Патенты с меткой «магниторезистор»

Номер патента: 443342

Опубликовано: 15.09.1974

Автор: Сафинов

МПК: G01R 33/00

Метки: магниторезистор

...устранения тсти, диск разделен нным электродом, прив соседние плечи мосмы, а одна из них защном. Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения магнитной индукции,Известны магниторезисторы, основным недостатком которых является значительная зависимость их сопротивления от температуры.Для устранения температурной погрешности в предлагаемый магниторезистор введен дополнительный электрод, разделяющий рабочее тело магниторезистора на две части, причем обе части включены в соседние плечи мостовой измерительной схемы, а одна из них защищена магнитным экраном.На чертеже показан описываемый магниторезистор, состоящий из магнитодиэлектрической подложки 1, покрытой пленкой полупроводника 2,...

Номер патента: 480119

Опубликовано: 05.08.1975

Автор: Осечкин

МПК: H01C 7/16

Метки: магниторезистор

...изобретения является использование его в качестве чувствительного элемента систем прямого регулирования.Это достигается тем, что полупроводниковая пластина выполнена прямоугольной формы и снабжена двумя осесимметричными электродами: внешним, замкнутым по периметру пластины, и внутренним, линейно нанесенным вдоль оси симметрии пластины.На фиг. 1 изображен предлагаемый магниторезистор; на фиг, 2 - схема включения магниторезистора.Магниторезистор состоит из полупроводниковой пластины 1 прямоугольной формы, на 5 которую нанесен внешний замкнутый по периметру электрод 2, и внутренний, в линей нанесенный вдоль оси симметрии 3. Предмет изобретения10Магниторезистор, представляющий собойполупроводниковую пластину с нанесенными на ней...

Номер патента: 544020

Опубликовано: 25.01.1977

Автор: Новиков

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ная толщина подслоя лежит в пределах 103000 АУлучшение магниторезистивных свойствмагниторезисторов в поперечных магнитныхполях на основе пленок висмута, напыленныхна подложки с предварительно нанесеннымподслоем другого материала, обусловленовлиянием подслоя на структуру пленок висмута,Известно использование подслоя при напылении тонких пленок различных материа -лов в тонкопленочной технологии для улучшения адгезии пленки к подложке, но неизвестны сведения о влиянии материала подслоя на магниторезистивные свойства пленок и их структуру.При напылении висмута на подложку сподслоем кристаллиты подслоя служат...

Номер патента: 460813

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Матуленис, Пожела, Царенков, Юцене, Яковлев

МПК: H01L 29/82

Метки: магниторезистор

...ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ тлаС 1 ИН- ки, па рмер пзасгинкн Германия собств:пной проводимоси, грани которой имеют различ 1 ую скорость поверхностной рекомбинации.Однако изиестпыи магшггорезистор оклада е н высокой стаоилшостьо пз-за плохой сгаоильпости поверхностных своисгв полупроводника) и малым оыс гродсйствпемО -- О- С).О целью увеличения быстродейсгвия и ста- б ОИЛЬПОСТИ В ПРЕДЛ 2 ГаЕМОМ МаГНИ 10 РЕЗИСТОРЕ пластина Вьшолпена на основе варизопного ПОЛУПРОВОДНИК 2, а КОПаКТЫ РаСПОЛ 05 КЕПЫ Па стороне пласгипы, где шпрш 2 запрещеннои зоны минимальна. 20Ы качестве варизонного полупроводника могут быть использованы твердые растворы, меняющие тип минимума долины зоны проводимоси, например 2,А 1 АВ.1 редлагаемый магпиторезистор работает 2...

Номер патента: 920596

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Ивин, Марченко, Мурадов, Суханов, Ягола

МПК: G01R 33/095

Метки: магниторезистор

...распределение, причем линии перпендикулярны к боковым граням36пластины 4 независимо от наличия илиотсутствия отверстий 5,только в узкихучастках густота линий увеличивается,так как в этих участках сопротивлениемагниторезистора возрастает по сравнению с участками без отверстий 5,При воздействии на магниторезистор 1 магнитного поля В=О эквипотенциальные линии Ч начинают поворачиваться, однако в участках, где имеются отверстия40 5 линии деформируются более того, возникают дополнительные токи щ из-за появления ЭДС Холла в участках с отверстиями 5, в результате этого эквипотенциальные линии Ч поворачиваются неодинаково. С другой стороны на бо" ковых гранях пластины 4 возникают неравные холловские ЭДС, так в участках с отверстиямиЧх = 1 д В С...

