Патенты с меткой «поликристаллического»

Номер патента: 106824

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Мазо

МПК: H03H 3/02

Метки: бария, поликристаллического, поляризации, титаната

...распредтедтсттьт хаотически.Применяемый в настоянтес время способ полярнзантттт т-тадтткеттиент Постоянного электрического поля обдгапаст слснуггонттлтзти недостатками: высокие значения напряженности нодгярттзуготнего Поля (2 О 25 см) И трудность получения максимальной величины пьезомодулгя.В предлагаемом способе для угстраггеттття перечисленных недостатков поляризация производится постоянным элтсктрттческилхт полем вприсутствитт плавно уменьшающегося переменного Электрт-тчесного поля. Благодаря этому, процесс поляризации ускоряется и нтатксизгьтльньте значения остаточной поляризации и ньезомолдултя наведенного пьезоэффекта достигаются при сргтвгттттсзтьно низких значениях напръюнсзттгсэстн тлостоэнитого электрического ноля. П р е д м е...

Номер патента: 150947

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дарачюнас, Драгунас, Ширвайтис

МПК: G01T 1/26

Метки: датчиком, поликристаллического, рентгенометр

...Л + 1 тз пропорциональна отношению токов фотосопроивлений 1 и 2, поэтому шкалу переменного сопротивления градуируют непосредственно значениями Л. Опытным путем градуируется значениями Л и шкала делителя 4 напряжения. При положении Р переключателя б делитель 4 меняет напряжение, подаваемое только на фотосопротивление 1, по фототоку которого определяется могцность дозы рентгеновского излучения.150947Измерения с помощью указанного рентгенометра проводятся следующим образом, Переключатель б устанавливают в положение Л, ручкой сопротивления Йз поддерживают нулевое отклонение микроампер- метра 7 до того, как фототоки фотосопротивлений 1 и 2 достигнут насыщения,(при мощности дозы 1 рн(мин 5 - 7 мик, при мощности дозы 10 рнмин - до 1 мин)....

Номер патента: 493432

Опубликовано: 30.11.1975

Автор: Зырянов

МПК: C01B 35/00

Метки: железа, ортоборота, поликристаллического

...хололной водой избыточного ВзО получают готовьш продукт,Недостатком известного способа является то, что кристаллы полученного ортобората железа це являются оптически прозрачными в видимой части спектра.С целью получения оптически прозр х в видимой части спектра кристаллов с вают децинормальные растворы серно го железа при РН среды, равной 8 - 9, лелующей термообработкой полученного пролукта в лве стадии, при температуре 420 - 450 С в течение 12 час на первой стадии. Пр ц м е р. Гез(50,)з 9 Н.О марки ХЧ цНзВО марки Ч растворяют в дистиллированной воде ц смешивают в соотношении 1 вес. ч, Ге Оз ц 2,15 вес. ч. НзВОз, Затем прц 5 постоянном перемешцва ниц добавляют раствор ХНОН ло РН срелы, равной 9. Выпавший осалок высушивают ц цз него...

Номер патента: 411721

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Ададуров, Бавина, Богородский, Бреусов, Верещагин, Гомон, Горячев, Дремин, Дубицкий, Дубовицкий, Лысанов, Першин, Слесарев, Сурнин, Чижов, Шифрин, Яковлев

МПК: C01B 21/06

Метки: бора, кубического, нитрида, поликристаллического

...м е р 1. В камеру высокого дав пения поме)цают вюртцитопэдэбный нитрид бора и кубический ниту)ид бора в соотношении 1;1 и подвергавт воздействию давлений около 90 кбар при температурео800 С в течение 3 мин. Затем нагревание прекращают, после чего давление снимают. При этом происходит полный переход вюртцитэподобного нитрида бора в кубичес- . )кую модификацию и перекристаллизация, приводящая к образованию прочного поликрйс-таллического кубического нитрида 5 ора. По лученный поликристалл кубического нитрида бора имеет высоту 5 мм и диаметр 4 мм.Режущий инструмент, изготовленный на основе указанного поликристаллического кубического нитрида бора обеспечивает при обработке закаленных сталей твердостью ННС 60-65 ед. стойкость 70-90 мин без...

Номер патента: 688430

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Бартенев, Городецкий, Захаров, Канаев, Львов, Скворцов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

...алмаза раствором азотной и соляной кислот при 20 - 100 С 31. Различные примеси, содержащиеся в алмазе после синтеза, растворяются, что позволяет получить абразивный поликристаллический материал более высокого качества,Однако известный способ обработки поликристаллического алмаза не позволяет бразивную способность и тения - разработка такого еской обработки поликриалмаза, который позволил роизводительность и снизить од алмаза при абразивной чет повышения абразивной абразивной стойкости алма688430 Составитель А. Скворцов Техред Н, Строганова Корректор Л. Орлова Редактор А. Соловьева Заказ 2101/6 Нзд. Ме 549 Тираж 591 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий П 3035, Москва, Ж, Раушская наб., д....

Номер патента: 986857

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Елисеев, Кузьмичева, Орлова

МПК: C01F 17/00

Метки: поликристаллического, полисульфида, тербия

...состоит в проведении взаимодействия при 700-740 С.Проведение взаимодействия компонентов при 700-740 С позволяет получить поликристаллический бездефектныи полисульфид ТЬ 5При температуре 700 С начинает об" разовываться полисульфид тербия, 740 оС - температура конца образования полисульфида. Нагревание выше 740 С приводит к увеличению энергоозатрат и выделению сепмП р и м ер 1 В кварцевую ампул помещают 0,28 г 5, 0,719 гТЬ, что соответствует стехиометрическому составу полисульфида тербия.Ампулу ваюуумируют, нагревают до 700 С, выдерживают при этой температуре в течение 2 ч и выключают печь. Выход кристаллов составляет 100.П р. и м е р 2. В кварцевую ампулу помещают 0,281 г 5, 0,719 г ТЬ,что3 986857 4 соответстоут стехиометрическому сос-...

Номер патента: 990362

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Кудрявцев, Поздняк, Себов, Селюков

МПК: B21C 3/18

Метки: алмаза, волок, поликристаллического, синтетического

...в течение 3 - 30 мин при40частоте 20 - 30 кГц.В результате осуществления способа наповерхности канала вскрывается связкапо границам зерен алмаза и таким образом между алмазными зернами образуются 45свободные пространства, незаполненныесвязкой.Затем на поверхность канала наносят,например, электролитическим путем материал, адгезионно-активный к алмазнымзернам. Наносимый материал заполняетсвободные пространства между алмазнымизернами, а на поверхности волочильногоканала наносимый материал распределяется тонким равномерным слоем. Прочное сцепление наносимого материала и алмазных зерен обеспецивается вследствие адгезионной активности их друг к другу, С целью снижения усилий волочения в качестве наносимых подбирают материалы, которые...

Номер патента: 549935

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Бакуль, Бочко, Варнин, Внуков, Герасименко, Дерягин, Никитин, Прихна, Федосеев, Цыпин

МПК: B24D 3/02

Метки: алмазного, поликристаллического

...отдельные алмазные частицы с эпитаксиально наращенным на их поверхности покры" тием, состоящим иэ алмазного и алмазно-графитового слоев.При проведении зпитаксиального наращивания Ълмаэов непосредствен-но на алмазную поверхность осажда" 59935 2ется углерод со структурой алмаза.Процесс протекает в метастабильныхусловиях, поэтому далее наряду спродолжающимся ростом алмаза будутвозникать и расти зародыши. графита.5мТаким образом создается переходныиалмазно-графитовый слой. Дальнейшее ведение процесса приведет к преимущественному росту графита, кото-рый термодинамически стабильнее, чем.алмаз. бсли графит в алмазно"графи"товом слое и в начале графитовогослоя имеет относительную ориентацию,то при последующем осаждении углеро"15 да ориентация...

