Сулимин

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...

Номер патента: 1228711

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Гурский, Кузнецов, Кузьмин, Сулимин, Трайнис, Черепов, Шалыгина, Шурочков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.

Номер патента: 758971

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Коваленко, Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Сулимин

МПК: H01L 21/822

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ с боковой диэлектрической изоляцией, включающий операции термического окисления, нанесение диэлектрического слоя, селективное травление по отношению к окислу кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях, легирование для формирования базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых приборов и процента выхода годных, после операции термического окисления и вскрытия окон в окисле формируют базовую область, наносят диэлектрический слой и проводят вскрытие в нем окон под эмиттер так, что окна в термическом окисле и диэлектрическом слое перекрещиваются, после чего осуществляют легирование для формирования эмиттерной области.

Номер патента: 952051

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Ишков, Кокин, Лукасевич, Манжа, Сулимин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции окисления, формирования скрытых слоев, наращивания эпитаксиальной пленки, диэлектрических слоев, создания изолирующих и базовых областей транзисторных структур, вытравливания в диэлектрике эмиттерных и коллекторных окон, наращивания легированной пленки кремния, термического отжига для перераспределения примеси, обтравливания легированной пленки кремния, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных интегральных схем и повышения их надежности, после создания базовых областей формируют дополнительное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для пленки кремния, а обтравливание легированной пленки кремния осуществляют при формировании металлизации.

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 764557

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Манжа, Одиноков, Сулимин, Чистяков

МПК: H01L 21/311

Метки: композициях, отверстий, пленочных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЯХ, включающий формирование первого и второго маскирующих слоев, фотолитографию и травление, отличающийся тем, что, с целью получения узких отверстий, после формирования на первое максирующее покрытие наносят слой поликристаллического кремния, формируют на его поверхности вспомогательное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для поликристаллического кремния и первого маскирующего покрытия, методом фотолитографии, формируют островки из поликристаллического кремния и вспомогательного маскирующего покрытия в местах требуемого расположения узких отверстий, под защитой вспомогательного покрытия подтравливают поликристаллический кремний по периметру вышеупомянутых островков, затем формируют...

Номер патента: 1820722

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Даки, Сидоренко, Сулимин

МПК: G01N 27/28

Метки: датчик, потенциала, электрохимического

...погрешность измерения датчика по отношению к хлор-серебряному электроду не превышает 1-1,2, Внутренняя проводимость датчика также влияет на точность измерения, особенно при высокоомных грунтах, Для повышения внутренней проводимости датчика керамическую подложку пропитывают водным раствором электролита. В качестве электролита может быть использован 5-20;(,-ный раствор МаС или КаС 1, При работе датчика в морской воде или в солончаках пропитку можно не производить.Дополнительный электрод 4 должен быть выполнен из того же материала, что и защищаемое сооружение, Отличие в химическом составе электрода 4 и защищаемого сооружения приводит к резкому увеличению погрешности измерения (до 20 и выше), Электрод 4 наносят на подложкуметодом...

Номер патента: 1477175

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Алексеев, Валеев, Гущин, Сулимин, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, нанесение пленки резиста, локальное удаление пленки резиста с использованием литографического процесса, формирование органической пленки из жидкой фазы, одновременное травление органической и диэлектрической пленок до вскрытия проводников, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников, локальное удаление пленки резиста проводят над центральной частью поверхности проводников так, что оставшаяся часть пленки резиста покрывает пространство между...

Номер патента: 1695777

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Загороднев, Кузнецов, Сулимин, Фатькин, Фишель, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на подложке с активными и пассивными элементами проводников, формирование межуровневой изоляции путем нанесения первого диэлектрического слоя, сглаживания рельефа и нанесения второго диэлектрического слоя, формирование межуровневых окон и проводников верхнего уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и выхода годных изделий, первый диэлектрический слой наносят толщиной 0,6 - 0,8 толщины межуровневой изоляции, а сглаживание рельефа осуществляют методом магнетронного ВЧ-распыления части первого диэлектрического слоя в среде аргона или удельной мощности на подложке 0,7 - 3 Вт/см2, давлении 1 - 4

Номер патента: 1421000

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Даки, Сидоренко, Сулимин

МПК: C23F 13/00

Метки: датчик, потенциала, электрохимического

1. ДАТЧИК ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА для устройства электрохимической защиты подземных сооружений от коррозии, содержащий два изолированных между собой металлических электрода разной площади, первый из которых выполнен из меди, соединенных с одного конца между собой и с выводным кабелем, отличающийся тем, что, с целью снижения капитальных затрат на изготовление датчика путем увеличения внутренней проводимости и снижения металлоемкости, изолирующий элемент выполнен в виде подложки из пористой керамики, пропитанной водным раствором электролита, электроды - в виде пластин, причем на каждой поверхности подложки разнородные пластины чередуются с зазором между ними и укреплены так, что каждой пластине одного материала на одной поверхности...

Номер патента: 1700743

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Ежов, Петров, Полозов, Резников, Ровинский, Сулимин, Щелкунов

МПК: H03F 3/38

Метки: гальванической, развязкой, усилитель

...на первом и втором транзисторах 11,12, дополнительном трансформаторе 13, первом и втором резисторах 14, 15 и конденсаторе 16. Для уменьшения ошибки коэффициента передачи устройства генератор импульсов 7 выполнен маломощным, питание входного и выходного усилителей постоянного тока 1, 2 и синхоонизация модулятора 3 и демодулятора 4 осуществляются от питающего трансФорматора 6. Выходное напряжение усилителя мощности 10 благодаря введению конденсатора 16 становится гладким без выбросов и высокочастотных колебаний. Влияние индуктивности рассеяния сигнального трансформатора 5 исключается первой и второй последовательными ВС-цепями 8, 9, которые вносят затухание в колебательный процесс. 1 ил.Заказ 4477 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1691779

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Муравьев, Стоянов, Сулимин, Сурова

МПК: G01R 27/20

Метки: грунта, сопротивления, удельного

...усиления первого усилителя 11.1 и изменением коэффициента усиления второго усилителя 11.2, вносится коэффициент поправки при измерении длины глубинного анодного заземлителя в зависимости от его диаметра,Формула изобретения Устройство для измерения удельного сопротивления грунта, содержащее генера- . тор измерительного тока, первый дифференциальный усилитель, блок деления, индикатор, заземлитель, токовый и два по 15 тенциальных электрода, причем первый вывод генератора измерительного тока соединен с заземлителем, а второй - с токовым электродом, первый вход первого дифференциального усилителя соединен с заземлителем, а второй - с первым потенциальным электродом, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения...

Номер патента: 1647466

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Муравьев, Сулимин

МПК: G01R 19/00, G01R 29/12

Метки: защищенных, катодно, конструкций, металл-земля, металлических, потенциала

...2 и поступает на вход блока 4 индикации знака, Полярность потенциала, плюс или минус, индицируется с помощью светодиодов. С второго выхода дифференциального усилителя 2 сигнал поступает на первый вход компаратора 5, который осуществляет сравнение последующего значения потенциала с предыдущим, запомненным в блоке б памяти. При нажатии кнопки "Уст,0" блок 7 управления, содержащий триггер и, два одновибратора, вырабатывает два импульса - импульс сброса и импульс записи. Импульс сброса устанавливает в ноль счетчик 12, а значит, и блок б памяти, и регистрирующий прибор 8, Импульс записи поступает на второй вход блока 6 памяти, Срабатывает триггер 9, открывает логический вентиль 10, и на вход счетчика 12 поступают импульсы с выхода...

Номер патента: 1589181

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Соколов, Сулимин, Хмельницкий

МПК: G01N 27/02

Метки: изоляционного, качества, металлического, подземного, покрытия, протяженного, сооружения

...измерения (протяженность сооружения, структура грунта и др.).В конце контролируемого участка измеряют падение напряжения между металлом сооружения и электродом сравнения, Отключают источник тока в момент времени С (фиг.1) и измеряют динамическую величину напряжения Б(С). По реализации определяют величину поляризационного потенциала О как разность начального и конечного значений напряжения перехоц ного процесса: П, = Ц, - Б,де 15 пп - величина поляр из аци онного потенциала; 20Б (С) - напряжение начала пере 1ходного процесса;Б - естественная разностьКпотенциалов в цепи сооружение - заземленныйэлектрод.По расчетной номограмме, ставящейв соответствие площадь оголения,т,е.качество покрытия и величину поляризационного потенциала - Бпд,...

Номер патента: 1579474

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Беляев, Пушкарев, Размыслович, Сулимин

МПК: A01B 33/02, A01B 33/12

Метки: орудие, почвообрабатывающее

...24 для перемещения оси 6 и регулирования осевого зазора в механизме привода рабочих органов 4, Для соединения с полуоськ 1 кронштейн 16 имеет шлицевое отверстие 25. Регулирование осевого зазора в механизме привода рабочих органов 4 может быть осуществлено также, например, винтом 19, установленным в нижней части кронштейна 16, путем воздействия на опорную подвеску 26, расположенную между кольцом 10 и кронштей 20 25 30 35 40 45 50 55 ном 16 со смещением относительно оси б. На барабане 2 имеется обод 27 с ячейками 28 на внутренней поверхности, На цилиндрической поверхности барабана 2 имеются закрываемые окна 29.Почвообрабатывающее орудие работает следующим образом,При вращении барабана 2, например, по часовой стрелке (когда основная...

Номер патента: 1390700

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Базуткин, Обязуев, Сальников, Сулимин

МПК: H02H 9/04

Метки: защиты, импульсных, перенапряжений, электроустановки

...тока через ограничитель 6. Этодостигается тем, что ток из цепи ограничителя 6 перенапряжения переводится в цепь ограничителя 5, послетого как ограничитель 6 исчерпаетсвою пропускную способность. Еслидлительность волны тока через ограничитель 6 превысит величину уставкиреле 8 времени, сигнал с выхода датчика 10 тока пройдет на управляющийвход коммутационного аппарата 9,включая последний. Уставка реле 8времени выбирается из условия допустимой длительности протекания сопроевождающего тока через ограничитель бперенапряжения, Пороговый элемент 7исключает прохождение сигнала с выхода датчика 10 тока на управляющийвход коммутационного аппарата 9 припротекании через ограничитель 6.Порог срабатывания элемента 7 выбирается из условия...

Номер патента: 1285400

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Муравьев, Серебряков, Соколов, Сулимин, Щелкунов

МПК: G01R 27/20

Метки: глубинного, диагностики, заземлителя

...сопротивление грунта, Ом м; 45(4) где 1 - полный ток, стекающий с токового электрода, А;Ь - расстояние между глубиннымэаземпителем 2 и токовымэлектродом 3.Так как длина токового электрода 3 значительно меньше длины глубинного заземпителя 2 1 з, то токовый2электрод, можно рассматривать как точечный источник. Поскольку полные токи, стекающие (втекающие) с глубинного заэемлителя и токового электрода, равны, то по- лучим 1-а( - )а -- р -- (5) о 23(Е) - линейная плотность тока утеч.ки глубинного заземпителя,А/м;- длина глубинного заземпителя,текущая координата глубинного заземпителя;г - расстояние от глубинного заземпителя 2 до точки установ-,ки электрода 5 сравнения, м,Приняв аппроксимацию тока утечкис глубинного заземпителя 2 в...

Номер патента: 1252403

Опубликовано: 23.08.1986

Авторы: Бурнаев, Кутельвас, Сулимин, Хакимов

МПК: D01B 9/00

Метки: волокнистых, увлажнения

...способ.Включают электропривод 17 и замыкают выключатель 19, Одновременно сначалом перемещения ленточного транспортера 4 замыкается выключатель 20.Сжатый воздух от источника 12 черезфильтр 13 и реле 14 давления поступает на вход электромагнитного клапана 15. Увлажняющая жидкость от источника 10 через фильтр 1 поступает навход электромагнитного клапана 16.При определенном давлении сжатого воздуха включается реле 14, которое замыкает выключатель 18, Через 20замкнутые выключатели 18-20 напряжение подается на электромагнитные клупаны 15 и 16, которые открываются.Увлажняющая жидкость и сжатый воздухчерез открытые клапаны 15 и 16 посту-пают на соответствующие каналы форсунок 8 и излучателя 9,Волокнистый материал 6 подают ленточным...

Номер патента: 1193528

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Курганов, Петров, Сулимин, Талакин, Янер

МПК: G01N 15/08

Метки: металлической, основе, покрытий, пористости

...источника стабилизированного напряженияс защитой от перегрузки 15, отрицательный полюс которого соединен собщим входом регистратора 12 и с 55металлической основой 5.Устройство работает следующимобразом,На контролируемое покрытие 4, нанесенное на металлическую основу 5,устанавливают экранированную камеру 2 с секционным электродом 1, рабочая поверхность которого через губчатый материал 3, пропитанный электролитом, контактирует с контролируемым покрытием 4. В качестве электролита может быть использован ЗХ-ныйраствор ИаС 1. Размещение электрода 1в экранированной камере 2 обеспечивает экранирование контролируемогоучастка покрытия 4 от воздействияэлектромагнитных полей, что значительно повышает точность измерения.Отрицательный полюс...