Номер патента: 974312

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Ивин, Марченко, Мосанов, Мурадов, Сорока

МПК: G01R 33/095

Метки: магниторезистор

...17уцастка 10.Иагниторезистор работает следующим образом.где Ц - падение напряжения на к-омучастке;Л - рабочий ток магнитореэистора;Кк- сопротивление к-ого участкамагниторезистора.Поэтому для раскрытия сущности предлагаемого магниторезистора необходимо отметить соотношение значений сопротивлений К участка 5 с вырезом 6 и сопротивления К 1 О участка 10 с поперечным токопроводящим покрытием, которые соответственно определяются выражениями(2) К= КУ+ КВ тп ппт, ппп,Р +й1 10где К 5- сопротивление участка 5;В,- сопротивление участка 10;К- сопротивление учасика 5 безсквозного отверстия;К- сопротивление участка 5 со0сквозным отверстием;т.п - сопротивление поперечноготокопроводящего покрытия 4;сопротивление полупроводни 10кового материала участка...

Номер патента: 882362

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Апостолов, Еросов, Климовская, Панаетов, Панчина

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

...вектору В магнитной индукции; 10 15 20 50 25 30 35 40 45 Кроме того, такой рассеянный СНЗбудет дрейфовать в направлении внешнего электрического поля ,Каждый СНЗ имеет свой набор характеристических параметров (ХП), который определяет скорость 7 и эффективную массу в СНЗ. При рассеянии СНЗхотя бы по одному из своих ХП изменяются У и/или 1 л и, следовательно,радиус окружности г, по которой движется СНЗ в однородном магнитйом поле , перпендикулярном к направлению 7, В таком поле СНЗ с абсолютнойвеличиной зарядапод действиемсилы Лоренца движется по окружностипостоянного радиуса. Если расстояние ь между омическими контактами выполнено сравнимымс одной из характерных длинсвободных носителей заряда в примесном полупроводнике, то в таком...

Номер патента: 1385957

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Антонец

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

....этом- распределение намагниченности в доменах первой и второй подложек одинаково.ЗО:3. Иагниторезистор по н. 2, о.тл и ч а ю щ и й с я тем, что он дополнительно содержит пластины из магнитамягкого материала, размещенные35над полупроводниковой пластиной ипод подложкой. Изобретение относится к областиполупроводниковой техники, к резисторам управляемым магнитным полем,и может быть использовано при из,готовлении приборов, измеряющих напряженность магнитного поля, в автоматике контроля изменения величиныи напряженности магнитного поля,Целью изобретения является увеличение чувствительности магнитореэистора.Изобретение поясняется чертежом,на котором изображен магнитореэистор.Он содержит подложку 1, полупро-,водниковую пластину 2 с...

Номер патента: 1728903

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Горбачук

МПК: H01L 43/00, H01L 43/08

Метки: магниторезистор, полупроводниковый

...1) содержит подложку 1, изготовленную из полуизолирующего арсенида галлия, магниточувствительную пленку 2, изготовленную из германия р-типа проводимости, контактные площадки 3, изготовленные из индия, и измерительные выводы 4, изготовленные из медной проволоки диаметром 0,1 мм, Размеры магниторезистора 0,03 х 1,0 х 4,0 мм. Величина электрического сопротивления магниторезистора, изготовленного из образца 1 (см. табл.) при Т=300 К равно 360,0 Ом.На фиг. 2 представлены магнитополевые зависимости сопротивления при Т.2 К для пленок толщиной 5 мкм, полученных при Тп = 713 К (кривые 1,2), Тп = 733 К (3,4) и Тп = 683 К (5,6). Концентрация дефектов в пленках, МС которых изображено кривыми 1-4, составляет 6 10 см, а в пленках 5 и 6 10 см . Кривые...

Номер патента: 1228744

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Охрименко

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

Магниторезистор на основе антимонида индия, отличающийся тем, что, с целью снижения анизотропии, увеличения чувствительности и линейности, он выполнен из твердого раствора InSb1-xBix, где 0,04 < x < 0,7 ат.%, и содержит от 4,0 1012 до 2,5 1013 см-3 нескомпенсированных доноров.

Номер патента: 1085460

Опубликовано: 10.03.2012

Авторы: Беляев, Тюрнев

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

Магниторезистор, выполненный в виде полупроводниковой пластины с растром, состоящим из металлических полосок, расположенной на концентраторе магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в области слабых магнитных полей, концентратор выполнен в виде пленки из магнитомягкого материала с высокой намагниченностью насыщения, находящейся в однодоменном состоянии, при этом ось легкого намагничивания концентратора направлена под острым углом к продольной оси полосок.