Номер патента: 1122762

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Демиденко, Дунаев, Рыжиков

МПК: C30B 33/00

Метки: оптического, основе, поликристаллического, соединений, щелочно-галоидных

...определяют для каждого соединения отдельно.Щелочно-галоидные блоки получают гаэофазным осаждением в вакууме, причем для их получения возможно применение сырья, степень очистки которого гораздо меньше, чем у сырья, из которого выращивают монокристаллы и изготавливают оптическую керамику из порошков. Переход из твердой или жидкой фазы в газообразную происходит без диссоциации щелочно-галоидных соединений, поэтому блоки получают стехиометрического состава. При этом происходит очистка материала как от легколетучих примесей, так как при данных температурах подложки предотвращается конденсация или захват летучих примесей конденсирующимся паром, так и от высококипящих, в т.ч. и от кислородсодержащих, При скоростях конденсации 0,0005 -...

Номер патента: 1168332

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Белицкий, Новокрещенова, Прилепо, Совков, Урсуляк, Шаповалов

МПК: B22F 3/16, C04B 35/40, H01F 1/34 ...

Метки: иттриевого, поликристаллического, феррограната

...ТгО 57 РеОэ (3) согласно которым для комненсации избытка в 3 моль ортоферрита требуется введения 1 моль окиси железа, 45 а для компенеации недостатка в 5 моль ортоферрита - 1 моль окиси иттрия.В пересчете на массовые проценты для компенсации одного процента избыт ка ортоферрита требуется добавка 50 в шихту 0,27 мас,7. окиси железа а при недостатке одного процента ортоферрита - 0,23 мас.7 окиси иттрия,Заданное содержание ортоферрита в обожженной шихте определяют по 55 экспериментальным зависимостям изменения основных электромагнитных свойств спеченного феррограната(1 ц 88 - тангенса угла диэлектрических потерь, йр 8,1 в тангенса угламагнитных потерь, ДЧ - ширина линииФерромагнитного резонанса, , - плотности) от концентрации ортоферритав...

Номер патента: 845680

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Гридчина, Сухов

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, пленок, поликристаллического

...проводят с тжиг в течение5-20 мин и диращивание п:ецки цо тре -буемой толщины при температуре царащи -вания затравочтого слоя 3 тттт Ьт)"т ат,т К р (,т 3 1 13 тт ГГ т З И:";Р.т Я Г Я (Т ЯЦР 13Ож1тт ,3 гтттттт;т(ттт " тт" тт г. -т Ц, тЬг" )3 г Г1, ) 1т Т "1 Р т т т11Х Рт:7;)( (И а 1 ЛИ а И г 3, 1; ( тт.3"г Р -Р 333 М ЗГ( ИР ЕЦК ) Р( ".:13 Гт:3 Ц(М ". РтР;)17 г;О.т,т:т" ,Г Г(т ЯЦЯЮ 7 Г Я 1 (г гИ (тг Г"Гт.т1 (тдг:Г 3 Мт)Ь.Г Иата Ь 1 а 3 Т РИИ Г ;в 13 ц ц(г(Х)ти; ЛЛ 51 Т 1 ИТбтт ( - Р 1" ТИ 7 1 (Ц У Ц(1 КЭИГТа тгти.т(.КГ -И К)ГМИИ я 1 НРбх 5 ИМИЙ ТИ(тт 33 т, ,аРГ"ц 1ЦКИ 1.1 3 й (Тгтпитт Т 1 Ь)Р го тле(; У)т тг)И тЕЕ 3 Г ; Ра т)Ц(тт(т,Гт г,3 т( ( , ( т, т 1 ггтг"51 ст) 3(Й Г ч 13:.(тттт 7 т К г Рг( ,"3 г 33;И тЕПИТап. 3 гтг3(пттни тРг)гти...

Номер патента: 1474462

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Сидохин, Утенкова, Щербединский

МПК: G01B 15/06

Метки: внутренних, напряжений, объекте, поликристаллического

...точно опре 1делять внутренние напряжения в материале, так как систематические погрешности измерения параметров кристаллической решетки при этом взаимнокомпенсируются, а используемые длярасчета данные (кроме модуля упругости и коэффициента Пуассона) более25 точно отражают реальные свойства исследуемого материала.формула и з о б р е т е н и яСпособ определения внутреннихнапряжений в объекте из поликристаллического материала, заключающийсяв том, что исследуемый участок поверхности объекта облучают пучкомрентгеновских лучей, регистрируютдифракционную кривую, определяют35положение выбранного дифракционногомаксимума, а по нему - параметр решетки материала и по этим даннымопределяют сумму главных напряжений,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,...

