H01L 21/22 — диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси

Номер патента: 176985

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Ваксенбург, Сопов

МПК: H01L 21/22

Метки: сплав, сплавно-диффузионныхтриодов, электродный

...растворимости в твердом германии, а доцор цая примесь введена в таком количестве, что произведение коэффициецта распределения ца ее концентрацию в электродном сплаве це превышает хаксихзлыуО раствормость акцепторцой примеси в твердом германии, В таком ЗО сплаве соотцошеш 1 я акцепторцых и доиорцых примесей и их растворимостей взяты тяк, что в результате вплявлеция этого сплава в гермаций в области эхцттеря ие ооразуется паразитцых р-п-переходов, ухудиоцих характеристики триода.В состав описываемого эмиттерцого сплава доцорцую и акцепторцую примеси вводят с различной величиной максимальной ряствори 10 сти в твердом Герх 13 иии, как было указяцо выше, и в определеицом количествеццом соотношении. Предмет изобретеция1. Электродный...

Номер патента: 322814

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Милонов

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузии, дозирования, источника, примеси

...число 20 долей пластины с диффузантом.Примером технического осуществления спо.соба является дозирование селена, являющегося основной донорной примесью для арсенида галлия. Подвергаемые легировапию пла стины из арсенида галлия иМеют диаметрпорядка 20 лтлк Объем диффузионной ампулы составляет 30 см. Для обеспечения легирования арсенида галлия селеном до концентрации доноров порядка 10" слг в концентрац З 0 атомов селена в объеме ампулы должна быДпорядка 10" см-. Такая концентрация селена в объеме ампулы создается навеской диффузанта 0,39 мг. Отбор столь малых количеств измельченного материала при взвешивании по известному способу связан со значительными трудностями. Получение селена, равно как и целого ряда других диффузантов, таких...

Номер патента: 418921

Опубликовано: 05.03.1974

МПК: H01L 21/22

Метки: 418921

...может закрываться крышкой, имеющей сквозной рисуноксовпадающий с конфигурацией медных заготовок. Собранная кассета помещается в реакционную камеру с двумя температурными зонами,Зона, в которой находится кассета, нагревается до температуры образования хнмичсского соединения теллурида меди по перитектпческой реакции, а другая зона, 1 в которую вводят навеску теллура, нагревается до температуры его плавления. При,пропускании паров теллура над нагретой кассетой происходит реактивная диффузия меди из медной заготовки через пластину теллурида меди и последующее взаимодействие с парообразным тсллуром.В случае использования крышки, имеющей сквозной рисунок, и проведения реакции в течение времени, мсльшего, чем необходимо для полной диффузии...

Номер патента: 403362

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Антонов, Голото, Казаков, Молдованов

МПК: H01L 21/22

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...усилии, не превышаю - шем величину предела упругости полупроводникового кристалла.Детали и злементы полупроводникового прибора, контактирующие поверхности которь 1 х имеют шлифовальные или полированные обезжиренные поверхности, помешают в вакуумную камеру (например, с остаточным вакуумом 110 3-110 7 мм рт, ст.), нагревают до температурь., не превышаюшей 0,4 температуры плавления легкоплавкого материала соединяемых деталей, прижимают их друг к другу с удельным усилием, не превышгкицим величину предела упругости голупроводникового кристалла, выдерживают при температуре сварки в те -403362 Составитель М Яенешкинатехред Е Петрова Корректор Е РЕ. Рожкова Редактор И Ш б Изд, М Я Заказ 6310 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров...

Номер патента: 546042

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Добкин

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузионный, кремниевый, транзистор

...в прилегающей к базе области эмиттера, обеспечивающего высокое значение коэффициента усиления, связано с сушествованием связи диффузионной длины неосновных носителей тока и концентрацией примеси и приводит к уменьшению времени жизни и коэффициента диффузии, определяющих значение диффузионной длины. В случае если примеси имеют градиент концентрации выше оптимального, малы геометрические размеры активной области эмиттера. Если 0 значение градиента концентрации примесиниже оптимального, мала концентрация примеси в активной области эмиттера,Для случая распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера по закок 2б ну Я" оптимальное значение градиентаконцентрации определяется по формуле4 й Мгрви ЬРР ЗР н"р ах- концентрация...

