискретного изменения временных соотношений .между импульсами временной диаграммыпроверяемой памяти,Целью изобретения является расширение функциональных воэможностейустройства.Поставленная цель достигается тем, 35что устройство содержит многоканальный блок. формирования временной диаграммы, состоящий из счетчиков, триггера и двух компараторов, одни иэвходов которых соединены с выходами 40соответствующих счетчиков, входы которых подключены к соответствующимвыходам блока управления, выходыкомпараторов соединены с входамитриггера, выход которого поцключенк одному из входов второго блока сопряжения. Яа фиг.1 пр дставлена блок-схема устройства для контроля полупровод...

Номер патента: 668506

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Баранов, Бессолов, Лидейкис, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковой, структуры

...расплаве увеличивают от 0,5%до 2,8% в процессе роста слоя, что приводитк возрастанию пересыщения основного распла.ва и уменьшению градиента ширины запретной 25 зоны,Таким образом, данным способоммогутбыть получены полупроводниковые структурыс заданным грациепом ширины запретнойзоны. 30 1. Способ получения полулроводниковойструктуры на основе твердых растворов соединений типа А В, преимущественноба 1 х АРЯЬ, иэотермическим смешиваниемосновного расплава, преимущественно баЯЬнаходящегося в контакте с монокрнсталлической подложкой, преимущественно баЯЬ, срасплавом для пересьпцения, содержащим преимущественно ба, Аг ЯЬ, о т л и ч а ю щ и й.с я тем, по, с целью создания варизонныхструктур с заданным значением градиента шири ны запрещенной...

Номер патента: 746515

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Присяжнюк, Юрасов, Яковлев

МПК: G06F 9/00, G11C 11/34

Метки: памятью, полупроводниковой

...качестве блока 1 7 воз 15 фможно использование дешифратора кодаадреса,Работу устройства рассмотрим на примере формирования выходных управляющих сигналов в режиме записи для двухтипов накопителей, кристаллы которых отличаются по частотным свойствам. Приобращении к устройству по, сигналу обращение запускаются генераторы 16 и10, При этом код адреса запоминаетсяна регистре 11 адреса. В соответствиис определенными разрядами кода адреса.,на одном из выходов блока 17 появляется управляющий сигнал, который подключает соответствующий генератор 1 6 через элемент ИЛИ 14, на вход блока 1управления. Для выполнения одного изрежимов, например, записи,на другойвход блока 1 и второй вход блока 17поступает сигнал "запись", Тактовыеимпульсы поступающие на...

Номер патента: 749887

Опубликовано: 23.07.1980

Автор: Гаврилов

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...памяти. Если хотя бы передает на свои выход сигналы адресашачодин сбой имел место, что зафиксировано 5 с выхода гене 2. Б 43в локе управления, осуществляется пюре" тактового импульса от генератора 1 формы.ч чход на диагностическии этап, которыи начн- рует цикл временной развертки, под действиемнается с опроса накопителя 11 для выявле- которой блок 5 передает тестовое воздействиения адреса первой "сбойной" ячейки. Для этого на входы испытуемого блока памяти, Затемблок 3 управления последовательно изменяет . 1 р под действием второго тактового импульса ссостояние счетчика 10, с выхода которого генератора 1 блок 3 управления переключаетсигналы передаются адресным мультиплексоромадресный мультиплексор 9 на передачу сигналов9 на...

Номер патента: 771730

Опубликовано: 15.10.1980

Автор: Гаврилов

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...значение действующего тестового воздействия, а затем, восстановив на выходах блока 8 значения восстанавливающего тестового воздействия, Формирует импульс записи в накопитель 12. После этого продолжается испытание на исходную ТП, для чего возобновляется работа генератора 1, Если несоответствия при анализе состояния сбойной ЯП после его восстановления обнаружено не было, начинается диагностический этап, который начинается с возврата по ТП до первого оператора обращения к сбойной ЯП, адрес . которой зафиксирован в накопителе 10. Для этого блок 3 переключает генератор 2 на реверс и запускает ге- . нератор 1, Нри этом генератор 2 начинает вырабатывать последовательность тестовых воздействий в обратном направлении. Блок 8 под действием...

Номер патента: 777770

Опубликовано: 07.11.1980

Автор: Таршиков

МПК: H02H 7/10

Метки: аппаратуры, замыканий, защиты, коротких, нагрузке, полупроводниковой

...зазора ет и ь 13 пода олу- стаи 4 хра - 15 ормула изобретения переменного тока анитель 1 на стая и нормально отСпособ защиты полупроводниковой аппаратуры от коротких замыканий в нагрузИзобретение относится к области защиты преобразователей.Известен способ защиты аппаратуры, при котором воздействуют на систему управления в сочетании с емкостным прерыванием 1. Недостатком этого способа являются трудности при защите стабилизаторов.Известен также способ защиты полупроводниковой аппаратуры контактным коммутатором 2,Недостатком известного способа недостаточная селективность.Цель изобретения - повышение селективности защиты параллельно включенных нагрузок. 15Эта цель достигаетс что контакты коммутатора после ния нагрузки сближают до заданного...