Номер патента: 1638136

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Бондарева, Рафаевич, Рафельсон, Цветков, Чепурнов

МПК: C04B 35/58

Метки: поликристаллического

...что получается 78-79 г смеси,которая просеивается через капроновое сито для равномерного перемешива 5ния . Затем в алундовой посуде растапливают парафин (ОСЧ) 21-22 г, в который подсыпают приготовленную смесь,перемешивая ее с парафином так, чтобы парафин смочил весь подсыпаемыйв него порошок смеси, Получают100 г смеси, используемой в качествесвязки191,5 г (45% от всей массы керамического материала) карбида кремниясмешивают с 125 г (30% от всей массыкерамического материала) нитрида алюминия, перетирают в агатовой ступеили в шаровой мельнице с алундовымишарами в течение 1,5 ч. Затем полу"ченную равномерную смесь порошков мед"ленно подсыпают в 100 г (24% от всеймассы керамического материала) связки, нагретой до температуры плавления...

Номер патента: 1694249

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Беляков, Зайцев, Кособоков, Лагов, Сатаев, Сотниченко

МПК: B07C 5/346

Метки: кускового, минерального, поликристаллического, сепарации, сырья

...излучения.Для технической реализации работы устройства необходимо следующее:облучение рудных кусков и регистрацию отраженного излучения осуществлять 55 широкими пучками рентгеновских лучей,ориентируя поперечное сечение рентгеновского потока своим большим измерением перпендикулярно направлению движения куска, При этом необходимо, чтобы по край 16942495 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ней мере один из размеров выходного окна трубки был соизмерим с размерами сепари. руемого класса, второй размер используется полностью;заданную расходимость пучков можно получить, изготовив, например, коллиматоры определенной длины 1 с просверленными в них отверстиями диаметра б такимОобразом, чтобы агстц - соответствовал условиям расходимости пучков. Причем...

Номер патента: 1694545

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Болясникова, Демиденко, Овсянникова

МПК: C04B 35/00, C04B 35/19

Метки: оптического, поликристаллического

...3-5359-82),П р и м е р 1. Исследованы галогенсодалитовые оптические керамики, изготовленные из следующего состава:1 - содалитовый порошок ЙабА 16516024 ххйаВг)1,6;2 - бромсодалитовый порошок по 1-му составу с добавкой бромида натрия в количестве 0,3 мас./,3 - бромсодалитовый порошок по 1-му составу с добавкой бромида натрия в количестве 0,5 мас,Д; 204 - бромсодалитовый порошок по 1-му составу с добавкой 5 мас. бромида натрия.На фиг. 1 представлены спектры пропускания полученных карамик толщиной 0,3мм, Иэ анализа кривых видно, что введение 25в исходный содалитовый порошок добавокбромида натрия в количествах 0,5 - 5 мас,приводит к существенному росту величиныпропусканиях ) во всем исследованномдиапазоне спектра 360 - 1000 нм). 30П р и м...

Номер патента: 1724572

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Дворецкая, Журавлев, Колчеманов, Кулакова, Руденко, Скворцова

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазного, поликристаллического, разупрочнения

...2:1, что определяется зернистостью обрабатываемого поликристаллического материала и необходимостью обеспечения контактов алмазного материала и катализатора в процес се обработки.Содержание оксидов магния, олова, кобальта, никеля в расплавах гидроксидов лития, натрия или калия берут от 8 до 15 О, Верхний предел концентрации расплава 35 раствора обусловлен растворимостью оксидов в расплавах щелочей, а нижний - предельной концентрацией, при которой нет зависимости каталитической активности расплава от содержания в нем оксида, 40П р и м е р 1. Навеску (178,4 мг) синтетических поликристаллических алмазов марки АРСЗ зернистостью 250/200 с исходной прочностью 29 ГПа смешивают в соотношении 5:1 с порошком катализатора 45 окисления 15(.М 90 и...