Номер патента: 557698

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Гавутис, Гечяускас, Кальвенас, Пожела, Репшас, Юскевичене

МПК: H01L 21/22

Метки: датчиков, импульсной, мощности, свч

...датчиков импульсной мощности 10 в большой степени зависят от температуры окружающей среды.Известен также способ изготовления датчиков импульсной мощности СВЧ путем вплавления металлического сплава в приконтактную область кремниевой пластины электронного типа проводимости 2 .Недостатком изготовленных этим способом датчиков импульсной мощности СВЧ является изменение их показаний в интервале температур Т = - -(50-60 ОС) до 6. Это обьясняется тем, что контакт к кремниевой пластине создается вплавлением сплавазолота с примесью сурьмы, а диффузия примеси с глубокими уровнями в запрещенной зоне ведется из спла- .ва. Для получения необходимой концентрации примеси типа золота в кремниевой пластине сплав золото - сурьма необходимо нагревать...

Номер патента: 1804662

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузионных, проведения, процессов, реактор

...трубы 1 и съемной крышки 2, изготовленных из кварцевого стекла ПНП ГО ВЩЛО.027.241 ТУ. Общая длина трубы 2000 мм, толщина стенки 5 мм, внутренний диаметр О = 135 мм. На одном конце трубы .1 имеется отверстие 3 диаметром 15 мм для подачи газа, на другом - отверстие 4 для загрузки и выгрузки обрабатываемых полупроводниковых пластин 9 и выпуска газа. Съемная крышка 2 с помощью шлифового соединения "шлиф КШ 150/75, ГОСТ 8682-70" герметично и коаксиально вставляется в выпускное отверстие 4 трубы 1 и своей удлиненной цилиндрической чэстьа наружным диаметром 90 мм и длиной 380 мм защищает внутреннюю стенку трубь в "холодной" зоне печи(Т(750 фС) от загрязнения сублимирующимся диффузантом, Необходимо отметить, что в известной конструкции...

Номер патента: 1825432

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Шмиткин

МПК: H01L 21/22

Метки: кремний, перехода

...площади в процентах от величины отношенияЯп 02А - М -для различных содержаний А 2(МОз)з, мас.7, в диффуэанте состава: "х" - А 2(МОз)з, 2-4 г С, "у" - Яп 02 и 30 г этилового спирта ("х" и "у" - варьируются)- отсчет осуществляется по левой оси ординат.Одновременно график отражает собой процент значений Вэ - поверхностного со+противления с р -стороны, превосходящихОмуровень в 1 . принятый в технологии за критерий годностиот величины отношения Яп 02/А 2(мОз)з - отсчет по правой оси ординат.На фиг. 2 представлены гистограммы распределения кристаллов диаметром б мм по напряжению пробоя. Кристаллы вырезались из пластин, р-п-переход в которых получен с применением диффуэантов различного состава, Под М 1 представлена гистограмма распределения...

Номер патента: 986229

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/22

Метки: высокоомными, диффузионными, полупроводниковых, слоями, структур

...является предпочтительной рля более воспроизводимого получения дишшузионных слоев. Причем разница в два порядка допускается минимальной, так как в противном случае дополнительные трудности создаются взаимной нейтрализацией примеси или неуправляемой ее компенсацией, Верхний предел - шесть порядков определяет максимальную возможную раз ность легирования необходимого слоя и подложки.На фиг.1-4 представлена последовательность операций применительно к изготовлению полупроворниковых приборов типа диодов, резисторов и биполярных транзисторов, а на шиг.5-8 для МРП-транзисторов со встроенным кана" лом.На шиг, показана структура после шормирования в (на) подложке 1 высоколегированной области 2 через окно в маске 3 преимущественно в...