Номер патента: 792271

Опубликовано: 30.12.1980

Автор: Данилов

МПК: G06K 9/00

Метки: диэлектрической, контура, металлизированного, подложке, полупроводниковой, рисунка, слоя

...подложке,заключающемся в формирова. нии сигнала зондирования при сканировании рисунка и регистрации отраженного светового потока, его сканирование осуществляют пучком линейно-поляризованного света, вектор электрического ноля которого параллелен плоскости подложки, а угол падения соответствует утлу Брюстера.Сущность изобретения состоит в использова. иии явления поляризации при отражении света от полупроводниковых и диэлектрических материалов. Известно, что свет представляет собой электромагнитные волны. Векторы напряженностей Е и Й электрического и магнитных полей этих волн колеблются перпенди 30 кулярно друг к другу и вектору скорости распространения волны 7, т,е. электромагнитные волны являются поперечными.Если вектор Е в...

Номер патента: 875469

Опубликовано: 23.10.1981

Автор: Гаврилов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, полупроводниковой

...при считывании из которых покрайней мере один раз было обнаружено несоответствие требуемой реакции,Он начинается с установки генератора 2 в исходное состояние, мультиплексоров 18 и 9 на передачу сигналовсоответственно с регистра 14 и генератора 2. В нулевое состояние устанавливаются счетчик 10, накопитель 11 ирегистр 15. Все разряды регистра 19устанавливаются в единичное состояние.40 ячейки, и устройство переходит на второй этап локализации неисправностей.Второй этап начинается с установки в нулевое состояние регистров 22и 23, а всех разрядов регистра 15в единичное состояние. Генератор 2начинает вырабатывать специальную ТП,предназначенную для локализации неисправностей 2-го типа.На втором этапе генератор 2 вырабатывает...

Номер патента: 879678

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Вигдорович, Коровина, Струков, Урывский, Чуриков

МПК: H01L 21/00

Метки: локальной, пластины, полупроводниковой, электрохимической

...корпуса выполненосъемным,На чертеже показано предлагаемоеустройство.Оно содержит корпус 1, на основании 2 которого установлен жестко катод 3, выполненный в виде токопроводящей пластины с помощью винта 4Образец 5, в качестве которого берутполупроводниковую пластину,с пленкойб прижимается к катоду 3 с помощьюкольца 7 с резьбой через уплотнители 158. Кольцо 7 установлено на выступахкорпуса 1 и образует зону обработкипластины. В корпусе ванны выполненыкольцевые проточки 9 для удобствазагрузки пластин различного диаметра. 2 ОПрижимное усилие, создаваемое кольцом,выполненным из диэлектрика, регулируется так, чтобы электролит 10 непроникал в кольцевую проточку 9 и несоздавал замыкания электрическоготока через электролит, минуя пористуюокисную...

Номер патента: 924778

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Комаров, Никулин, Поярков

МПК: H01L 21/66

Метки: визуального, микроструктур, пластине, полупроводниковой

...пластина 20 с микроструктурами располагается на предметном столеНа пластине-держателе 14 фиксируется перфокарта 21 с записанной ранееюо информацией о годности микроструктур полупроводниковой пластины 20 по электрическим параметрам (отверстие в перфокарте означает брак данной микроструктуры).45В исходном положении электромагнит 9 включен в зонд-пуансон 5,притянут к сердечнику электромагнита благодаря наличию зазора между зондом-пуансоном 5 и рычагом 12. При перемещении предметного стола 1 на шаг электро 50 магнит 9 отключается и зонд-пуансон 5 опускается, Если при этом на перфокарте 21 в месте нахождения зонда- пуансона 5 будет отверстие, что свидетельствует о браке кристалла микроструктуры по электрическим параметрам, рабочая...

Номер патента: 945904

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Волох, Кулаков, Лось, Рябцев, Холохолов, Шамарин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...а регистра 8 - 00111111111111.В программе проверки также должна быть занесена команда, по которой производится анализ сигнала сравнения регистров 17 и 9.По сигналу пуска устройства в одном иэ программных регистров 13 устанавливается адрес ячейки памяти, с которого начинается программа проверки. Код адреса поступает в накопитель 12 для выборки информации. Информация из накопителя 12 поступает на дешифратор 11, где определяется признак команды и условия для считывания следующей команды, которые поступают на регистры 13, запоминаются там и выдаются в накопитель 12, из которого новая информация снова поступает на дешифратор 11. В процессе считывания информации устанавливается начальный и конечный адреса ячеек памяти проверяемой...

Номер патента: 953536

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Борисов, Горюнов, Назарова

МПК: G01N 19/04

Метки: качества, подложки, полупроводниковой, соединения, электровыводами

...к свободным выходам источника 3 напряжения и измерительного 2 оприбора 4 и блока 2 электрическойнагрузки. К испытуемому соединению 5прикладывают одновременно механическую и электрическую нагрузки.Механическую нагрузку отрыва электрровыводов от полупроводниковой подложки создают блоком 1 механическогонагружения, например вибростендом, аэлектрическую - от источника 3 напряжения, на котором устанавливают рабочее напряжение 30-60 В, При прохождении электрического тока черезполупроводниковую подложку рабочеенапряжение источника 3 напряжения понижается до напряжения срабатывания35полупроводниковой подложки, котороез ави си т от ее мате ри ала, и, напри"мер, для кремниевой полупроводниковойподложки составляет О,8-1,6 В,В случае...