Патенты с меткой «кмдп»

Номер патента: 999104

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Баранов, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, кмдп, оперативного, транзисторах, усилитель-формирователь, устройства

...останется открытым, Схема сохранит(запомнит) установившееся состояниепри любых изменениях информации на 16 входе, так как состояние информацион-.ного транзистора 11 не может повлиятьна уровень логического "0" на первомвыходе 5, соединенном с открытымтретьим транзистором 3;При подаче на информационный вход .13 логического ."0" инФормационныйтранзистор 14 закроется или подза"кроется в случае подачи на вход 13уровня логического "0", величина ко торого близка к порогу переключенияусилителя), Вэтом случае ток, протекающий через второй .транзистор 16обратной связи. и опорныйтранзистор17 (правое плечо усилитля) будетбольше и первый второй третий ичетвертый 1, 2,. 3 и.4 транзисторыустановятсяв состояние, когда навтором выходе 6 будет логический...

Номер патента: 999163

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Кармазинский, Смирнов

МПК: H03K 19/00

Метки: динамических, кмдп, моделирования, процессов, транзисторах

...16 включен параллельно второму цополнительному транзистору, а второй аополнительнительный конценсатор - параллельно третьему дополнительному транзисгору.На фиг, 1 представлена электрическая 1 принципиальная схема устройства.Затворы транзистора 1-типа и транзистора 2 И -типа поцключены к вхоау 3, стокитранзисторов 1 и 2 поаключены к выхоцу устройства 4, первый аополни тельный транзистор Р -типа 5 и второй цополнительный транзистор И -типа 6 послеаовагельно включены межцу шиной питания 7 и общей шиной 8, третий цополнительный транзистор-типа 9 и четвертый аополнигельный транзистор И типа 10 также послеаовательно включены межцу шинами 7 и 8, стоки транзисторов Б и 6 подключены к истоку транзистора2, а стоки транзисторов 9 и 10 -...

Номер патента: 1241285

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: кмдп, считывания, транзисторах, усилитель

...транзисторы 30 и 31, и триггер 25 переключается в устойчивое состояние, в результате чего на выходе 12 устанавливается напряжение лог. "0", а на выходе 12 - лог,"1".После переключения триггера 25 входная часть усилителя на транзисторах 1-5, 8, 32-33 устанавливается в симметричное состояние путем пода" чи напряжения лог. "1" на тактовую шину 13 и выравнивания напряжений на входах 9 и 10 (считываемый сигнал на входах 9 и 10 уже не нужен). При этом закрываютсяинвертирующие 6 и 7 и управляющие 16 и 17 транзисторы. Однако считанная информация сохраняется на выходах 11 и 12, поскольку триггеры 20 и 25 сохраняют свои сос тояния.В исходное состояние, соответствующее статическому режиму, усилитель приводится путем подачи...

Номер патента: 1285534

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Высочина, Копытов, Солод, Хоменко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, кмдп, транзисторах

...с помощью входов 7 первой группы устройства и входов 14 второй группы устройства ячейке записана такая информация, что при подключении ячейки к разрядным шинам на шине 8 потенциал падает, а на шине 9 - растет. На управляющие входы 12 разрядного коммутатора при этом поступает положительный потенциал, который передает этот потенциал на входы"выходы триггера-защелки, устанавливая на выходе 10 потенциал меньше, чем на выходе 11.Одновременно сигнал с входов первой группы устройства поступает на адресные шины накопителя, на конце которых находится блок 4 ключей. Транзистор блока 4 ключей, соответствующий выбранной адресной шине, от крывается и на выходе формировйтеля 5 импульсов вырабатывается импульс положительной полярности, который,...

Номер патента: 1336226

Опубликовано: 07.09.1987

Автор: Виноградов

МПК: H03K 19/094

Метки: двухвходовый, кмдп, логики, транзисторах, трехзначной, элемент

...источников напряжения питания.На чертеже изображена электрическая принципиальная схема двухвходового элемента трехзначной логики на КМДП-транзисторах х. 15Схема содержит первую входную шину 1, первую шину 2 питания, общую шину 3, выходную шину 4, пять инверторов 5 - 9, вторую входную шину 10, вторую шину 11 питания, первая входная шина 1 соединена с входом первого инвертора 5, выход которого соединен с входом второго инвертора 6, выход которого соединен с истоком р-транзистора пятого инвертора 9, выход которого соединен с выходной шиной 4, а вход - с выходом четвертого инвертора 8, вход которого 25 соединен с выходом третьего инвертора 7, вход последнего соединен с второй входной шиной 1 О. Цепи питания первого, третьего и четвертого...