Номер патента: 669995

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Иванов, Толстых

МПК: H01L 21/22

Метки: свч-транзисторных, структур

...структуры, средней части, а также последующую диф- .. Кремниевую пластинус эпитаксиальной фузию для создания эмиттерной области,. 40 пленкой 1 п-типа проводимости подвергают После окончания первой. стадии базовой термическому окислению в комбинировэн-. диффузии осуществляют локальное удале- ной среде увлажненного водяными парами ние боросиликатного стекла в местах буду- кислорода или в среде азота, аргона и сухого щего расположения эмиттера, затем ведут кислорода при 1100-1200 С до получения вторую стадию в окислительной атмосфере. 45 окисла 2 толщиной.не менее 0,45 мкм, масЗа счет перехода сильнолегированного . кирующего от последующей диффузии, В поверхностьюслоякремниявокиселдости- выращенной пленке вскрывают. окна под...

Номер патента: 683397

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих

МПК: H01L 21/22

Метки: бором, диффузии, золотом, источник, кремния, легирования, одновременного

...кварцевые подложки 1 и 2 наносят борный ангидрид. После отжига в аргоне при 940 С в течение 2 ч происходит стекло образование, в результате чего на подложках образуются слои 3 боросиликатного стекла. На боросиликатные слои 3 наносят слои 4 золота при давлении 5 10 мм рт.ст, 5 в течение 20-25 с.Расстояние от испарителя до подложки70 мм, навеска золота весит 40 мг, Толщинанапыленных слоев золота составляет 0,05- 0,1 мм, После напыления золота подложку 10 отжигают в течение 20 мин при 940 С. Легирование ведут в открытой кварцевой трубе 5 в потоке аргона.Температура диффузии 940 + 1 С, время легирования 20 - 40 мин, Расход аргона 40 - 50 л/ч при диаметре трубы 58 мм, Пластины 6 кремния со вскрытыми окнами под базовое легирование...

Номер патента: 2002337

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Зорина, Иванов, Кудрявцева, Кулик

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, плазменного, подложек, полупроводниковых

...требованием получения равномерной воронки в зоне слияния плазменных струй. Примесь в газообразном состоянии по трубе вводится в зону слияния струй. В среде плазмы, нагретой до температуры 10 К, осуществляется полная диссоциация, активация и частичная ионизация газов плазменного потока и материала примеси. При соударении этого потока с поверхностью подложки под действием температурных и ионизационных факторов происходит одновременное осаждение и внедрение легирующей примеси в подложку с образованием тонкого легированного слоя. Затем прекращают подачу примеси и продолжают обрабатывать подложку при пересечении ей плазменного потока по меньшей мере один Раз, осуществляя тем самым дальнейшее внедрение примеси и плазменный отжиг. В...

Номер патента: 671601

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Гордиенко

МПК: H01L 21/22

Метки: переходов, планарных

...создают контакт 7 мент вкаочения кольца40 к сформированнойобластй 5, 6,Наиболее блйэким техническим речке- Пример. Полупроводниковыйматеринием является способ изготовления планар- ал кремний, поверхность пластин которого ных р-п-переходов, включающий создание в: сориентирована в кристаллографической переходном полупроводйиковом теле одно- плоскости 100), подвергают термическому . го типа проводимости области противопо окислению, Режим-комбинированнаясреложного типа проводимости путем да увлажненного и сухого кислорода. Т- диффузии через маску. 1100 - 1200 С. В выращенном термическомСпособ предусматривает создание ба- окисле 10 г толщиной. достаточной для мазовой области, змиттерной области, рас- скирования от последующих операций...

Номер патента: 1715124

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Думаневич, Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: внутренних, изолированных, областей, формирования

...нецелесообразно брать р80 Ом см, так как 15максимальную толщину формируемой изолированной и-области практически нельзяполучить больше 220 мкм. Максимальнаятемпература 1300 С ограничена при длительной работе возможностями современного диффузионного оборудования, а такжеопределяется тем, что с повышением температуры ухудшаются параметры исходногокремния и увеличивается деформация тонких пластин, а при температуре ниже 251240 С сильно возрастает время термообработки.Для изготовления многослойных структур силовых тиристоров и симисторов с повторяющимся напряжением 800-1200 В 30необходимо изготовить р-и-р-структуру столщиной р-слоя Х) = 60-70 мкм и поверхностной концентрацией примеси Й (1-2) 10см, что соответствует поверхностному...

Номер патента: 1101081

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/22, H01L 27/02

Метки: компенсацией, полупроводниковый, резистор, температурной

1. Полупроводниковый резистор с температурной компенсацией, содержащий резистивный элемент из монокристаллического кремния n-типа с диффузионной областью, сформированной введением примеси, две контактные площадки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, элемент легирован редкоземельным металлом, распределенным по объему, приближающемуся к закону дополнительной функции ошибок, с концентрацией носителей Na 5 1018 см-3 и имеющим отношение концентрации носителей в легированной области к концентрации носителей в нелегированной

Номер патента: 1591753

Опубликовано: 27.01.1995

Автор: Денисюк

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузии, источников, планарных, твердых, фосфора

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА, включающий приготовление смеси из порошка метафосфата алюминия и порошка кремния в количестве 15 - 40 мас.ч., нанесение на термостойкую положку из кремния, спекание диффузанта с подложкой в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы путем снижения выкрашивания частиц диффузанта из источников и повышения термомеханической стойкости источников, перед нанесением диффузанта на термостойкую подложку из кремния проводят отжиг диффузанта в инертной среде при 1000 - 1050oС в течение 15 - 40 мин и его измельчение, а спекание диффузанта с подложкой проводят при 980 - 1040oС.

Номер патента: 1292622

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Денисюк, Пих

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузии, источников, фосфора

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА на основе метафосфата алюминия, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков метафосфата алюминия и наполнителя, нанесение диффузанта на термостойкую подложку и их спекание в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы источников на термостойкой подложке из кремния, в диффузанте в качестве наполнителя используют порошок кремния в количестве 15-40 мас.ч., а спекание проводят при 1000-1090°С.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что размер зерен порошка кремния составляет 5-70 мкм.

Номер патента: 686542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.

Номер патента: 1616419

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: кремния, легирования, мышьяком, пленкообразующий, раствор

Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком, содержащий тетраэтоксисилан, этиловый спирт, ортомышьяковую кислоту и катализатор, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности поверхностного сопротивления и снижения разброса по глубине диффузионных слоев толщиной до 8 мкм, раствор дополнительно содержит воду, а в качестве катализатора используют азотную или соляную кислоты при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Тетраэтоксисилан - 16,0 - 26,0Этиловый спирт - 61,3 - 73,9Ортомышьяковая кислота - 3,1 - 6,8Азотная (соляная) кислота - 0,5 - 1,4Вода - 4,5 - 6,5

Номер патента: 1338709

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: бором, диффузионных, легированных, пленкообразующий, раствор, слоев

1. Пленкообразующий раствор для получения легированных бором диффузионных слоев, содержащий растворитель, катализатор, соединение элементов IV группы и неорганическое соединение бора, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня и однородности легирования толстых диффузионных слоев, раствор дополнительно содержит органическое соединение бора при массовом соотношении органического и неорганического соединения бора от 7,5 : 1 до 30 : 1 и следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Растворитель - 13 - 30Катализатор - 0,3 - 1,0Соединения бора - 28 - 55Соединение элементов IV группы - 19,7 - 412. Раствор по п.1, отличающийся тем, что в качестве...

Номер патента: 1786963

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воробьев, Коршунов, Кульгачев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/22

Метки: нанесения, подложку, покрытия, полиимидного

Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку, включающий обработку подложки и формирование слоя полиимидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия, обработку подложки осуществляют в плазме, содержащей ионы фтора, в течение 1-100 с, а перед формированием слоя полиимидной смолы подложку выдерживают в атмосфере, содержащей аммиак в течение 1-1000 с.