H01L 29/786 — тонкопленочные транзисторы

Номер патента: 259283

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Гасанов

МПК: H01L 29/786

Метки: полевой, тонкопленочный, триод

...ц дырочной проводимости.На фцг. 1 изображен предлагаемый тонко пленочный триод, разрез; ца фцг, 2 - зависимость цнд;ццрованноЙ поверхностцоЙ проводимости от внешнего электрического поля,Предложенцый триод состоит цз полупроводниковой пленки 1, слоев 2 изолятора, ме 1 б таллцческцх электродов затворов 3, элекприс;.кцх коцтактОВ 4 ц а ц цзолцрующеЙ подложки 6.Для Включецця тоцкоплс очного полевоготриода закорачцвают полеаыс электроды 3 ц 2 С подсоединяпот цх через батарею смещения кконтактам 4. Контакты 4 ц а через нагрузочцое сопротивление соединяют с источником постоянного напряукснця. Подавая сигнал перецапряжс 1:ця между истоког 25 затвором на цагрузочцое сопротцвлеш 1 е получают необходимый полезный сигнал.Прц толщине пленки...

Номер патента: 291626

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Габсал, Токарев

МПК: H01L 29/786

Метки: всесоюзная, пдтекгко-1хшгка1библиотека

...термически осажденную пленку теллура, в сочетании с окисью алюминия в качестве диэлектрика с концентрацией свободныхионов не более 10"смпри тангенсе угла потерь не более 0,01.10 Предлагаемое изобретение поясняется чертежом, где 1 - подложка из изолирующегоматериала (ситалл, стекло, органическая пленка и т, д.); 2 - электроды исток - сток, обычно из золота; 8 - затвор из алюминия; 4 -15 слой окиси алюминия, полученный анодированием затвора в плазме тлеющего разряда вкислороде; 5 - слой узкозонного полупровод.ника (в наших образцах - теллура). Толщинао20окиси алюминия составляет 400 - 500 А, тол.щина слоя теллура 200 - 350 А. Относительная нестабильность негерметизированных полевых транзисторов предлагаемой конструкции не превышает 0,02 -...

Номер патента: 1217208

Опубликовано: 27.04.2009

Авторы: Костюков, Пресс

МПК: H01L 29/786

Метки: двухфазный, зарядовой, прибор, связью

Двухфазный прибор с зарядовой связью, выполненный в виде многослойной проводящей структуры, содержащей в каждой ячейке электроды хранения и электроды переноса, соединенные посредством контактных окон, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов с ячейкой переноса минимального размера при сохранении высокой управляющей способности, электроды хранения каждой фазы и электроды переноса обеих фаз расположены в различных слоях проводящей структуры, причем контактные окна вскрыты к электродам одной из фаз, объединяющие электроды переноса, расположенные в третьем проводящем слое, с электродами хранения, расположенными во втором проводящем слое, размещены над...