Номер патента: 1348904

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Белоусов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин

МПК: G11C 7/06

Метки: кмдп, считывания, транзисторах, усилитель

...Б где15, Борр - напряжение питания и пороговое напряжение транзистора р-типа,40В режиме считывания на вход 15подается напряжение "1", а на входы11 и 12 - напряжение, соответствующеесчитываемой информации, При этомоткрываются транзисторы 1 и 2 и запирается транзистор 1 бр вследствиечего усилитель оказывается в активномсостоянии и начинает переключаться всоответствии с сигналом, поступающимна входы 11 и 12. Например, если напряжение на входе 11 больше, чем навходе 12, то на выходе 13 устанавливается напряжение "О", а на выходе14 - напряжение "1",Введение положительной обратноисвязи с помощью транзисторов 17 и 18позволяет повысить коэффициент усиления усилителя считывания в несколько раэ. Формула изобретения Усилитель считывания на...

Номер патента: 1376117

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: кмдп, считывания, транзисторах, усилитель

...второго типа проводимости, что при ч/ Ь н = 0,5-1,0 и 1 р =0,1 составляет К = 1,4-1,6. Формула и з о б р е т е н и яУсилитель считывания на КИДП-транэксторахрсодержащий первый и второй дифференциальные каскады усиления, ключевой транзистор, причем каждый дифференциальный каскад усиления содержит первый и второй переключающие транзисторы первого типа проводимости, установочный, первый и второй нагрузочные транзисторы второго типа проводимости, причем истоки унравляющих транзисторов обоих дифференциальных каскадов усиления под-. ключены к шине нулевого потенциала усилителя, стоки управляющих транзис" торов соединены с истоками первого к второго переключающих транзисторов первого и второго дифференциальных каскадов усиления...

Номер патента: 1483628

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Золотаревский, Покровский

МПК: H03K 19/092

Метки: кмдп, согласования, транзисторах, уровней

...при этом на затворетранзистора 5 устанавливается напряжение, меньшее напряжения питанияна величину порогового напряжениятранзистора 6, транзистор 5 закрытлибо очень большое сопротивление(в зависимости от соотношения пороговых напряжений транзисторов 5 и 6),и"канальный транзистор выходного инвертора закрыти ток от источникапитания практически не потребляется.При переходе входного напряженияот высокого уровня к низкому транзистор 4 закрывается, транзистор 51, Устройство согласования уровней напряжения на КМДП-транзисторах, 40 содержащее выходнои инверторф включенный между шиной питания и общейшиной, выход которого соединен с выходной шиной, первый и-канальныйтранзистор, затвор которого соединен с входной шиной, исток - с общейшиной, а...

Номер патента: 1506543

Опубликовано: 07.09.1989

Автор: Ручин

МПК: H03K 17/687, H03K 19/094

Метки: кмдп, преобразования, сигналов, транзисторах, уровней

...20 устанавливается напряжение, совпадающее с напряжением на шине 22 питанияЗакрывается транзистор 7, открывается транзистор 16, В узле, образованном стоками транзисторов 7, 16, устанавливается уровень напряжения, совпадающий с напряжением на шине 23. Этот уровень напряжения открывает транзисторы 4, 2, 8 и закрывает транзисторы 13, 18, 11. Через открытьп транзистор 2 в узле, обра - зованном стоками транзисторов 1, 17, 2 и затвором транзистора 3, устанавливается исходный уровень напряжения, совпадающий с напряжением на шине 22 питания, который закрывает транзистор 3Уровень напряжения, установившийся в узле, образованном стоками транзисторов 3, 4, 12, 13, сохраняется благодаря открытому транзистору 4. Напряжение в узле, образованном...

Номер патента: 1539994

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Газарян, Лементуев

МПК: H03K 19/094

Метки: выходное, кмдп, состояниями, транзисторах, тремя

...заряжаться от шины 10 питания, и на выходе 8 устройства Формируется сигнал "1". 6На первом этапе переключения бла" годаря наличию элемента 13 задержки сигналы на входах 15 и 17 стробируемого блока 16 сравнения не успевают измениться, что обеспечивает начало сраЬатывания логических элементов И-НЕ 5 и ИЛИ-НЕ 4. Величина задержки элемента 13 задержки выбирается примерно равной времени Формирования сигнала на выходе 8 устройства на заданном уровне напряжения, например на уровне порогового напряжения транзисторов. В дальнейшем сигналы на входах 15 и 17 стробируемого блока сравнения изменяются синфазно, что гарантирует завершение процесса переключения,При наличии единичных сигналов на этих входах состояние строЬируемого блока 16 сравнения не...

Номер патента: 1743315

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Дмитриев, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: бис, кмдп, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КМДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке первого типа проводимости областей карманов второго типа проводимости, нанесение слоя нитрида кремния, формирование фоторезистивной маски, создание маски из нитрида кремния на активных областях, легирование примесью второго типа охранных областей транзисторов первого типа, создание изолирующего слоя оксида кремния, легирование примесью первого типа охранных областей транзисторов второго типа, удаление маски из нитрида кремния в активных областях и формирование транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия за счет снижения паразитной емкости боковой стенки переходов транзисторов поликремниевой разводки, маску из нитрида...

Номер патента: 1669333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воронин, Герасимчик, Кречко, Круковский, Снитовский, Чертов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, кмдп, схем

Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и...

Номер патента: 1542342

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Батраков, Герасимчик, Зеленин, Лытко, Попов, Сенько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно...