H01L 21/311 — травление

Номер патента: 149835

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Журавлев, Киреев

МПК: H01L 21/311

Метки: кремния, поверхности, рельефа

...путем осаждают никель, который покрывают слоем желатина и фотоспособом вытравливают с пробель. ных мест никель до кремниевой подложки, получая рисунок заданной конфигурации. г 1 ля травления используют раствор, состоящий нз 1 части Нр 10 1 части Н,804 и 8 частей СНаСООН, не разрушающий желатинового покрытия, После удаления оставшегося на поверхности желао типового слоя заготовку обрабатывают при температуре около 1000 .В процессе термообработки происходит вплавление рисунка в кремний и образование на незашишенной пове 1)хности кремния окисноЙ пленки, Затем заготовку обрабатывают в шелочном травителе, напри-. мер в кипящем 30%-ном растворе КО 1-1, В процессе обработки стравливается эвтектика кремний - никель до получения рельефа...

Номер патента: 668510

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко

МПК: H01L 21/311

Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков

...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...

Номер патента: 784636

Опубликовано: 30.09.1994

Автор: Григоришин

МПК: H01L 21/311

Метки: масок

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАСОК, включающий операции анодирования алюминиевой пластины, нанесения защитного покрытия, вытравливания алюминия, формирования рисунка и кромок щелей маски и термической обработки масок на воздухе, отличающийся тем, что, с целью повышения тепловой формоустойчивости масок, после анодирования алюминиевой пластины на глубину, равную толщине кромок щелей маски, формируют на анодированной поверхности алюминиевой пластины рисунок маски из защитного покрытия, вытравливают анодный окисел и частично алюминий на открытых участках анодированной поверхности, выращивают в вытравленных участках барьерный оксидный слой при напряжении формирования, в 2 - 4 раза превосходящем напряжение анодирования алюминиевой пластины, стравливают...

Номер патента: 764557

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Манжа, Одиноков, Сулимин, Чистяков

МПК: H01L 21/311

Метки: композициях, отверстий, пленочных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЯХ, включающий формирование первого и второго маскирующих слоев, фотолитографию и травление, отличающийся тем, что, с целью получения узких отверстий, после формирования на первое максирующее покрытие наносят слой поликристаллического кремния, формируют на его поверхности вспомогательное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для поликристаллического кремния и первого маскирующего покрытия, методом фотолитографии, формируют островки из поликристаллического кремния и вспомогательного маскирующего покрытия в местах требуемого расположения узких отверстий, под защитой вспомогательного покрытия подтравливают поликристаллический кремний по периметру вышеупомянутых островков, затем формируют...

Номер патента: 814175

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Владыченко, Данилов, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/311

Метки: диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов, создания, элементов

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.