Номер патента: 1173126

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Карпов, Кириленко, Рябинков, Солдаткин, Сулимин, Харитонов, Царев

МПК: F17D 1/07

Метки: газа, закачки, подземное, хранилище

...7 второй ступени компримирования установлена задвижка 19, и на выходе выходного коллектора второго параллельного ряда групп оптимальных эжекторов 8 установлена задвижка 20.Выходы отсекающего крана 18;задвижек 19 и 20 объединены трубо" проводом 21, который подключен к подземному хранилищу газа 22. При компримировании в одну стулень компрессорные агрегаты 4 компрессорного цеха 3 первой ступени соединены с трубопроводом 1 магистрального газопровода через всасывающий коллектор 2. Входы параллельного ряда групп эжекторов соединены с выходом компрессорных агрегатов 4 первой ступени через выходной коллектор 7 высокого давления и с трубопроводом 1 газопровода низкого давления через входной коллектор 14.Смесь газа после эжектированйя группами...

Номер патента: 1169550

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Беляев, Мясоедов, Сулимин

МПК: A01B 33/02

Метки: орудие, почвообрабатывающее

...корпуса, снабжено установленным на корпусе ободомс почвозацепами и ячейками для шарниров, при этом на оси со смещениемот ее центра установлены подшипники,контактирующие с выполненными на шатунах упорами,На фиг. 1 показано почвообрабатывающее орудие, вид сбоку; на фиг. 2разрез А-А на фиг.Почвообрабатывающее орудие содержит две боковины корпуса 1, являющиеся одновременно боковинами двух барабанов (не показаны), расположенныхпо обе стороны его, установлен обод2 с ячейками 3, внешние стенки которых выполнены в виде почвозацепов.В боковинах по периферии шарнирно установлены кривошипы 4 с держателями 5 рабочих органов 6. Кривошипы 4 соединены шатунами 7 с двумякольцами 8, установленными на поцшипниках эксцентриковой оси 9. Причем одни...

Номер патента: 1078014

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Даки, Каревский, Сулимин, Хмельницкий

МПК: E04H 12/24

Метки: высоковольтной, линии, опора, расположением, треугольным, фаз

...к боковым плечам защитной траверсы 6. Концы последней до точек крепления верхней заграждаю 5 10 15 20 25 30 35 40 шей скобы 8 покрыты изоляционным материалом 9,Защита линии от перекрытия фазной изоляции осуществляется следуюшим образом.При установке над основной траверсой 2 параллельно ей защитной траверсы 6 крупные птицы садятся на эту траверсу, поскольку ее расположение в конструкции опоры представляет собой наиболее удобное место для посадки. Форма траверсы 6 в поперечном сечении выбирается с учетом анатомических особенностей птиц, заселяющих данный регион. Длина защитной траверсы больше расстояния между изоляторами основной траверсы 2 на величину двойного изоляционного расстояния линии данного класса напряжения. Это вызвано...

Номер патента: 998981

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Конев, Сулимин, Щелкунов

МПК: G01R 31/08

Метки: изоляции, магистральных, места, повреждения, трубопроводов

...напряжений 24, генератор звуковой частоты 25 и сигнализатор 26,Устройство работает следующим об -разом,4 ОСигнал с выхода блока программирования 4 поступает на вход блокаразрешения 5, который обеспечиваетпрохождение сигнала с выхода генератора б на один иэ входов модулятора3 согласно программе, заданной блоком программирования 4. Модулятор3 коммутирует ток источника тока 2н нагрузке, образованной цепью: подземный магистральный трубопровод 27электрод заземления 1. Этот ток 50возбуждает в подземном магистральном трубопроводе 27 электрическиеколебания контрольной частоты,13 и 14 соответственно, с выходов ко - торых усиленные сигналы поступают на входы соответствующих детекторон 15 и 16, Продетектированные сигналы с выходов детекторов 15...

Номер патента: 998584

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Нефедова, Сулимин

МПК: C23F 13/00

Метки: защищенности, магистральных, подземных, степени, трубопроводов

...равной 3 Гц. (а - градиент по,тенциалов при катодной поляризации; б - градиент потенциалов при анодной поляризации); на Фиг.3 - зависимость величины градиента потенциалов от площади дефекта при токе катодной защиты, равном 0,35 МА 1 и частоте 40 коммутации 1,5 Гц 2 (в - при площади дефекта 0,0004 и ; г - при 0,0036 м .; д - при 0,01 м); на Фиг.4 - кривые изменения величины градиента потенциалов в местах нарушения изоляционно го покрытия, представляющие собой дефект с макрогальванопарами с катодной и анодной зонами, в зависимости от величины защитного тока при частоте коммутации тока катодной станции равной 1,5 Гц (е - при токе коррозии 0,3 мА и токе защиты 0,001 мА; ж - при токе коррозии 0,17 мА и токе защиты 0,7 мА; 3 - при.токе...