Номер патента: 1747469

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Космодемьянская, Щурова

МПК: C11D 1/83

Метки: корунда, поверхности, поликристаллического, состав

...алкилсульфоната натрия, метасиликата натрия, триполифосфата натрия, гидроокисиаммония с концентрациями (мас.%): 0,12;0,12; О,ЗО; 0,40; 0,40 соответственно. Приготовленный раствор (объем 2 л) заливают вреакционную камеру установки ПВХО-ГС 60-1 и нагревают до температуры 55 С, Установленные в кассету поликоровыеподложки погружают в моющий раствор иотмывают в течение 12 мин с использованием вибрации. После обработки подложкипромывают в токе дистиллированной водыв течение 1,5 мин; проверяют на качествоочистки поверхности по методу разрываводной пленки, сушат на центрифуге прискорости вращения ротора 3000 об/мин, идалее подложки поступают иа вакуумноенапыление, затем проводят проверку на качество сварки и адгезии напыленного контактного...

Номер патента: 1765116

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Харламова

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния, поликристаллического

...атмосфере и съем кристаллов. 1 табл,ведут со скоростью не менее 800 л/мин при воздействии поперечного магнитного поля с индукцией 0,1 - 0,8 Тл, причем индукцию магнитного поля изменяют прямопропорционально скорости подачи.При скорости подачи менее 800 л/мин процесс малоэффективен. Максимальное значение скорости в настоящее время ограничивается возможностями установки и может быть 19 СО л/мин. Однако, это не является предельным значением скоростиачи для данного способа, При совершене установки скорость подачи исходного ья может возрастать неограниченно,магнитного поля малучаемого продуктааае 3 ти магнитного поля боопасность магнитного сходного продукта, прямопропорциональрости подачи исходнотивности поперечного1765116 Составитель...

Номер патента: 1791376

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Андреев, Дубицкий, Лапин

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазного, поликристаллического

...при увеличении 30", а также коэффициент искажения формы Кф = (сЬзх - бюо)/сгпз 100 , где бпх и бы - соответственна максимальный и минимальный диаметр образца, поскольку все образцы представляк)т собой цилиндры, утонченные в центральном поперечном сечении.П р и м е р 1, В алмазный микропорошок марки АСМ 14/10 добавляют 20 об, 10 водного раствора полиакрилата триэтаноламмония (ПАКТЭА), смесь тщательно перемешивают до получения однородной суспенэии и подсушивают на воздухе при 100 С 5-10 мин для предотвращения вытекания смеси между стенок пресс-формы, Прессование полученной массы в сталь 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ной пресс-форме проводят при давлении600 МПа. Цилиндрические прессовки диаметром 4,5 мм и высотой 4,5 мм помещаютв алундовых...

Номер патента: 1533218

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Боровикова, Вобликов, Каличкина, Преображенский

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

...продукт.В результате графитовая пластинаполностью переходит в поликристаллический алмаз. Образовавшийся алмазсветло-желтого цвета сохраняет формупластины 1,53,53,5 мм, имеет мелкозернистую структуру (размер зерна5 мкм и менее), не содержит пор,трещин. Примеси материала оболочкинагревателя по данным элементногоанализа составили, мас,Х: Са 0,02;Бд 0,01 МВ "0,01; 01 0,05; Тд .- 0,01. Термическая прочность алмаэных поликристаллов составляет9000, а электросопротивление поряд"ка 10 Омсм,И таблице предСтавлены данныепо чистоте алмазов, полученных поизобретению и результаты сравнитель"ных примеров.Иэ представленных в таблице данных следует, что изобретение позволяет получить поликристаллическийалмазный материал с суммарным содер.жанием...

Номер патента: 1047105

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Вобликов, Каличкина, Костиков, Преображенский, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического, синтеза

...с аССОВОМ ОтНОШЕ.; Е г( 1 О УП еГ) .. (1 БОЗДЕИСТ ВИ Ь г(Н - (т Е М П Е р д т . р Г ,с) 0 0 - / (1;,С М) ди Ь 11 ЛсГ С" и 1 П) Б З Д,ет д;1 л - кд тдг 1 иза , 00 Г 11,:д 0 и ел: перемешива,",т с добиддми переходныхлО та.Г 1 Г 1 ов 1 - . 1.РупГ 1 Г)ерОли ивгкЙ СИС ЕМ ПРИ ЛЧДССОВ(РЛ 11 О)И;Д; - Г)ЬД)Е)М(ТгПУ КД гГИЗ) ) " .16, 51 опо)1 нытзгьно; з с (."(г 1у . - ,;рдс ООЛуЮТ Зд Г ОТВКl И )К руЖдЮТсмесьс карбида и м(:. д;.гд -кддпЛзТ ра )ри содержд ни и ( г( кгоу 1 БО1,.Р 0 мдс,хо и БозлейсБ гют высоким давлением Г 1 ри 1 900- 2000ПРИМЕНЕНИЕ Б Кас(ЕЬ-ГБС Д-ДГ ЗО)Д сме Гмет дплс) и кд рби,.,с;О зв;ли;10 цесБенно соРдтить г)бьеч мс)тапли.:( кой Фдзыггосо )нои гг)дзовывд ь усТОЙИ Г)Ы МЕДЛПО l ГЕоД 1 С-. Си СТ ЕМЬ 1, д применен.е нагрева гс...

Номер патента: 1340030

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Боровикова, Вобликов, Каличкина, Преображенский

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

...1500 град/с соответственно, в условиях градиента температуры 50 град/миц при 800 К выдерживют 3 с.Обрдзовлвшийся черного цвета алмаз имеет Форму сплошного цилиндра диаметром Э,О мм и высотой 3,5 мм. Примеси материала-катализатора, по данным элементного анализа, мас.7.: Со 8,1; Тд 0,3; Ч 3,1; Я. 0,02;Мя 0,03; Ге 0,7; Л 1. 0,5; Ся 0,6. При испытаниях в качестве наконечника твердомерд этим глмазом было произведено 1000 измерений твердости изделий из сплавов типа ВК без разруцтеция и переточки наконечника.Микротвердость полученного алмаза 1200 кгс/мм , а электросопротивление 10 Омсм.тП р и и е р 3. Все, как в приме- рЕ 1, только катдлитическую смесь берут массой 490 мг, л разделяющий слой из БЬВ порпшкообрязцого материала твердостью 0,9...

Номер патента: 961281

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Вепринцев, Дышеков, Кириллин, Клячко, Колчин, Кушхабиев, Продувалов, Хажуев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазсодержащего, поликристаллического

...в слоях заведомо берется с избытком (8-154 от массы шихты), чтобы гарантировать при спекании пропитку всей массы материала, При смешении с алма" эами кремний препятствует спеканию алмазных частиц.П р и м е р 1, Алмазные порошки с размером зерен 3-14 мкм прокаливают на воздухе при 1000 С в течение 1 О мин для удаления влаги, летучих 45 органических примесей и активации поверхности, Прокаленные алмазные порошки смешивают с порошком хрома (зернистостью менее 1 мкм), взятого в количестве 0,5 мас.3 алмазов, По" 6 лученную шихту помещают между слоями порошка кремния в трубчатом нагревателе камеры высокого давления, Смесь спекают при 1400 С и давлении 120 кбар в течение 3,5 с.Полученный спек отделяют от нагре вателя и избыточного количества...

Номер патента: 1830057

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Адам, Алан, Дэйв, Дэннис, Мерек, Нарасима, Стивен

МПК: C04B 35/65

Метки: композиционного, поликристаллического

...кристаллами, образующими макрочастицу (гранулу), Такие частицы или кристаллы в некоторых случаях могут быть равноосными. Неравноосные частички могут состоять из проволочек, чешуек, нитевидных кристаллов и т.п. Внутренняя пористость в гранулах(агломератах) образуется промежутками между кристаллитами или составляющими относительно мелкими частичками,Исходный металл при инфильтрации заполняет мелкую пористость внутри частиц наполнителя и промежуточные пустотныеканалы, образованные между относительно крупными частицами-агломератами, Если наполнитель состоит из непористых частиц, они должны быть достаточно большими, так, чтобы каналы между ними смогли вобрать в себя как смачивающую пленку расплавленного металла, так и газообразный...

Номер патента: 1609340

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Винтоняк, Голубков, Данилович, Иванова, Короткова, Ткаленко, Яковлева

МПК: B22F 1/00, C04B 35/26, H01F 1/10 ...

Метки: гексаферрита, поликристаллического, стронция, шихта

ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ГЕКСАФЕРРИТА СТРОНЦИЯ, содержащая оксид железа и карбонат стронция, отличающаяся тем, что, с целью повышения намагниченности насыщения и улучшения текстуруемости шихты, а также улучшения магнитных параметров получаемого гексаферрита, она содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%:Карбонат стронция 12,78 - 13,15Оксид железа 86,85 - 87,22при отношении Fe2O3/SrO (мол.%) равном 6,1 - 6,3.

Номер патента: 1549387

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Аржанников, Барышников, Голубков, Иванова, Катаев, Лапшина, Смирнова, Яковлева

МПК: B22F 1/00, H01F 1/10

Метки: гексаферрита, поликристаллического, шихта

ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ГЕКСАФЕРРИТА формулыSrO n Fe2O3,где n = 5 - 6,содержащая оксидное соединение железа и соединение стронция и лантана, отличающаяся тем, что, с целью повышения магнитных характеристик гексаферрита и упрощения технологии получения, в качестве оксидного соединения железа она содержит смесь окиси и закиси железа при их молярном отношении, равном 1 : 0,43 - 0,47, а в качестве соединения стронция и лантана содержит карбонат стронция с химическим защищенным лантаном в количестве 1,5 - 2,5% от массы карбоната стронция в пересчете на оксид лантана.

Номер патента: 1513844

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Вепринцев, Кирилин, Колчин, Кушхабиев, Продувалов

МПК: C04B 35/52

Метки: поликристаллического, сверхтвердого

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СВЕРХТВЕРДОГО МАТЕРИАЛА, включающий размещение между слоями порошка кремния предварительно прокаленного алмазного порошка или его смеси с порошком алмазосодержащего поликристаллического материала дисперсностью 10 - 500 мкм и зольностью 0,5 - 20 мас.% и спекание при давлении и температуре в области стабильности алмазной решетки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годного и сокращения доли ручного труда, порошок кремния предварительно смешивают с углеродным материалом и органическим связующим на основе резольных или новолачных смол, взятыми соответственно в количестве 10 - 40 и 0,4 - 5% от веса кремния, и прессуют заготовки.

Номер патента: 1545483

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Бондарев, Веприянцев, Кирилин, Колчин, Кушхабиев, Продувалов

МПК: C01B 31/06

Метки: поликристаллического, сверхтвердого

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СВЕРХТВЕРДОГО МАТЕРИАЛА, включающий размещение между слоями на основе порошкообразного кремния прокаленного алмазного порошка или смеси алмазного порошка с порошком алмазосодержащего поликристаллического материала дисперсностью 10-500 мкм и зольностью 0,5 20 мас. спекание полученной системы при давлении и температуре в области стабильности алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности материала, порошок кремния предварительно смешивают с бором в количестве 0,5 - 15 мас. и органическим связующим на основе резольных или новолачных смол в количестве 0,4 5 мас. и прессуют из полученной смеси таблетки.

Номер патента: 1814468

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Кравцов, Лесникова, Макаревич, Сарычев, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

...трудоемкость из-за необходимости изменения температуры при доращивании. При отжиге подслоя при температуре выше 650 С, давлении более 13,3 Па, времени более 1 мин при соотношении %Р -инертный газ более 1:20 происходит полное потребление 81 из зародьппа на восстановление %Р что впоследствии затрудняет процесс формирования рельефного микрорисунка в нихележащих слоях без масочным травлением и появляются отклонения от куполообразной формы зерен при доращивании, Кроме того, увеличивается трудоемкость процесса из-за необходимости изменения температуры при доращивании,П р и м е р. Осахдение пленок поликристаллического кремния осуществляли5 1814468 на установке Изотрон 4-150 с горизонтальным трубчатым реактором с горячими стенками,...

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...