Номер патента: 947896

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Конев, Сулимин, Щелкунов

МПК: G08C 19/12

Метки: каналу, передачи, сигналов, телемеханики, трубопроводному

...б тактовых импульсов на первом выходе делителя 7 частоты появляется импульс, который вызывает изменение частоты генерирования управ 60 лявмого генератора 6 тактовых импульсов, что, в свою очередь, вызывает изменение частоты импульсов управления работой модулятора 2, поступающих через элемент И 8 со второго вы хода делителя 7 частоты, т.е. происходит смена частоты передаваемогосигнала, Через время, равное длитель-ности передачи сигнала, на первомвыходе делителя 7 частоты выдаетсяимпульс, который, поступая на второйвход формирователя 5 сигналов телемеханики, преобразуется в импульс запрета, поступающий на второй входэлемента И 8, и импульс установки висходное состояние управляемого генератора б тактовых импульсов, поступающий на его...

Номер патента: 938214

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Конев, Сулимин, Щелкунов

МПК: G01R 31/08

Метки: изоляции, магистральных, места, повреждения, трубопроводов

...блок 3 программы, коммутатор 4,преобразователь 5 установки катоднойзащиты, анодное заземление 6, приемниксодержит три канала, каждый иэ которых содержит преобразователь входного импеданса 7, усилитель 8 переменного тока, фильтр 9, детектор 10, элемент 11 автоматического регулирования усиления, Кроме того, приемник содержит электроды 12, выносной электрод 13, сумматор 14, нудь индикатор 15, регистрирующий элемент 16, сумматор 17, вольтметр 18.постоянного тока.Устройство работает следующим образом,По заданной программе, сформированной блоком 3 программы, импульсы управлеиия поступают на вход блока 2 разрешения, с выхода которого заполненные ннфранизкой частотой следования импульсов от генератора 1 поступают на управляюший вход коммутатора...

Номер патента: 896301

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Горячева, Каревский, Пучкова, Сулимин, Щелкунов

МПК: F16H 55/38

Метки: вращения, гибкого, движения, привода, синхронизатор, элемента

...устройства (траверсы, эксцентрики), одновременно с несколькими деталями,Цель изобретения - повышение точности синхронизации за счет уменьшения проскальзывания гибкого элемента.Указанная цель достигается тем, что синхронизатор снабжен упором, ограничивающим осевое перемешение одного из роликов и тормозом, взаимодействующим на этот же ролик.На фиг. 1 показан синхронизатор, разрез; на фиг. 2 - вид А на.фиг. 1; на фиг. 3 - вариант конструкции синхронизатора,Синхронизатор (фиг. 1) состоит из ролика 1, жестко закрепленного на валу 2, и ролика 3, имеющего возможность вращения и осевого передвижения на валу 2 до упора 4. Вал 2 присоединен к синхронизируемому или приводимому устройству. На торцах роликов выполнены ребра, образующие волнообразные...

Номер патента: 815643

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Галиуллин, Иванов, Петров, Пушков, Сулимин

МПК: G01R 19/00

Метки: подземном, распределениятока, трубопроводе

...магнитного поляют вблизи внутренней стенки трвода; - в точках, разнесенныхноудаленным от оси трубопровода окружностям поперечных сечений.На фиг. 1 показано коструктивноерешение по осуществлению предлагаемого способа, на фиг. 2 - функцио"нальная схема реализующего способиЪмерительного устройства.Общая компоновка оборудования(Фиг. 1) предусматривает расположениеизмерительного устройства 1 в центраторе 2, соединенном буксировочнымканатом 3 с очистной установкой 4.Для центрирования измерительного устройства 1 в трубопроводе 5 на цент,раторе 2 закреплены колеса 6,В измерительном устройстве 1(фиг. 2) установлены магниточувствительные датчики 7, усилители 8, регистрирующий прибор 9, генератор 10меток времени,...

Номер патента: 811309

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Конев, Сулимин, Шелкунов

МПК: G08C 19/16

Метки: каналу, потрубопроводному, приема, сигналов

...полезный сигнал и задерживает остатки помех, прошедшие через узел защиты 1. Принятый полезный сигнал усиливается усилителем-ограничителем 5. По первому каналу усиленный сигнал детектируется детектором б и поступает на интегратор 7, который совместно с пороговым элементом 8 обеспечивает задержку сигнала т, на время, приблизительно равное 0,75 от длительности поступающего сигнала т. По достижении на выходе интегратора 7 напряжения, равного напряжению срабатывания У,р порогового элемента 8, последний срабатывает, и на его выходе появляется импульс длительностью т=ти - т который поступает на один из входов схемы совпадения 9, В то же самое время сигнал с выхода усилителя-ограничителя 5 по второму каналу поступает на вход...